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Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs异质结构二维电子气晶体管(TEGFET)
1
作者 吴鼎芬 杨悦非 +2 位作者 季良赳 忻尚衡 史常忻 《固体电子学研究与进展》 CAS 1987年第2期176-182,共7页
制备了耗尽型和增强型TEGFET,耗尽TEGFE单栅长1μm,其室温跨导g_m=90mS/mm;双栅栅长均为2μm。g_m=75mS/mm。双栅的结果优于本实验室相同结构与尺寸的离子注入型常规双栅MESFET与高掺杂沟道MIS结构肖特基势垒FET的实验结果。双栅耗尽型... 制备了耗尽型和增强型TEGFET,耗尽TEGFE单栅长1μm,其室温跨导g_m=90mS/mm;双栅栅长均为2μm。g_m=75mS/mm。双栅的结果优于本实验室相同结构与尺寸的离子注入型常规双栅MESFET与高掺杂沟道MIS结构肖特基势垒FET的实验结果。双栅耗尽型器件在77K下跨导增加到1.7倍。双栅增强型的TEGFET在室温0.6V栅偏压下,g_m=63mS/mm,在77K下增加到1.4倍。如器件中出现平行电导时,则器件性能退化,它不但使跨导降低,且随栅编压变化很大。文中讨论了这一现象。 展开更多
关键词 双栅 增强型 电子气 MESFET TEGFET GA x)Al_xAs/GaAs 晶体管 半导体三极管 夹断电压 异质结构 二维
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陷城日记
2
作者 吴鼎芬 《闽都文化》 2015年第5期87-96,共10页
抗日战争时期,福州于1941年4月21日第一次沦陷,同年9月3日光复。吴鼎芬先生在此期间写下的日记(1941.4-1941.9),真实地再现了日寇在福州城内的暴行,以及沦陷期间民众的艰难生活,是不可多得的珍贵历史资料。因篇幅关系,本刊刊登时有删节... 抗日战争时期,福州于1941年4月21日第一次沦陷,同年9月3日光复。吴鼎芬先生在此期间写下的日记(1941.4-1941.9),真实地再现了日寇在福州城内的暴行,以及沦陷期间民众的艰难生活,是不可多得的珍贵历史资料。因篇幅关系,本刊刊登时有删节。吴鼎芬先生于1956年去世。 展开更多
关键词 福州城 抗日战争时期 历史资料 南台 数日 福聚 出口船舶 贴布 谋天下 长乐乡
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