期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
硅基超薄柔性芯片的力学和电学特性研究进展
1
作者 洪敏 陈仙 +3 位作者 徐学良 唐新 张正元 张培健 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第3期472-482,共11页
全面综述了硅基超薄柔性芯片在单轴弯曲应力下的力学和电学特性研究进展,包括弯曲形变的测试方法及应力计算公式,弯曲应力对器件及单元电路响应特性的影响,以及考虑应力效应的器件建模方法。弯曲应力会导致MOSFET的迁移率、阈值电压、... 全面综述了硅基超薄柔性芯片在单轴弯曲应力下的力学和电学特性研究进展,包括弯曲形变的测试方法及应力计算公式,弯曲应力对器件及单元电路响应特性的影响,以及考虑应力效应的器件建模方法。弯曲应力会导致MOSFET的迁移率、阈值电压、漏极电流等关键电参数发生变化,且变化率与所施加的应力大小和方向均密切相关。将器件电学参数随应力变化的数学关系与常规的器件模型相结合,可得到适用于柔性可弯曲器件的紧凑模型,从而使下一代计算机辅助设计工具能够满足未来高性能柔性芯片的设计需求。 展开更多
关键词 超薄柔性芯片 弯曲应力效应 MOSFET 压阻系数 器件建模
下载PDF
混合模式电应力损伤对SiGe HBT器件1/f噪声特性的影响研究
2
作者 马羽 唐新 +2 位作者 罗婷 易孝辉 张培健 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第5期905-909,共5页
研究了混合模式应力损伤对SiGe HBT器件直流电性能的影响,对比了混合模式损伤前后器件1/f噪声特性的变化。结果表明,在SiGe HBT器件中,混合模式损伤在Si/SiO_(2)界面产生界面态缺陷P_(b),导致小注入下基极电流增加;H原子对多晶硅晶界悬... 研究了混合模式应力损伤对SiGe HBT器件直流电性能的影响,对比了混合模式损伤前后器件1/f噪声特性的变化。结果表明,在SiGe HBT器件中,混合模式损伤在Si/SiO_(2)界面产生界面态缺陷P_(b),导致小注入下基极电流增加;H原子对多晶硅晶界悬挂键的钝化作用引起中等注入区基极电流减小,导致电流增益增强。混合模式损伤缺陷位于硅禁带宽度内本征费米能级附近,虽然使基区SRH复合电流增加,却不会改变器件的低频噪声特性。 展开更多
关键词 1/f噪声 SiGe HBT 热载流子 界面态 混合模式损伤
下载PDF
Nb:SrTiO_(3)阻变单元及1T1R复合结构的电离辐射总剂量效应研究
3
作者 单月晖 连潞文 +6 位作者 高媛 魏佳男 杜翔 唐新 罗婷 谭开洲 张培健 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第6期1033-1038,共6页
开展了Nb∶SrTiO_(3)阻变单元及1T1R复合结构的X射线总剂量效应实验研究。结果表明,Nb∶SrTiO_(3)阻变单元在累积剂量达到10 Mrad(Si)时依然能够保持良好的阻变特性,高、低阻态未发生逻辑混乱。1T1R复合结构中的NMOS选通晶体管对电离辐... 开展了Nb∶SrTiO_(3)阻变单元及1T1R复合结构的X射线总剂量效应实验研究。结果表明,Nb∶SrTiO_(3)阻变单元在累积剂量达到10 Mrad(Si)时依然能够保持良好的阻变特性,高、低阻态未发生逻辑混乱。1T1R复合结构中的NMOS选通晶体管对电离辐射较为敏感,在栅氧化层中辐射感生氧化物陷阱电荷的作用下,NMOS器件阈值电压逐渐向负方向漂移,泄漏电流逐渐增加,进一步导致关态条件下(V_(G)=0 V)对阻变存储单元的错误读写。通过选用抗辐射加固NMOS选通晶体管,可显著提升1T1R复合结构的抗总剂量能力。 展开更多
关键词 Nb∶SrTiO_(3)阻变单元 总剂量效应 1T1R X射线辐射
下载PDF
应用于柔性电子的超薄硅基芯片研究进展 被引量:1
4
作者 唐新 洪敏 +5 位作者 罗婷 陈仙 张静 王鹏 张培健 张正元 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第4期695-706,共12页
柔性电子技术在近些年得到了快速发展,越来越多的柔性电子系统需要柔性、高性能的集成电路来实现数据处理和通信。通过减薄硅基芯片可以获得高性能的柔性集成电路,但是硅基芯片减薄之后的性能有可能发生变化,并且在制备、转移、封装的... 柔性电子技术在近些年得到了快速发展,越来越多的柔性电子系统需要柔性、高性能的集成电路来实现数据处理和通信。通过减薄硅基芯片可以获得高性能的柔性集成电路,但是硅基芯片减薄之后的性能有可能发生变化,并且在制备、转移、封装的过程中极易产生缺陷或者破碎,导致芯片性能退化甚至失效。因此,超薄硅基芯片的制备工艺和柔性封装技术对于制备高可靠性的柔性硅基芯片十分关键。在此背景下,文章综述了柔性硅基芯片的力学和电学特性研究进展,介绍了几种超薄硅基芯片的减薄工艺和柔性封装前沿技术,并对超薄硅基芯片在柔性电子领域的应用和发展进行了总结和展望,为柔性硅基芯片技术的进一步研究提供参考。 展开更多
关键词 柔性电子 超薄芯片 芯片减薄 柔性封装
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部