心内直视手术16例死亡原因分析

1

作者 蒋垂岚 赵廷林 +3 位作者 魏朴 丁超英 和经 宁吉存 《河北医药》 CAS 1994年第5期264-265,共2页

心内直视手术１６例死亡原因分析２６６１００中国人民解放军陆军第１４１医院外科蒋垂岚，赵廷林２６６１００中国人民解放军陆军第１４１医院麻醉科魏朴，丁超英２６６１００中国人民解放军陆军第１４１医院内科战和经，宁吉存我院自... 心内直视手术１６例死亡原因分析２６６１００中国人民解放军陆军第１４１医院外科蒋垂岚，赵廷林２６６１００中国人民解放军陆军第１４１医院麻醉科魏朴，丁超英２６６１００中国人民解放军陆军第１４１医院内科战和经，宁吉存我院自１９８２年１月～１９９３年１０月共... 展开更多

关键词 心内直视手术 死亡 分析

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人类命运共同体视域下奥林匹克运动的发展诉求和价值回归 被引量：3

2

作者 黄福挺 端木和经 《西安体育学院学报》 CSSCI 北大核心 2022年第1期40-45,共6页

人类命运共同体作为以人类整体性为核心要义、促进世界和谐发展的先进理念,对奥林匹克运动的发展具有重大指导作用。从人类命运共同体的视角出发,探讨现代奥林匹克运动在发展过程中产生的背离宗旨和价值异化的现象,梳理了奥林匹克运动... 人类命运共同体作为以人类整体性为核心要义、促进世界和谐发展的先进理念,对奥林匹克运动的发展具有重大指导作用。从人类命运共同体的视角出发,探讨现代奥林匹克运动在发展过程中产生的背离宗旨和价值异化的现象,梳理了奥林匹克运动在人文、经济、科技和生态等领域的现实诉求。利用PEST模型,分析并提出在人类命运共同体理念框架下,奥林匹克运动未来发展中政治互信、商业互惠、生态维护、科技应用的价值回归路径。 展开更多

关键词 人类命运共同体 奥林匹克运动 价值异化 PEST模型

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制度性交易成本视域下浙江产业园区营商环境优化研究

3

作者 端木和经 《产业创新研究》 2023年第17期42-44,共3页

产业园区作为地区招商引资和产业承载的主体、生产要素高度集中的重要空间以及科技创新的重要平台,入驻企业对产业园内的营商环境感受更为直观、改善需求更为迫切。本文通过对浙江地区产业园区的实地调研,分析了浙江省产业园区制度性交... 产业园区作为地区招商引资和产业承载的主体、生产要素高度集中的重要空间以及科技创新的重要平台,入驻企业对产业园内的营商环境感受更为直观、改善需求更为迫切。本文通过对浙江地区产业园区的实地调研,分析了浙江省产业园区制度性交易成本的现状、园区管理方降本增效的创新经验及存在的问题,提出优化资源配置、提高涉企服务效能、促进产学研协作、健全信用监管体系等对策。这有助于降低浙江省产业园区内的制度性交易成本,优化浙江省的营商环境。 展开更多

关键词 产业园区 制度性交易成本 营商环境

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乡村抱团发展推进共同富裕的浙江实践探究--以嘉兴市为例

4

作者 万国伟 端木和经 王佳颖 《农村经济与科技》 2022年第21期207-210,共4页

乡村抱团发展模式大大促进了村集体经济与农户收入“双增”,开创了共同富裕的新路径。浙江嘉兴通过强化政策、创新管理、腾退低效用地、畅通审批渠道、保障村级收益及深化山海协作等举措,在村集体增收、基层治理、要素配置和生态保护等... 乡村抱团发展模式大大促进了村集体经济与农户收入“双增”,开创了共同富裕的新路径。浙江嘉兴通过强化政策、创新管理、腾退低效用地、畅通审批渠道、保障村级收益及深化山海协作等举措,在村集体增收、基层治理、要素配置和生态保护等方面取得了显著成效,其主要经验启示为党建引领+政策细化落地、产业发展+集体经济强化以及企业发力+村民积极参与,为乡村振兴高质量发展提供了可资借鉴的“浙江样板”。 展开更多

关键词 乡村 抱团 共同富裕 浙江实践

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仁者乐山

5

作者 张亦弛 和经权 +2 位作者 杨涛 李佑武 马里 《中国审计》 2021年第2期84-85,共2页

原文传递

石鼓:流出长江第一湾

6

作者 琉璃 和经权 《普洱》 2017年第3期56-59,共4页

有人说石鼓很小，只是一个坐落于丽江西北五十公里，人口不过万的小镇；有人说石鼓很大，她的大山阻住了长江南下的脚步，万里长江在这里转头向北，把生命之水留给了中国大地，哺育出灿烂的华夏文明。

关键词 石鼓 长江 华夏文明

原文传递

全耗尽CMOS/SOI工艺 被引量：11

7

作者 刘新宇 孙海峰 +5 位作者 刘洪民 陈焕章 扈焕章 海潮和 和致经 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期104-108,共5页

对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级... 对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级环振、2 0 0 0门门海阵列等 ) ,其中 ,n MOS:Vt=0 .7V,Vds=4 .5～ 5 .2 V,μeff=4 6 5 cm2 / (V· s) ,p MOS:Vt=- 0 .8V ,Vds=- 5～ - 6 .3V,μeff=2 6 4 cm2 / (V· s) .当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm环振单级延迟为 4 5 展开更多

关键词 全耗尽 CMOS SOI工艺 氮化H2-O2合成薄栅氧 双栅 注Ge硅化物 注锗

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CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验 被引量：7

8

作者 刘新宇 刘运龙 +3 位作者 孙海锋 吴德馨 和致经 刘忠立 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期213-216,共4页

研究了 CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能 .CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器采用 1K×4的并行结构体系 ,其地址取数时间为 30 ns,芯片尺寸为 3.6 mm× 3.84 m m ;在工作电压为 3V时 ,CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储... 研究了 CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能 .CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器采用 1K×4的并行结构体系 ,其地址取数时间为 30 ns,芯片尺寸为 3.6 mm× 3.84 m m ;在工作电压为 3V时 ,CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器抗总剂量高达 5× 10 5Rad(Si) 。 展开更多

关键词 CMOS/SOI SRAM 抗总剂量辐照 实验 存储器

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0.1μmT型栅PHEMT器件 被引量：5

9

作者 郑英奎 刘明 +1 位作者 和致经 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期476-480,共5页

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法 ,并利用复合胶结构 ,一次电子束曝光制作出具有 T型栅的 PHEMT器件 ,并对 0 .1μm栅长 PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究 .形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺 ,获得了良... 通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法 ,并利用复合胶结构 ,一次电子束曝光制作出具有 T型栅的 PHEMT器件 ,并对 0 .1μm栅长 PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究 .形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺 ,获得了良好的器件性能 (ft=93.97GHz;gm=6 90 m S/mm ) . 展开更多

关键词 二维电子气 电子束光刻 混合曝光 PHEMT T型栅 异质结晶体管

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部分耗尽CMOS/SOI工艺 被引量：1

10

作者 刘新宇 孙海峰 +5 位作者 陈焕章 扈焕章 海潮和 刘忠立 和致经 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期806-810,共5页

对部分耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套部分耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :PBL (Poly- Buffered L OCOS)隔离、沟道工程和双层布线等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 ... 对部分耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套部分耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :PBL (Poly- Buffered L OCOS)隔离、沟道工程和双层布线等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级环振、 5 0 0 0门门海阵列和 6 4K CMOS/ SOI静态存储器 ) .其中 ,NMOS:Vt=1.2 V ,BVds=7.5— 9V ,μeff=42 5 cm2 / (V· s) ,PMOS:Vt=- 0 . 9V,BVds=14— 16 V,μeff=2 40 cm2 /(V· s) ,当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm环振单级延迟为 10 6 ps,SOI 6 4K CMOS静态存储器数据读取时间为 40 展开更多

关键词 PBL 沟道工程 双层布线 CMOS/SOI工艺 集成电路

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氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性 被引量：5

11

作者 刘新宇 刘运龙 +4 位作者 孙海锋 海潮和 吴德馨 和致经 刘忠立 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1596-1599,共4页

对氮化 H2 - O2 合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究 ,将 H2 - O2 合成和氮氧化栅两种技术结合起来 ,充分利用两者的优点制成三层结构的 Sandwich栅 ,对比常规氧化、H2 - O2 合成氧化和氮化 H2 - O2 合成氧化三种方式及不同退火条件 ,得出... 对氮化 H2 - O2 合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究 ,将 H2 - O2 合成和氮氧化栅两种技术结合起来 ,充分利用两者的优点制成三层结构的 Sandwich栅 ,对比常规氧化、H2 - O2 合成氧化和氮化 H2 - O2 合成氧化三种方式及不同退火条件 ,得出氮化 H2 - O2 合成氧化方法抗辐照性能最佳 ,采用硅化物工艺加快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势 ;并对氮化 H2 - O2 展开更多

关键词 氮化H2-O2合成 抗辐照 快速热退火 薄膜

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采用注入隔离制造的AlGaN/GaN HEMTs器件 被引量：4

12

作者 肖冬萍 刘键 +4 位作者 魏珂 和致经 王润梅 刘新宇 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期458-461,共4页

对 Al Ga N/Ga N HEMT器件采用离子注入技术注入氦离子进行隔离 ,应用该技术制造出的器件在室温下具有很好的特性 .器件的阈值电压在 - 3V左右时 ,源漏间电流为几十 n A.肖特基势垒的反向漏电流在 - 1 0 V下约为几百 n A.与采用干法刻... 对 Al Ga N/Ga N HEMT器件采用离子注入技术注入氦离子进行隔离 ,应用该技术制造出的器件在室温下具有很好的特性 .器件的阈值电压在 - 3V左右时 ,源漏间电流为几十 n A.肖特基势垒的反向漏电流在 - 1 0 V下约为几百 n A.与采用干法刻蚀技术进行隔离的器件相比 ,采用离子注入技术不但可以获得全平面化的 HEMTs器件而且还有效地抑制了场区漏电 .研究还表明氦离子注入的温度稳定性大于 70 0℃ . 展开更多

关键词 ALGAN/GAN HEMT 离子注入

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基于FC技术的AlGaN/GaN HEMT 被引量：5

13

作者 陈晓娟 刘新宇 +4 位作者 邵刚 刘键 和致经 汪锁发 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期990-993,共4页

采用FC技术将管芯倒扣至AlN基板散热的AlGaN/GaN HEMTs,并通过热阻模型分析了FC方式的散热机理.从测试结果看,器件的热阻可大幅降到14 .9K·mm/W,直流特性明显增加,饱和电流提高33%.表明采用FC技术有效改善了器件散热,而且引入的寄... 采用FC技术将管芯倒扣至AlN基板散热的AlGaN/GaN HEMTs,并通过热阻模型分析了FC方式的散热机理.从测试结果看,器件的热阻可大幅降到14 .9K·mm/W,直流特性明显增加,饱和电流提高33%.表明采用FC技术有效改善了器件散热,而且引入的寄生电感较小,可获得更大输出功率.如果进一步完善频率特性的优化,可以加快FC技术的AlGaN/GaN大功率HEMT器件的实用化进程. 展开更多

关键词 ALGAN/GAN HEMT FC 倒扣 热阻

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高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制 被引量：4

14

作者 邵刚 刘新宇 +6 位作者 和致经 刘键 魏珂 陈晓娟 吴德馨 王晓亮 陈宏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期88-91,共4页

报道了基于蓝宝石衬底的高性能 1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件 .为了提高微波功率器件性能 ,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案 .测试表明 ,器件电流密度为 0 784A/mm ,跨导 197mS/mm ,击穿电压大于 4 0V ,截止态漏电较小 ,1mm栅宽器件的... 报道了基于蓝宝石衬底的高性能 1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件 .为了提高微波功率器件性能 ,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案 .测试表明 ,器件电流密度为 0 784A/mm ,跨导 197mS/mm ,击穿电压大于 4 0V ,截止态漏电较小 ,1mm栅宽器件的单位截止频率达到 2 0GHz,最大振荡频率为 2 8GHz ,功率增益为 11dB ,功率密度为 1 2W/mm ,PAE为 32 % 。 展开更多

关键词 ALGAN/GAN HEMT 微波功率 单位截止频率

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钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP/GaAs HBT性能的影响 被引量：4

15

作者 郑丽萍 刘新宇 +3 位作者 袁志鹏 孙海锋 和致经 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期312-315,共4页

采用全耗尽的 In Ga P材料在基区 Ga As表面形成钝化边 (passivation ledge)的方法 ,研制出了带钝化边的自对准 In Ga P/Ga As异质结双极晶体管 (HBT) .通过对不同尺寸、有无钝化边器件性能的比较得出 :钝化边对提高小尺寸器件的直流增... 采用全耗尽的 In Ga P材料在基区 Ga As表面形成钝化边 (passivation ledge)的方法 ,研制出了带钝化边的自对准 In Ga P/Ga As异质结双极晶体管 (HBT) .通过对不同尺寸、有无钝化边器件性能的比较得出 :钝化边对提高小尺寸器件的直流增益有明显效果 ,对器件的高频特性无明显影响 .此外 ,钝化边的形成改善了所有实验器件的长期可靠性 . 展开更多

关键词 钝化边 直流增益 异质结双极晶体管

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蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制 被引量：3

16

作者 邵刚 刘新宇 +4 位作者 和致经 刘键 魏珂 陈晓娟 吴德馨 《电子器件》 CAS 2004年第3期381-384,共4页

基于蓝宝石衬底的高微波特性 Al Ga N/Ga N HEMTs功率器件 ,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明 ,器件电流密度 0 .784A/mm,跨导 1 97m S/mm,关态击穿电压 >80 V,截止态漏电很小 ,栅宽 1 mm的器件的单位截止频率 ( f... 基于蓝宝石衬底的高微波特性 Al Ga N/Ga N HEMTs功率器件 ,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明 ,器件电流密度 0 .784A/mm,跨导 1 97m S/mm,关态击穿电压 >80 V,截止态漏电很小 ,栅宽 1 mm的器件的单位截止频率 ( f T)达到 2 0 GHz,最大振荡频率 ( fmax) 2 8GHz,2 GHz脉冲测试下 ,栅宽 0 .75 mm器件 ,功率增益1 1 .8d B,输出功率 3 1 .2 d Bm,功率密度 1 .75 W/mm。 展开更多

关键词 ALGAN/GAN HEMT 微波功率 单位截止频率

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C波段0.75mmAlGaN/GaN功率器件 被引量：2

17

作者 陈晓娟 刘新宇 +2 位作者 和致经 刘建 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1804-1807,共4页

研制并测试了以蓝宝石作衬底的10×75μm×0.8μmAlGaN/GaN微波器件,采用等离子增强气相化学沉积的方法生长了250nm的Si3N4形成钝化层,直流特性从0.56A/mm上升到0.66A/mm,跨导从158mS/mm增为170mS/mm,截止频率由10.7GHz增大到13... 研制并测试了以蓝宝石作衬底的10×75μm×0.8μmAlGaN/GaN微波器件,采用等离子增强气相化学沉积的方法生长了250nm的Si3N4形成钝化层,直流特性从0.56A/mm上升到0.66A/mm,跨导从158mS/mm增为170mS/mm,截止频率由10.7GHz增大到13.7GHz,同时在4GHz下,Vds=25V,Vgs=-2.5V,输出功率由0.90W增至1.79W,输出功率密度达到2.4W/mm.钝化有效地改善了器件的输出特性,减小和消除了表面寄生栅对器件的影响. 展开更多

关键词 AIGAN/GAN HEMT 微波输出功率 SI3N4 钝化

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自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器 被引量：2

18

作者 王延锋 孙海峰 +2 位作者 刘新宇 和致经 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期406-410,共5页

对自对准 In Ga P/ Ga As HBT单片集成跨阻放大器进行了研究 .采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用 Ga As腐蚀各向异性的特点来完成 BE金属自对准工艺 ,最终制作出的器件平均阈值电压为 1.15 V,单指管子电流增益为5 0 ,发射极面积 4μm×... 对自对准 In Ga P/ Ga As HBT单片集成跨阻放大器进行了研究 .采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用 Ga As腐蚀各向异性的特点来完成 BE金属自对准工艺 ,最终制作出的器件平均阈值电压为 1.15 V,单指管子电流增益为5 0 ,发射极面积 4μm× 14μm的单管在 IB=2 0 0μA和 VCE=2 V偏压条件下截止频率达到了 4 0 GHz.设计并制作了直接反馈和 CE- CC- CC两种单片集成跨阻放大器电路 ,测量得到的跨阻增益在 3d B带宽频率时分别为 5 0 .6 d BΩ和 4 5 .1d BΩ ,3d B带宽分别为 2 .7GHz和 2 .5 GHz,电路最小噪声系数分别为 2 .8d B和 3.2 d B. 展开更多

关键词 自对准工艺 INGAP/GAAS HBT 跨阻放大器 铟镓磷混合物 砷化镓

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一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统(英文) 被引量：2

19

作者 李海鸥 尹军舰 +2 位作者 张海英 和致经 叶甜春 《电子器件》 EI CAS 2006年第1期9-11,109,共4页

研究了在砷化镓上欧姆接触形成机理,并提出了一种新型的欧姆接触六层金属系统(Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au)。在n型GaAs样品上实验了在380～460℃合金温度和50～120s合金时间下形成欧姆接触,在400℃、60s下典型的欧姆接触值为2.1x10-7Ω·cm2... 研究了在砷化镓上欧姆接触形成机理,并提出了一种新型的欧姆接触六层金属系统(Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au)。在n型GaAs样品上实验了在380～460℃合金温度和50～120s合金时间下形成欧姆接触,在400℃、60s下典型的欧姆接触值为2.1x10-7Ω·cm2,同时合金后表面形貌光滑、平整。 展开更多

关键词 膺配高电子迁移率晶体管 欧姆接触 退火 砷化镓

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AlN插入层与AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的关系 被引量：2

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作者 李诚瞻 刘键 +3 位作者 刘新宇 薛丽君 陈晓娟 和致经 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1055-1058,共4页

比较有无AlN插入层AlGaN/GaNHEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入层的AlGaN/GaNHEMTs有更显著的电流崩塌程度,表明AlN插入层对电流崩塌效应有显著的抑制作用.模拟的AlGaN/Ga... 比较有无AlN插入层AlGaN/GaNHEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入层的AlGaN/GaNHEMTs有更显著的电流崩塌程度,表明AlN插入层对电流崩塌效应有显著的抑制作用.模拟的AlGaN/GaN能带结构表明,AlN插入层能显著提高AlGaN导带底能级,增加异质结的带隙差.带隙差的增加有利于减小电子遂穿几率,加强沟道二维电子气的量子限制,从而抑制电流崩塌效应. 展开更多

关键词 AlN插入层 HEMTS 电流崩塌效应 热电子

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