期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到9篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
图形化蓝宝石衬底GaN基LED的研究进展 被引量：9
1
作者 周仕忠 林志霆 +1 位作者 王海燕 李国强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期417-424,共8页
蓝宝石衬底作为发光二极管最常用的衬底,经过不断发展,在克服其与GaN间晶格失配和热膨胀失配问题上,研究人员不断提出解决方案。近期发展起来的图形化衬底技术,除了能减少生长在蓝宝石衬底上GaN之间的差排缺陷,提高磊晶质量以解决失配问... 蓝宝石衬底作为发光二极管最常用的衬底,经过不断发展,在克服其与GaN间晶格失配和热膨胀失配问题上,研究人员不断提出解决方案。近期发展起来的图形化衬底技术,除了能减少生长在蓝宝石衬底上GaN之间的差排缺陷,提高磊晶质量以解决失配问题,更能提高LED的出光效率。从衬底图形的形状、尺寸、制备工艺出发,回顾了图形化蓝宝石衬底GaN基LED的研究进展,详细介绍了近年来关于图形化衬底技术与其他技术在提高LED性能方面的结合,总结了图形化蓝宝石衬底应用于大尺寸芯片的优势,并对其未来在大功率照明市场的应用进行了展望。 展开更多
关键词 蓝宝石 图形化衬底 发光二极管(LED) GAN 制备工艺
下载PDF
哑铃型钢管混凝土拱肋压注混凝土施工研究 被引量：1
2
作者 王鹏 叶见曙 +2 位作者 周仕忠 王成树 吴文清 《公路交通科技》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期66-70,共5页
哑铃型截面钢管混凝土拱肋在压注混凝土施工的过程中,存在钢腹板的局部应力超过钢材屈服应力甚至会拉裂破坏的问题。应用空间有限元程序就此进行分析,分析中考虑钢材的弹塑性性能,对同类型拱桥的设计与施工具有借鉴意义。
关键词 钢管混凝土 拱桥 拱肋 哑铃型截面 压注混凝土
下载PDF
“统计学导论课程设计”教学改革探索 被引量：2
3
作者 景湘李 曾诚 周仕忠 《科技视界》 2022年第3期92-94,共3页
统计学导论课程设计是贵州理工学院应用统计学专业与统计学导论课程相匹配的综合实践类课程。根据应用统计学专业注重培养学生统计知识应用能力和实际问题实践能力的人才培养要求,结合成果导向教育理念,从课程设计的能力达成、设计内容... 统计学导论课程设计是贵州理工学院应用统计学专业与统计学导论课程相匹配的综合实践类课程。根据应用统计学专业注重培养学生统计知识应用能力和实际问题实践能力的人才培养要求,结合成果导向教育理念,从课程设计的能力达成、设计内容分类、设计教学分组和阶段性考核细则等方面,探索统计学导论课程设计教学改革。 展开更多
关键词 OBE教学理念 统计学导论课程设计 教学改革
下载PDF
六棱锥衬底旋转角影响LED效率的模拟探究 被引量：1
4
作者 何攀贵 王海燕 +3 位作者 乔田 周仕忠 林志霆 李国强 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期374-378,共5页
以正六棱锥型图形化蓝宝石衬底GaN基LED为研究对象,设计并探讨了正六棱锥图案在排布过程中旋转角的变化对LED出光效率的影响,得出各面光通量随旋转角变化的规律:在0°～30°范围,随着旋转角的增大,总光通量与顶部光通量有下降趋... 以正六棱锥型图形化蓝宝石衬底GaN基LED为研究对象,设计并探讨了正六棱锥图案在排布过程中旋转角的变化对LED出光效率的影响,得出各面光通量随旋转角变化的规律:在0°～30°范围,随着旋转角的增大,总光通量与顶部光通量有下降趋势,底部光通量有增长趋势。当六棱锥旋转角在0°～6°范围内时,LED芯片的总光通量和顶部光通量均有最优值。综合考虑,旋转角为0°～6°的六棱锥型图形衬底对正装LED的出光效率有最佳的优化效果。 展开更多
关键词 LED 图形化衬底 六棱锥 模拟 旋转角
下载PDF
脉冲激光沉积GaN薄膜的研究进展
5
作者 刘作莲 王文樑 +4 位作者 杨为家 林云昊 钱慧荣 周仕忠 李国强 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期567-571,620,共6页
脉冲激光沉积(PLD)技术凭借其低温生长优势,逐步在GaN薄膜外延领域得到广泛应用。回顾了近年来PLD技术外延生长GaN薄膜的研究进展,包括新型衬底上的GaN薄膜外延研究进展,以及作为克服异质外延的重要手段——缓冲层技术的发展现状。从目... 脉冲激光沉积(PLD)技术凭借其低温生长优势,逐步在GaN薄膜外延领域得到广泛应用。回顾了近年来PLD技术外延生长GaN薄膜的研究进展,包括新型衬底上的GaN薄膜外延研究进展,以及作为克服异质外延的重要手段——缓冲层技术的发展现状。从目前的研究进展可以看出,应用PLD技术制备GaN薄膜及其光电器件具有广阔的发展前景。 展开更多
关键词 GAN薄膜 脉冲激光沉积 外延生长
下载PDF
SiN_x插入层对Si衬底上生长GaN薄膜晶体质量和表面形貌的影响
6
作者 钱慧荣 周仕忠 +6 位作者 刘作莲 杨为家 王海燕 林志霆 林云昊 王文樑 李国强 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第2期216-219,225,共5页
在Si(111)衬底上采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术外延生长GaN薄膜,对外延生长所得GaN薄膜的晶体结构和表面形貌进行表征,并研究SiNx插入层对GaN薄膜的晶体质量和表面形貌的影响。结果表明,在Si衬底上生长GaN薄膜过程中引入S... 在Si(111)衬底上采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术外延生长GaN薄膜,对外延生长所得GaN薄膜的晶体结构和表面形貌进行表征,并研究SiNx插入层对GaN薄膜的晶体质量和表面形貌的影响。结果表明,在Si衬底上生长GaN薄膜过程中引入SiNx插入层可使GaN薄膜的(10-12)面的X-射线回摆曲线的半峰宽(FWHM)值从974.01减小到602.01arcsec;表面凹坑等缺陷减少、表面平整度提高。可见,SiNx插入层对在Si衬底上外延生长GaN薄膜的晶体质量和表面形貌有着重要的影响。 展开更多
关键词 SI衬底 GAN薄膜 SiNx插入层 MOCVD
下载PDF
InGaN绿光LED中p型GaN层的优化设计
7
作者 郝锐 马学进 +2 位作者 马昆旺 周仕忠 李国强 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期20-24,共5页
InGaN绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得该结构的稳定性下降。由于量子阱结构生长完成之后的p型GaN的生长温度要远高于量子阱结构生长温度,因此,p型GaN的生长过程对多量子阱质量有重大影响。论文... InGaN绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得该结构的稳定性下降。由于量子阱结构生长完成之后的p型GaN的生长温度要远高于量子阱结构生长温度,因此,p型GaN的生长过程对多量子阱质量有重大影响。论文探讨了p型GaN的生长温度与厚度对绿光LED的材料结构及器件性能的影响。研究发现,p-GaN过高的生长温度和过大的厚度都能加剧多量子阱结构中In组分的波动,使得发光峰宽化,同时降低绿光量子阱的发光效率。论文据此提出了优化的p型GaN生长温度与厚度,探讨了量子阱保护层对InGaN绿光LED性能的影响,该结构有利于增强绿光LED发光波长的稳定性。 展开更多
关键词 INGAN 绿光LED P型GAN 外延生长 X射线衍射
下载PDF
彼得三次得鱼之后
8
作者 周仕忠 《天风》 2010年第8期7-8,共2页
在我们人生的每一个经历背后,每每都有神要向我们所说的话,彼得经历了三次"得鱼",他又得到了什么启示呢?
关键词 彼得 鱼 经历
下载PDF
SLE_κ(κ>4)的Cardy公式
9
作者 周仕忠 蓝师义 《应用概率统计》 CSCD 北大核心 2014年第1期23-30,共8页
Cardy给出临界渝流族横穿一个长方形而不碰到长方形的上边和下边的概率估计公式;Lawler,Schramm和Werner给出了参数κ=6的通弦随机Loewner演变(SLE6)穿过长方形的类似的概率估计公式.在本文,我们将后者的结果推广到κ>4的情形.
关键词 SLEk Cardy公式 临界渝流族
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部