阳极弧等离子体制备镍纳米粉 被引量：26

1

作者 魏智强 温贤伦 +4 位作者 王君 吴志国 徐建伟 吴现成 闫鹏勋 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期1136-1140,共5页

采用自行研制的实验装置 ,用阳极弧放电等离子体方法制备了高纯镍纳米粉末。利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜 (TEM)和相应选区电子衍射 (ED)、BET吸附等对样品的成分、形貌、晶体结构、晶格常数、粒度及其分布、比表面积进行了分析... 采用自行研制的实验装置 ,用阳极弧放电等离子体方法制备了高纯镍纳米粉末。利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜 (TEM)和相应选区电子衍射 (ED)、BET吸附等对样品的成分、形貌、晶体结构、晶格常数、粒度及其分布、比表面积进行了分析。建立了关于金属超微粒产生过程的近似模型 ,分析了纳米粉的形成和生长机制 ,并对整个工艺过程影响纳米粉性能的各种工艺参数进行了理论探讨。结果表明 :所制得的镍纳米粉纯度高 ,晶格结构与相应的致密体相同 ,为fcc相结构 ,平均粒径为 4 7nm ,粒径范围在 2 0～ 70nm ,比表面积为14 .2 3m2 / g ,呈规则的球形链状分布 ,并发现纳米晶体的晶格常数发生膨胀。 展开更多

关键词 阳极弧等离子体 纳米粉 晶格膨胀 生长机制 镍粉 纳米材料

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氮化碳薄膜的结构与特性 被引量：18

2

作者 陈光华 吴现成 贺德衍 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期377-380,共4页

采用射频等离子体增强化学气相沉积（ＣＶＤ）＋负偏压热丝辅助方法直接在Ｓｉ（１００）衬底上制备了多晶Ｃ３Ｎ４薄膜．Ｘ射线衍射测试表明，薄膜同时含有α－和βＣ３Ｎ４晶相以及未知结构，没有观测到石墨衍射峰．利用扫描电子显微... 采用射频等离子体增强化学气相沉积（ＣＶＤ）＋负偏压热丝辅助方法直接在Ｓｉ（１００）衬底上制备了多晶Ｃ３Ｎ４薄膜．Ｘ射线衍射测试表明，薄膜同时含有α－和βＣ３Ｎ４晶相以及未知结构，没有观测到石墨衍射峰．利用扫描电子显微镜观测到线度约２μｍ、横截面为六边形的β－Ｃ３Ｎ４晶粒．纳米压痕法测得薄膜的硬度达７２．６６ ＧＰａ． 展开更多

关键词 化学气相沉积 氮化碳 薄膜 扫描电镜 硬度 结构 制备

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工艺参数对阳极弧放电等离子体制备镍纳米粉的影响 被引量：13

3

作者 魏智强 温贤伦 +4 位作者 王君 吴志国 徐建伟 吴现成 闫鹏勋 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期305-308,共4页

在Ar惰性保护气氛中,采用阳极弧放电等离子方法用自行研制的装置制备出了高纯Ni纳米粉末。研究了在制备过程中电弧电流、气体压力等工艺参数对纳米粉产率及粒度的影响。利用XRD、TEM对制得的样品的形貌、晶体结构、粒度及其分布进行测... 在Ar惰性保护气氛中,采用阳极弧放电等离子方法用自行研制的装置制备出了高纯Ni纳米粉末。研究了在制备过程中电弧电流、气体压力等工艺参数对纳米粉产率及粒度的影响。利用XRD、TEM对制得的样品的形貌、晶体结构、粒度及其分布进行测定。结果表明,适当控制某些工艺参数就能制取粒径范围在20 nm^100 nm的纳米粉,在其它工艺参数不变条件下,气压升高或电弧电流增大,都会使粒度增大,产率提高。 展开更多

关键词 阳极弧放电等离子体 镍纳米粉 制备 粒度 工艺参数 电弧电流 气体压力

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光学课程教学改革初探 被引量：14

4

作者 吴现成 《高等理科教育》 CSSCI 2001年第4期35-38,共4页

在光学课程教学中,适当压缩几何光学部分,删除原课程中与其他学科相重复的部分以及相对陈旧的内容,吸收利用最新教学研究成果,着重加强现代光学部分的讲授内容,并注意介绍光学研究前沿新动态,受到学生们的欢迎.针对教材与教法的改革做... 在光学课程教学中,适当压缩几何光学部分,删除原课程中与其他学科相重复的部分以及相对陈旧的内容,吸收利用最新教学研究成果,着重加强现代光学部分的讲授内容,并注意介绍光学研究前沿新动态,受到学生们的欢迎.针对教材与教法的改革做了调查,为深化改革取得了第一手参考资料. 展开更多

关键词 光学 教学改革 调查结果

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直流电弧等离子体法制备镍纳米粉 被引量：7

5

作者 魏智强 温贤伦 +1 位作者 吴现成 闫鹏勋 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期38-40,共3页

运用直流电弧等离子体法制得镍纳米粉 ,并利用 X射线衍射 ( XRD)、透射电子显微镜 ( TEM)和相应选区电子衍射 ( ED)、BET吸附等测试手段对样品的化学成分、形貌、晶体结构、晶格常数、粒度及其分布、比表面积进行性能表征 .结果表明 :... 运用直流电弧等离子体法制得镍纳米粉 ,并利用 X射线衍射 ( XRD)、透射电子显微镜 ( TEM)和相应选区电子衍射 ( ED)、BET吸附等测试手段对样品的化学成分、形貌、晶体结构、晶格常数、粒度及其分布、比表面积进行性能表征 .结果表明 :本法所制得的镍纳米粉的晶格结构与相应的块物质相同 ,为 fcc相结构 .平均粒径 47nm,粒径 2 0～ 70 nm,比表面积 1 4.2 3 m2 /g,呈规则的球形链状分布 ,并发现纳米晶体的晶格常数发生膨胀 . 展开更多

关键词 电弧等离子体 镍纳米粉 粒度 晶格常数膨胀 比表面积

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“以学生为中心”的教学理念在高校实验教学中的应用 被引量：8

6

作者 杨坤杰 刘悦林 +1 位作者 刘燕 吴现成 《实验室科学》 2022年第1期237-240,共4页

实验教学是高校理工科专业实践教学的重要环节。在传统实验教学经验基础上,高校实验教学中深入实践“以学生为中心”的教学理念,从教学方法、指导手段和考核方式等方面进行深入探讨,并将“以学生为中心”的教与学在实验教学中的应用归纳... 实验教学是高校理工科专业实践教学的重要环节。在传统实验教学经验基础上,高校实验教学中深入实践“以学生为中心”的教学理念,从教学方法、指导手段和考核方式等方面进行深入探讨,并将“以学生为中心”的教与学在实验教学中的应用归纳为:以学生需求为中心的实验内容优化、以学生学习为中心的实验逻辑、以学生学习效果为中心的实验进行以及体现教师指导作用的实验要求及考核方式,以期为高校实践教学改革方面提供参考。 展开更多

关键词 以学生为中心 实验教学 教学方法

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高k栅介质的研究进展 被引量：4

7

作者 卢振伟 吴现成 +4 位作者 徐大印 赵丽丽 张道明 王文海 甄聪棉 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 EI 2008年第3期234-238,共5页

随着集成电路的飞速发展,半导体器件特征尺寸按摩尔定律不断缩小。SiO_2栅介质将无法满足Metaloxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)器件高集成度的需求。因此,应用于新一代MOSFET的高介电常数(k)栅介质材料成为微电子... 随着集成电路的飞速发展,半导体器件特征尺寸按摩尔定律不断缩小。SiO_2栅介质将无法满足Metaloxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)器件高集成度的需求。因此,应用于新一代MOSFET的高介电常数(k)栅介质材料成为微电子材料研究热点。介绍了不断变薄的SiO_2栅介质层带来的问题、对MOSFET栅介质材料的要求、制备高k薄膜的主要方法,总结了高k材料的研究现状及有待解决的问题。 展开更多

关键词 微电子材料 栅介质 等效SiO2 厚度 薄膜

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氮化碳(C_3N_4)的研究进展 被引量：1

8

作者 吴现成 刘国汉 陈光华 《甘肃科学学报》 1999年第3期9-12,共4页

概述了新型超硬材料——氮化碳（ Ｃ３ Ｎ４ ）的晶体结构、实验室人工合成方法、实验测试手段和结果。从而进一步探讨研究了 Ｃ３ Ｎ４

关键词 氮化碳 超硬材料 薄膜 研究进展

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磁场作用下氧化铝模板孔洞平行于衬底生长的方法 被引量：3

9

作者 徐大印 何志巍 +1 位作者 王春苗 吴现成 《烟台大学学报（自然科学与工程版）》 CAS 2012年第1期19-21,共3页

通过对阳极氧化法制备氧化铝模板的原理和过程分析,提出了在阳极氧化过程中引入一定强度和方向的磁场,用以控制氧化铝模板生长过程中铝箔内部电流流向,进而实现氧化铝模板孔洞平行衬底生长的一种新方法.从而克服了传统的"一次阳极... 通过对阳极氧化法制备氧化铝模板的原理和过程分析,提出了在阳极氧化过程中引入一定强度和方向的磁场,用以控制氧化铝模板生长过程中铝箔内部电流流向,进而实现氧化铝模板孔洞平行衬底生长的一种新方法.从而克服了传统的"一次阳极氧化"或"二次阳极氧化"方法制备的氧化铝模板只能实现氧化铝模板孔洞阵列垂直于衬底生长,限制了其在许多重要领域中的应用这一问题.在原理上探讨了用磁场控制实现氧化铝模板孔洞阵列平行于衬底生长的可行性.并设计了相应的实验装置. 展开更多

关键词 氧化铝模板 阳极氧化 磁场控制

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多孔硅的研究及其应用 被引量：3

10

作者 赵丽丽 吴现成 +2 位作者 徐大印 王文海 张道明 《科技创新导报》 2010年第2期165-166,共2页

多孔硅是一种新型的纳米半导体光电材料,室温下具有优异的光电特性,易与现有硅技术兼容,极有可能实现硅基光电器件等多个领域的应用。本文简明的论述了多孔硅的光电特性之后,又简单介绍了多孔硅在生物科学、照明材料及太阳能电池等多个... 多孔硅是一种新型的纳米半导体光电材料,室温下具有优异的光电特性,易与现有硅技术兼容,极有可能实现硅基光电器件等多个领域的应用。本文简明的论述了多孔硅的光电特性之后,又简单介绍了多孔硅在生物科学、照明材料及太阳能电池等多个领域内的应用进展情况,并对其发展前景作了展望。 展开更多

关键词 多孔硅 光学特性 电学特性 多孔硅应用 照明材料 太阳能电池 生物医学

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反应溅射a-SiC_xN_y∶H薄膜特性 被引量：2

11

作者 吴现成 王印月 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期134-139,共6页

利用射频反应溅射技术在室温下制备了氢化非晶硅碳氮薄膜（ａＳｉＣｘＮｙ∶Ｈ），通过红外透射谱（ＩＲ），光吸收谱［α（λ）］，电子自旋共振谱（ＥＳＲ）和电导率（σ）等测试手段，研究了薄膜的结构和光电特性．在固定甲烷流量... 利用射频反应溅射技术在室温下制备了氢化非晶硅碳氮薄膜（ａＳｉＣｘＮｙ∶Ｈ），通过红外透射谱（ＩＲ），光吸收谱［α（λ）］，电子自旋共振谱（ＥＳＲ）和电导率（σ）等测试手段，研究了薄膜的结构和光电特性．在固定甲烷流量γＣＨ４＝３％，氢气流量γＨ２＝１２％的情况下，改变氮气流量γＮ２＝（０—１４）％，综合研究了暗电导率σｄ、光学带隙Ｅｏｐｔ、自旋密度ＮＳ等随γＮ２的变化关系，发现由于碳、氮元素同时存在，薄膜结构和特性明显地受γＮ２的调制，当γＮ２～５％时，薄膜结构和特性均有突变．对上述结果进行了较深入的讨论． 展开更多

关键词 氢化非晶硅基 薄膜特性 反应溅射 碳氮薄膜

原文传递

光在多层不匹配介质中的稳态传输 被引量：2

12

作者 王喜昌 范文强 吴现成 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期656-661,共6页

分析了光在多层不匹配折射率介质中的漫射方程,给出了精确的漫射方程解。用蒙特卡罗方法检验了稳态的漫射方程。通过与多层介质的空间分辨漫反射蒙特卡罗方法的比较,验证了方法的正确性。讨论了有限尺寸光源和折射率的变化对空间分辨漫... 分析了光在多层不匹配折射率介质中的漫射方程,给出了精确的漫射方程解。用蒙特卡罗方法检验了稳态的漫射方程。通过与多层介质的空间分辨漫反射蒙特卡罗方法的比较,验证了方法的正确性。讨论了有限尺寸光源和折射率的变化对空间分辨漫反射的影响。实验结果表明,折射率的变化对漫射的影响会因折射率的不同而不同,折射率在1.35-1.45之间变化时,最大误差为7%. 展开更多

关键词 组织光学 光传输 漫射方程 吸收和散射

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阳极弧放电等离子体制备镍纳米粉末 被引量：1

13

作者 魏智强 乔宏霞 +2 位作者 温贤伦 吴现成 闫鹏勋 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2004年第1期39-41,共3页

根据阳极弧放电等离子体方法制备金属纳米粉末的基本物理原理,运用自行研制的实验装置制备得到镍纳米粉,并利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和相应选区电子衍射(ED)等测试手段对制得的样品的化学成分、形貌、晶体结构、粒度及... 根据阳极弧放电等离子体方法制备金属纳米粉末的基本物理原理,运用自行研制的实验装置制备得到镍纳米粉,并利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和相应选区电子衍射(ED)等测试手段对制得的样品的化学成分、形貌、晶体结构、粒度及其分布进行性能表征.结果表明所制得的镍纳米粉的晶格结构与相应的块物质相同,为fcc相结构.平均粒径为47nm,粒径范围在20～70nm,纯度高. 展开更多

关键词 阳极弧放电 等离子体 镍纳米粉末 形貌 粒度 晶格结构

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多铁材料中的耦合效应和单相BiFeO_3的研究状况 被引量：1

14

作者 张道明 吴现成 +2 位作者 徐大印 赵丽丽 王文海 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 EI 2010年第1期296-298,共3页

多铁材料同时自发地具有铁电性、铁磁性或铁弹性,这些性质在一定条件下相互耦合,极大地改变了多铁材料的性能。人们又发现BiFeO_3的居里温度T_c=820K和奈尔温度T_N=643K远在室温之上,在同一相中同时具有铁电有序和反铁磁有序,这样可以... 多铁材料同时自发地具有铁电性、铁磁性或铁弹性,这些性质在一定条件下相互耦合,极大地改变了多铁材料的性能。人们又发现BiFeO_3的居里温度T_c=820K和奈尔温度T_N=643K远在室温之上,在同一相中同时具有铁电有序和反铁磁有序,这样可以用外加电场控制反铁磁畴提高磁性或者用外加磁场控制铁电畴,提高极化强度,所以该材料已成为一个研究热点。主要介绍了单相BiFeO_3薄膜的结构和物理性质,同时介绍了多种提高单相BiFeO_3薄膜磁化强度、铁电性和压电性的方法。 展开更多

关键词 磁电耦合 铁电性 磁化强度 压电性

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沉积在氧化铝模板上的纳米SiC的结构和发光性质研究 被引量：1

15

作者 徐大印 杨咏东 +2 位作者 何志巍 李剑平 吴现成 《烟台大学学报（自然科学与工程版）》 CAS 2013年第2期97-100,共4页

用二次阳极氧化法制备了高质量的氧化铝模板,用磁控溅射法在氧化铝模板上溅射生长了非晶SiC材料.原子力显微镜结果显示,在不同的溅射气压下(0.5～1.5Pa),能够形成层状、点状和棒状的SiC纳米结构.光致发光谱显示,在550～700nm之间有一个... 用二次阳极氧化法制备了高质量的氧化铝模板,用磁控溅射法在氧化铝模板上溅射生长了非晶SiC材料.原子力显微镜结果显示,在不同的溅射气压下(0.5～1.5Pa),能够形成层状、点状和棒状的SiC纳米结构.光致发光谱显示,在550～700nm之间有一个很强的发光峰,随着生长条件的改变,这个发光峰的强度有显著的变化.分析了纳米结构的形成、发光峰的变化与制备条件的关系. 展开更多

关键词 磁控溅射 氧化铝模板 SIC 光致发光

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热丝辅助射频CVDC_3N_4薄膜(英文) 被引量：1

16

作者 吴现成 贺德衍 +2 位作者 王博 严辉 陈光华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期275-279,共5页

采用热丝辅助射频等离子体增强化学气相沉积 (CVD)方法直接在Si(10 0 )衬底上制备了多晶C3N4 薄膜。X射线衍射 (XRD)测试表明薄膜同时含有α C3N4 和 β C3N4 晶相以及未知结构。傅立叶变换红外吸收谱 (FTIR)表明薄膜内的C—N ,CN和CN... 采用热丝辅助射频等离子体增强化学气相沉积 (CVD)方法直接在Si(10 0 )衬底上制备了多晶C3N4 薄膜。X射线衍射 (XRD)测试表明薄膜同时含有α C3N4 和 β C3N4 晶相以及未知结构。傅立叶变换红外吸收谱 (FTIR)表明薄膜内的C—N ,CN和CN键的吸收峰分别位于 12 37,16 2 5和2 191cm- 1。利用扫描电子显微镜 (SEM)观测到线度约为 2 μm、横截面为六边形的 β C3N4 晶粒。纳米压痕法测得薄膜的硬度最高可达 72 .6 6GPa。 展开更多

关键词 X射线衍射 硬度 CVD 氮化碳薄膜 热丝辅助射频

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石墨电极制备多孔硅的蓝光发射研究 被引量：1

17

作者 吴现成 闫大为 +1 位作者 徐大印 甄聪棉 《烟台大学学报（自然科学与工程版）》 CAS 2008年第2期91-93,共3页

采用自制的双电解槽、高纯石墨电极,在一定浓度的氢氟酸乙醇溶液中阳极氧化腐蚀硅片制备一定孔隙度的多孔硅.利用荧光分析仪(激发波长250 nm)分析了样品的光学特性,在470 nm处观测到明显的蓝光发射峰.改变阳极腐蚀电流密度和腐蚀时间,... 采用自制的双电解槽、高纯石墨电极,在一定浓度的氢氟酸乙醇溶液中阳极氧化腐蚀硅片制备一定孔隙度的多孔硅.利用荧光分析仪(激发波长250 nm)分析了样品的光学特性,在470 nm处观测到明显的蓝光发射峰.改变阳极腐蚀电流密度和腐蚀时间,研究腐蚀参数对光学特性的影响,结果表明:改变阳极电流密度和腐蚀时间不能引起470 nm处峰位的蓝移或者红移;随着电流密度的增强,波长470 nm峰值和半宽积分值先增大后减小;延长腐蚀时间,峰值和半宽积分值不断变大.同时,对实验现象进行了初步的理论解释. 展开更多

关键词 多孔硅 石墨电极 光致发光

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掺杂a-Si∶H薄膜的非平衡热缺陷研究

18

作者 王印月 许怀哲 +1 位作者 吴现成 陈光华 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期43-46,共4页

通过直流暗电导率温度依赖关糸σ(T)和光吸收谱的测量,研究了退火降温速率对掺杂a—Si∶H薄膜中热缺陷的影响.

关键词 掺杂 氢化非晶硅 热缺陷 冷却速率

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碳富勒烯水溶性复合物固体材料的制备

19

作者 吴现成 《科技创新导报》 2017年第11期124-125,共2页

该文使用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)与C_(60)组成电荷转移复合物,不但制备出了C_(60)水溶液,而且还成功地制备出了C_(60)水溶性固体材料,采用UV-VIS光谱、红外光谱对水溶液和其固体特性分别做了初步研究和表征。实验表明C_(60)在PVP的水溶液... 该文使用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)与C_(60)组成电荷转移复合物,不但制备出了C_(60)水溶液,而且还成功地制备出了C_(60)水溶性固体材料,采用UV-VIS光谱、红外光谱对水溶液和其固体特性分别做了初步研究和表征。实验表明C_(60)在PVP的水溶液中最大浓度约为400μg/mL,把C_(60)-PVP水溶性复合物制备成固体,将给复合物的深入研究、保存、运输和应用等创造许多有利条件。 展开更多

关键词 C60 富勒烯 水溶性 复合物 固体

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射频反应溅射非晶硅基薄膜的红外谱

20

作者 王印月 吴现成 +1 位作者 王辉耀 陈光华 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期55-59,共5页

本文研究了用射频反应溅射法制备的非晶硅基系列薄膜（ａ－Ｓｉ：Ｈ，ａ－ＳｉＣ_ｘ：Ｈ，ａ－ＳｉＮ_ｘ：Ｈ和ａ－Ｓｉｃ_ｘＮ_ｙ：Ｈ）的红外吸收谱，对其中的主要吸收区进行了分析和讨论。

关键词 反应溅射 薄膜 红外吸收 非晶硅基 红外光谱

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