期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
基于GaN器件的单相逆变器TCM控制策略研究
1
作者 陈钰 宝鼎 《电器与能效管理技术》 2024年第2期39-43,共5页
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管具有开关速度快、器件损耗小的优点,在高频应用场合得到广泛应用。为了进一步提高变换器效率和功率密度,将三角电流模式(TCM)调制用于基于GaN器件的单相逆变器中,通过控制负向电流与死区时间实现了全范围... 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管具有开关速度快、器件损耗小的优点,在高频应用场合得到广泛应用。为了进一步提高变换器效率和功率密度,将三角电流模式(TCM)调制用于基于GaN器件的单相逆变器中,通过控制负向电流与死区时间实现了全范围零电压开关(ZVS),达到提高变换器效率和功率密度的目的。搭建了1台样机进行验证,实验结果表明,TCM调制在不同负载条件下均可实现软开关,最大开关频率可达300 kHz,峰值效率可达98.5%。 展开更多
关键词 氮化镓 高电子迁移率晶体管 单相逆变器 三角电流模式 零电压开关
下载PDF
高稳定性无线电能传输耦合机构设计与优化 被引量:1
2
作者 史振宇 王占 +1 位作者 宝鼎 张筱琛 《船电技术》 2023年第4期31-34,共4页
针对耦合机构偏移会导致参数变化的问题,设计了一种三线圈结构的耦合线圈。通过在接收线圈内部增加反接线圈提高了耦合机构整体的抗偏移性能,并对耦合机构的封装外壳进行结构和热设计,保障耦合机构在11 kW的高功率等级下仍能安全稳定工作。
关键词 无线电能传输 耦合机构 三线圈 封装设计
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部