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铁磁/半导体(绝缘体)/铁磁异质结中渡越时间与两铁磁层磁矩夹角变化的关系
1
作者 吕厚祥 石德政 谢征微 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第20期512-518,共7页
在群速度概念的基础上,研究了自旋极化电子隧穿通过铁磁体/半导体(绝缘体)/铁磁体异质结时,渡越时间随两端铁磁层中磁矩夹角变化的关系.研究结果表明:当中间层为半导体层时,由于半导体层中的Rashba自旋轨道耦合强度的影响,自旋向上电子... 在群速度概念的基础上,研究了自旋极化电子隧穿通过铁磁体/半导体(绝缘体)/铁磁体异质结时,渡越时间随两端铁磁层中磁矩夹角变化的关系.研究结果表明:当中间层为半导体层时,由于半导体层中的Rashba自旋轨道耦合强度的影响,自旋向上电子和自旋向下电子的渡越时间差会在两铁磁层相对磁矩夹角为π/2和3π/2附近出现一个极小值.当中间层为绝缘体层时,势垒高度的变化会导致不同取向的自旋极化电子渡越时间差的变化,并当势垒高度超过一临界值时发生翻转. 展开更多
关键词 铁磁体 半导体(绝缘体) 铁磁体异质结 Rashba自旋轨道耦合强度 渡越时间 磁矩
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Cr光栅掩模对金属平板超透镜成像质量的影响
2
作者 王诗琴 宫云志 +6 位作者 吕厚祥 刘贤超 郑杰 张涛 谢征微 陈卫东 李玲 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2015年第2期259-263,共5页
利用有限元法并结合射频磁控溅射法制备不同厚度Cr膜的透光率的研究,模拟了金属平板超透镜近场成像特性.研究了作为"物"的Cr光栅掩模厚度、占空比对超透镜成像质量的影响.研究结果表明:成像系统的对比度随光栅掩模厚度的增加... 利用有限元法并结合射频磁控溅射法制备不同厚度Cr膜的透光率的研究,模拟了金属平板超透镜近场成像特性.研究了作为"物"的Cr光栅掩模厚度、占空比对超透镜成像质量的影响.研究结果表明:成像系统的对比度随光栅掩模厚度的增加而增大,当厚度大于50 nm,达到一个稳定值;在相同掩模厚度下,成像系统的像平面随着光栅线宽W的增加而变远;在相同厚度变化范围内,W越大,对比度的变化范围(△C)和像平面位置的变化范围(△y)也都越大,但前者变化更大.研究表明:Cr光栅掩模的厚度、占空比对成像质量有明显的影响. 展开更多
关键词 金属平板超透镜 光栅掩模 成像质量
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一种大面积二维石英纳米结构制备的工艺研究
3
作者 郑杰 李玲 +3 位作者 吕厚祥 王诗琴 宫云志 刘贤超 《中国测试》 北大核心 2015年第S1期1-5,共5页
介绍一种采用紫外(363.8nm)激光干涉光刻得到大面积二维纳米点阵结构的方法,该技术具有操作简单、光路搭建成本低、可以大面积加工微纳图形结构等优点;并利用等离子体刻蚀传递,获得周期为200nm的二维石英纳米点阵结构。通过光刻工艺与... 介绍一种采用紫外(363.8nm)激光干涉光刻得到大面积二维纳米点阵结构的方法,该技术具有操作简单、光路搭建成本低、可以大面积加工微纳图形结构等优点;并利用等离子体刻蚀传递,获得周期为200nm的二维石英纳米点阵结构。通过光刻工艺与反应离子束刻蚀工艺的优化,得到加工二维石英点阵的最优制备工艺。利用扫描电子显微镜(SEM)与原子力显微镜(AFM)对制备二维纳米图形结构进行表征与分析,并利用紫外可见光分光光度计对制备的二维点阵结构图形进行紫外透过率测试,发现加工的二维结构在365nm处的透过率仍大于90%,符合紫外固化纳米印掩模板对紫外光高透过率的要求。 展开更多
关键词 激光干涉光刻 等离子体刻蚀 纳米结构 紫外可见光分光光度计 紫外透过率
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准一维磁性隧道结中的散粒噪声 被引量：1
4
作者 吕厚祥 谢征微 《中国科学：物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2018年第5期76-83,共8页
基于自由电子近似,研究了铁磁金属/绝缘体/铁磁金属(FM/I/FM)隧道结中的散粒噪声.计算结果表明:不同自旋取向的电子Fano因子随绝缘体厚度的增大而增大;当绝缘体厚度较小时,上、下自旋电子的Fano因子随入射电子能量的增大缓慢减小,当绝... 基于自由电子近似,研究了铁磁金属/绝缘体/铁磁金属(FM/I/FM)隧道结中的散粒噪声.计算结果表明:不同自旋取向的电子Fano因子随绝缘体厚度的增大而增大;当绝缘体厚度较小时,上、下自旋电子的Fano因子随入射电子能量的增大缓慢减小,当绝缘体厚度较大且电子能量处于低能区时不同自旋方向的电子Fano因子相同,但在高能区上、下自旋电子Fano因子急剧减小且出现共振特性.此外,上、下自旋电子的Fano因子随两端铁磁体中分子场和磁矩夹角的变化表现出明显的分离特性.上、下自旋电子的Fano因子和隧穿电导随绝缘体厚度和入射电子能量的变化位相始终相反. 展开更多
关键词 磁性隧道结 散粒噪声 隧穿电导 磁矩
原文传递
内乡县全面实施“成教兴农”工程
5
作者 吕厚祥 陈仲林 《农村成人教育》 1999年第11期13-14,共2页
关键词 全面实施 副主任 大梨枣 内乡县 实用技术培训 无籽西瓜 马山口镇
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铁磁/半导体/铁磁异质结中的自旋输运
6
作者 吕厚祥 徐阳 《贵州科学》 2016年第3期61-66,共6页
在群速率概念的基础上,讨论了自旋极化电子的隧穿系数和渡越时间与半导体层厚度、Rashba自旋轨道耦合强度以及两磁性铁磁体中磁矩夹角之间的关系。结果表明:不同自旋取向的电子在隧穿铁磁/半导体/铁磁三明治异质结过程中,隧穿系数表现... 在群速率概念的基础上,讨论了自旋极化电子的隧穿系数和渡越时间与半导体层厚度、Rashba自旋轨道耦合强度以及两磁性铁磁体中磁矩夹角之间的关系。结果表明:不同自旋取向的电子在隧穿铁磁/半导体/铁磁三明治异质结过程中,隧穿系数表现出振荡特性,而渡越时间则表现出明显的分离特性。 展开更多
关键词 磁性隧道结 Rashba自旋轨道耦合效应 隧穿系数 渡越时间
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铁磁/绝缘体/铁磁异质结中自旋极化电子的隧穿概率和隧穿时间
7
作者 吕厚祥 谢征微 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2017年第2期216-220,共5页
在群速度概念的基础上,研究了自旋电子隧穿通过铁磁/绝缘体/铁磁异质结中的隧穿概率和隧穿时间.研究结果表明:不同自旋方向的电子其隧穿概率和隧穿时间不仅与绝缘体长度和入射电子能量有关,而且强烈地依赖于两端铁磁层夹角的变化.当两... 在群速度概念的基础上,研究了自旋电子隧穿通过铁磁/绝缘体/铁磁异质结中的隧穿概率和隧穿时间.研究结果表明:不同自旋方向的电子其隧穿概率和隧穿时间不仅与绝缘体长度和入射电子能量有关,而且强烈地依赖于两端铁磁层夹角的变化.当两铁磁层中磁矩取向反平行时,不同自旋方向的电子隧穿概率相同;而在两磁矩取向垂直时,不同自旋方向的电子隧穿时间相等.除此之外,不同自旋方向的电子无论是隧穿概率还是隧穿时间都呈明显的分离现象. 展开更多
关键词 铁磁/绝缘体/铁磁异质结 隧穿概率 隧穿时间 磁矩
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