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反应烧结氮化硅的热压 被引量：3
1
作者 庄汉锐 华道权 +2 位作者 徐素英 刘宝国 符锡仁 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期315-320,共6页
以添加 Y_2O_3、La_2O_3的反应烧结氮化硅为起始材料,研究热压工艺参数(温度、压力和保温时间)和添加物数量对材料性能的影响。当热压反应烧结氮化硅时,材料的致密化速度较慢,而α-Si_3N_4向β-Si_3N_4转化的速度较快,为了获得较佳性能... 以添加 Y_2O_3、La_2O_3的反应烧结氮化硅为起始材料,研究热压工艺参数(温度、压力和保温时间)和添加物数量对材料性能的影响。当热压反应烧结氮化硅时,材料的致密化速度较慢,而α-Si_3N_4向β-Si_3N_4转化的速度较快,为了获得较佳性能的材料,采用了适当的热压温度、较大的热压压力和充分的保温时间,使反应烧结氮化硅变成致密的高性能陶瓷材料,其抗弯强度(≥800 MPa)可保持到1300℃,目前,通过严格控制微观结构的形成已能获得抗弯强度>1000MPa 的制品。TEM 的研究表明:材料的晶界相为含 Y、La 的玻璃相。 展开更多
关键词 氮化硅 反应烧结 热压 陶瓷
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硅粉在高氮压下氮化的研究 被引量：4
2
作者 庄汉锐 华道权 +2 位作者 徐素英 刘宝国 符锡仁 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第2期183-187,共5页
本文对三种不同纯度的硅粉在加压氮气(～1MPa)中进行氮化研究。实验表明:在1250～1370℃1h 内硅粉可快速氮化反应生成氮化硅,主要晶相为β-Si_3N_4。硅粉快速氮化时,存在一个临界氮气压力,临界压力大小与硅粉本身表面特性有关,采用适当... 本文对三种不同纯度的硅粉在加压氮气(～1MPa)中进行氮化研究。实验表明:在1250～1370℃1h 内硅粉可快速氮化反应生成氮化硅,主要晶相为β-Si_3N_4。硅粉快速氮化时,存在一个临界氮气压力,临界压力大小与硅粉本身表面特性有关,采用适当的工艺参数可快速制备高质量的α-SiN_4粉末。 展开更多
关键词 硅粉 氮化 氮化硅陶瓷
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