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65nm近阈值SRAM稳定性分析 被引量：2
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作者 于雨情 王天琦 +2 位作者 齐春华 肖立伊 喻沛孚 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2017年第1期26-29,34,共5页
本文通过将供电电压降低到近阈值区域实现低功耗的目的.现有标准6T-SRAM在近阈值电压下的性能非常差,且受工艺波动的影响很大.因此,本文提出了一种新型的8T-SRAM,与近阈值电压下的6管单元相比,其静态功耗基本相同,读噪声容限也增加了一... 本文通过将供电电压降低到近阈值区域实现低功耗的目的.现有标准6T-SRAM在近阈值电压下的性能非常差,且受工艺波动的影响很大.因此,本文提出了一种新型的8T-SRAM,与近阈值电压下的6管单元相比,其静态功耗基本相同,读噪声容限也增加了一倍.因此使该新型8管单元在实现低功耗的基础上保证了读写的稳定性.另外针对工艺波动对读噪声容限的影响进行分析,与6T-SRAM相比,新型8T-SRAM受工艺波动的影响更小. 展开更多
关键词 低功耗 近阈值电压 读噪声容限 工艺波动
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