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SiGe HBT大信号等效电路模型 被引量：6
1
作者 胡辉勇 张鹤鸣 +5 位作者 吕懿 戴显英 侯慧 区健锋 王伟 王喜嫒 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期403-408,共6页
基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEO(器件方程... 基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEO(器件方程开发包)中.在PSPICE软件资源的支持下,利用该模型对SiGeHBT器件进行了交直流特性模拟分析,模拟结果与理论分析结果相一致,并且与文献报道的结果符合较好. 展开更多
关键词 SIGE HBT 等效电路模型 PSPICE
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应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型 被引量：1
2
作者 胡辉勇 张鹤鸣 +6 位作者 戴显英 王顺祥 朱永刚 区健锋 俞智刚 马何平 王喜媛 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期2056-2058,共3页
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分... 应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子面密度和阈值电压的关系,分析了器件几何结构参数和材料物理参数对器件量子阱沟道静态电子面密度和阈值电压的影响.随着δ-掺杂层杂质浓度的减小和间隔层厚度的增加,量子阱沟道中电子面密度减小,阈值电压绝对值减小. 展开更多
关键词 应变硅 调制掺杂 电子面密度 阈值电压
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Model of transit time for SiGe HBT collector junction depletion-layer 被引量：1
3
作者 胡辉勇 张鹤鸣 +5 位作者 戴显英 贾新章 崔晓英 王伟 区健锋 王喜媛 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第7期1439-1443,共5页
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