为了实现1 200 V混合SiC功率模块的低感封装,文章介绍通过芯片优选和芯片优化布局设计、采用低感母排取代键合铝线的跨接等措施,将功率模块的寄生电感减小到16 n H,有效降低了模块的峰值电流和振荡时长,缓解了混合SiC功率模块的电流振...为了实现1 200 V混合SiC功率模块的低感封装,文章介绍通过芯片优选和芯片优化布局设计、采用低感母排取代键合铝线的跨接等措施,将功率模块的寄生电感减小到16 n H,有效降低了模块的峰值电流和振荡时长,缓解了混合SiC功率模块的电流振荡并降低了模块的开通损耗。将该低感封装设计的模块应用于30 k W光伏逆变器中,光伏逆变器的转化效率可提高至97.95%。展开更多
文摘为了实现1 200 V混合SiC功率模块的低感封装,文章介绍通过芯片优选和芯片优化布局设计、采用低感母排取代键合铝线的跨接等措施,将功率模块的寄生电感减小到16 n H,有效降低了模块的峰值电流和振荡时长,缓解了混合SiC功率模块的电流振荡并降低了模块的开通损耗。将该低感封装设计的模块应用于30 k W光伏逆变器中,光伏逆变器的转化效率可提高至97.95%。
