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江西省体育旅游发展方向的创新性研究
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作者 许年丽 唐文昕 《旅游与摄影》 2024年第10期52-54,共3页
随着“政策引导、市场主导”的不断深入,江西省体育旅游市场规划和产业融合也逐渐提上日程。应在各项政策条例和创新模式的支持下优化体育旅游发展方向,突出江西省体育旅游发展的重要性,对体育旅游发展过程中面临的问题进行解决,逐渐形... 随着“政策引导、市场主导”的不断深入,江西省体育旅游市场规划和产业融合也逐渐提上日程。应在各项政策条例和创新模式的支持下优化体育旅游发展方向,突出江西省体育旅游发展的重要性,对体育旅游发展过程中面临的问题进行解决,逐渐形成完善的体育旅游体系,促进江西省社会经济发展水平提升。文章对江西省体育旅游发展的创新策略进行探讨,希望促进江西省体育产业和旅游业融合发展。 展开更多
关键词 江西省 体育旅游 发展方向 创新策略
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基于机器学习的PVDF基复合介质储能特性数据分析与预测 被引量：2
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作者 冯宇 唐文昕 +2 位作者 张天栋 迟庆国 陈庆国 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期1997-2004,共8页
近年来,机器学习作为一种新型数据分析方式,在电气、材料、化学等领域都取得了优异的成果。对储能介质材料而言,以聚偏氟乙烯(polyvinylidenefluoride,PVDF)材料作为基体,向其中加入纳米填料能够极大地增加复合介质最大储能密度。该研... 近年来,机器学习作为一种新型数据分析方式,在电气、材料、化学等领域都取得了优异的成果。对储能介质材料而言,以聚偏氟乙烯(polyvinylidenefluoride,PVDF)材料作为基体,向其中加入纳米填料能够极大地增加复合介质最大储能密度。该研究利用机器学习探索并建立复合介质所含填料(微观信息)-复合介质储能性能(宏观性能)的对应关系。首先,收集165组复合介质储能特性参数建立数据库,以填充相材料的特征作为输入描述符(包括固有描述符和选择描述符);其次,对原始数据进行处理,根据复合介质的最大储能密度提升倍数划分数据集标签。为达到兼顾预测精度和准确率的目的,分别设置二分类、三分类和四分类数据集,使用3种机器学习算法对数据集进行训练;最后,将11组全新的数据输入训练模型进行验证,其中7组数据可以正确预测分类,证明机器学习方法应用在高储能密度复合介质研究中的可靠性。该研究将交叉学科的前沿成果运用在复合介质的研究领域,所建数据库与训练模型将加速高性能复合介质的发现。 展开更多
关键词 复合介质 最大储能密度 纳米填料 机器学习 数据集标签
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1000 V p-GaN混合阳极AlGaN/GaN二极管 被引量：3
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作者 唐文昕 郝荣晖 +2 位作者 陈扶 于国浩 张宝顺 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第19期308-312,共5页
GaN材料具有优异的电学特性,如大的禁带宽度(3.4 eV)、高击穿场强(3.3 MV/cm)和高电子迁移率(600 cm^2/(V·s)). AlGaN/GaN异质结由于压电极化和自发极化效应,产生高密度(1×10^(13)cm^(-2))和高迁移率(2000 cm^2/(V·s))... GaN材料具有优异的电学特性,如大的禁带宽度(3.4 eV)、高击穿场强(3.3 MV/cm)和高电子迁移率(600 cm^2/(V·s)). AlGaN/GaN异质结由于压电极化和自发极化效应,产生高密度(1×10^(13)cm^(-2))和高迁移率(2000 cm^2/(V·s))的二维电子气(2DEG),在未来的功率系统中, AlGaN/GaN二极管具有极大的应用前景.二极管的开启电压和击穿电压是影响其损耗和功率处理能力的关键参数,本文提出了一种新型的具有高阻盖帽层(high-resistance-cap-layer, HRCL)的p-GaN混合阳极AlGaN/GaN二极管来优化其开启电压和击穿特性.在p-GaN/AlGaN/GaN材料结构基础上,通过自对准的氢等离子体处理技术,在沟道区域形成高阻盖帽层改善电场分布,提高击穿电压,同时在阳极区域保留p-GaN结构,用于耗尽下方的二维电子气,调控开启电压.制备的p-GaN混合阳极(p-GaN HRCL)二极管在阴阳极间距Lac为10μm时,击穿电压大于1 kV,开启电压+1.2 V.实验结果表明, p-GaN混合阳极和高阻GaN盖帽层的引入,有效改善AlGaN/GaN肖特基势垒二极管电学性能. 展开更多
关键词 ALGAN/GAN 二极管 P-GAN
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U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响 被引量：2
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作者 陈扶 唐文昕 +3 位作者 于国浩 张丽 徐坤 张宝顺 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期263-269,共7页
U型槽的干法刻蚀工艺是GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件关键的工艺步骤,干法刻蚀后GaN的侧壁状况直接影响GaN MOS结构中的界面态特性和器件的沟道电子输运.本文通过改变感应耦合等离子体干法刻蚀工艺中的射频... U型槽的干法刻蚀工艺是GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件关键的工艺步骤,干法刻蚀后GaN的侧壁状况直接影响GaN MOS结构中的界面态特性和器件的沟道电子输运.本文通过改变感应耦合等离子体干法刻蚀工艺中的射频功率和刻蚀掩模,研究了GaN垂直沟槽型MOSFET电学特性的工艺依赖性.研究结果表明,适当降低射频功率,在保证侧壁陡直的前提下可以改善沟道电子迁移率,从35.7 cm^2/(V·s)提高到48.1 cm^2/(V·s),并提高器件的工作电流.沟道处的界面态密度可以通过亚阈值摆幅提取,射频功率在50 W时界面态密度降低到1.90×10^12 cm^-2·eV^-1,比135 W条件下降低了一半.采用SiO2硬刻蚀掩模代替光刻胶掩模可以提高沟槽底部的刻蚀均匀性.较薄的SiO2掩模具有更小的侧壁面积,高能离子的反射作用更弱,过刻蚀现象明显改善,制备出的GaN垂直沟槽型MOSFET沟道场效应迁移率更高,界面态密度更低. 展开更多
关键词 GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管 U型槽 射频功率 刻蚀掩模
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