通过半导体激光二极管(LD)垂直阵列端面泵浦Nd:YAG晶体获得了高能量1064 nm调Q激光输出。根据LD波长随温度线性变化的物理特性,通过调节LD温度改变泵浦光波长,使其偏离Nd:YAG的吸收峰,降低了激光介质泵浦端面增益,有效抑制了制约调Q激...通过半导体激光二极管(LD)垂直阵列端面泵浦Nd:YAG晶体获得了高能量1064 nm调Q激光输出。根据LD波长随温度线性变化的物理特性,通过调节LD温度改变泵浦光波长,使其偏离Nd:YAG的吸收峰,降低了激光介质泵浦端面增益,有效抑制了制约调Q激光输出能量的自激振荡。在LD泵浦能量530 m J时,产生了95 m J的1064 nm激光输出,相应的光光转换效率为18%,调Q动静比为73%,激光脉宽8 ns,光束发散角为2.5 mrad.展开更多
文摘通过半导体激光二极管(LD)垂直阵列端面泵浦Nd:YAG晶体获得了高能量1064 nm调Q激光输出。根据LD波长随温度线性变化的物理特性,通过调节LD温度改变泵浦光波长,使其偏离Nd:YAG的吸收峰,降低了激光介质泵浦端面增益,有效抑制了制约调Q激光输出能量的自激振荡。在LD泵浦能量530 m J时,产生了95 m J的1064 nm激光输出,相应的光光转换效率为18%,调Q动静比为73%,激光脉宽8 ns,光束发散角为2.5 mrad.
