双层结构8-羟基喹啉铝电致发光的有效载流子形成过程 被引量：2

1

作者 徐笑春 汪燕 +7 位作者 陈永东 钱巍 李晟 陈青淙 黄京根 陶凤岗 劳浦东 褚君浩 《复旦学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期731-736,共6页

报道了分子掺杂聚合物作为空穴传输层、8-羟基喹啉铝作为发光层的有机分子／聚合物双层结构的电致发光．着重指出在稳定发光之前有一个有效载流子形成过程．

关键词 电致发光 有效载流子 羟基喹啉铝 双层结构

原文传递

测量激光喇曼分光计杂散光的几点考虑 被引量：2

2

作者 劳浦东 莫应安 +1 位作者 张慧英 章志鸣 《仪器仪表学报》 EI CAS 1984年第1期76-80,共5页

本文对激光喇曼分光计杂散光的测试方法提出了几点考虑。为了使测量结果正确地反映出仪器本身的性能,讨论了测试用的激光光源、光的入射方式、光强衰减方法和微弱光讯号检测等方面应注意的几个问题,并给出了相应的实验结果。

关键词 杂散光 波数 测试方法 测量方法 单色仪 分光计 激光 喇曼

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GaAs(100)衬底上热壁外延生长的ZnSe薄膜光学声子散射光谱研究 被引量：1

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作者 劳浦东 姚文华 +1 位作者 王杰 郑思定 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第7期387-391,共5页

本文给出n型GaAs(100)衬底上热壁外延生长的Znse薄膜室温喇曼散射分析.Znse纵光学(LO)声子喇曼峰的线宽测量表明作者已在GaAs(100)衬底上用封闭式热壁外延法长出了高质量ZnSe单晶膜.较差质量外延膜在背散射喇曼谱中出现的横光学(TO)声... 本文给出n型GaAs(100)衬底上热壁外延生长的Znse薄膜室温喇曼散射分析.Znse纵光学(LO)声子喇曼峰的线宽测量表明作者已在GaAs(100)衬底上用封闭式热壁外延法长出了高质量ZnSe单晶膜.较差质量外延膜在背散射喇曼谱中出现的横光学(TO)声子峰被归之于外延膜生长过程中与孪生有关的微观取向错误的出现.首次在意到GaAs表面化学腐蚀处理使n型GaAs的LO声子-等离子激元耦合模喇曼强度有成倍提高,并证明这是因为化学腐蚀使GaAs表面氧化层厚度减小,增加了入射激光束在GaAs基质材料中的穿透深度. 展开更多

关键词 GAAS ZNSE 外延生长 散射光谱 薄膜

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GaAs(100)衬底上金属有机物化学汽相淀积法生长的CdTe膜喇曼光谱研究 被引量：1

4

作者 劳浦东 过毅乐 +3 位作者 张晓峰 姚文华 徐飞 丁永庆 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第10期589-594,共6页

本文报道了GaAs(100)衬底上CdTe外延膜的喇曼光谱,并提出利用实验上测得的CdTe外延膜LO声子峰宽度和位置来确定外延膜应变的处理方法.结果表明,对于厚度达2.5 μm的 CdTe外延膜,仍有应变存在,且应变大小与样品生长条件有关.从喇曼谱的... 本文报道了GaAs(100)衬底上CdTe外延膜的喇曼光谱,并提出利用实验上测得的CdTe外延膜LO声子峰宽度和位置来确定外延膜应变的处理方法.结果表明,对于厚度达2.5 μm的 CdTe外延膜,仍有应变存在,且应变大小与样品生长条件有关.从喇曼谱的分析中还提取了样品质量的有用信息其质量分析结果得到X射线双晶衍射和扫描电子显微镜表面形貌分析结果的支持. 展开更多

关键词 喇曼光谱 化学汽相淀积 砷化镓

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闪锌矿结构Zn_（1－x）Mn_xSe混晶光学声子行为 被引量：1

5

作者 过毅乐 劳浦东 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期8-12,共5页

本文计算了闪锌矿结构Ｚｎ（１－ｘ）ＭｎｘＳｅ光学声子频率随组分ｘ值的改变．计算表明，Ｚｎ（１－ｘ）ＭｎｘＳｅ混晶的光学声子属混模行为．在计算中，表征晶格常数改变对力常数影响的物理量，不同混晶应取不同的值．

关键词 闪锌矿结构 Zn1-xMnxSe混晶 光学声子

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用热壁外延法在CaAs(100)上生长ZnSe薄膜

6

作者 王杰 劳浦东 +2 位作者 王迅 沈孝良 姚文华 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第4期240-244,共5页

用封闭和开口两种热壁外延法在GaAs(100)衬底上生长ZnSe薄膜。着重讨论了这两种方法对所生长薄膜质量的影响。α台阶仪的测量、X-射线衍射结果和Raman光谱的分析等一致表明,当实验偏离严格热壁外延技术时,所长薄膜的质量明显下降。在源... 用封闭和开口两种热壁外延法在GaAs(100)衬底上生长ZnSe薄膜。着重讨论了这两种方法对所生长薄膜质量的影响。α台阶仪的测量、X-射线衍射结果和Raman光谱的分析等一致表明,当实验偏离严格热壁外延技术时,所长薄膜的质量明显下降。在源温Tso=700℃、壁温Tw=550℃、衬底温度Tsu=320℃时,用封闭(严格)的热壁外延法成功地长出质量较佳的ZnSe(100)单晶薄膜。XPS测量分析表明此单晶薄膜中Zn和Se的成分比为1:1。 展开更多

关键词 热壁外延 ZnSe薄膜 CaAs 薄膜晶体 衬底温度 薄膜质量 台阶仪 热蒸发 成分比 外延生长过程

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银-氯化钾-吡啶甲酸体系的表面增强Raman光谱

7

作者 沈波 王建平 +2 位作者 郁祖湛 劳浦东 曹毅 《化学学报》 SCIE CAS 1988年第5期503-506,共4页

从Fleischmann和Van Duyne等发现了表面增强Raman散射(SERS)效应[1,2]以来,大量的研究发现多种分子在电极表面、胶体、真空沉积界面均有SERS效应[3].

关键词 光谱图 甲酸 蚁酸 饱和脂肪酸 SERS RAMAN 表面增强

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注^(31)P^+硅片损伤层的喇曼光谱术研究

8

作者 劳浦东 邬建根 屈逢源 《复旦学报（自然科学版）》 CAS 1984年第3期347-354,共8页

离子注入是一种制备半导体器件的重要工艺.离子注入会造成半导体材料晶格的损伤,从而引起材料光学性质的改变.随着注入剂量的增加,损伤区域不断扩大,以致形成非晶态层.制备半导体器件,通常必须对注入后的晶片进行热退火,以消除这种晶格... 离子注入是一种制备半导体器件的重要工艺.离子注入会造成半导体材料晶格的损伤,从而引起材料光学性质的改变.随着注入剂量的增加,损伤区域不断扩大,以致形成非晶态层.制备半导体器件,通常必须对注入后的晶片进行热退火,以消除这种晶格损伤.因此,检测离子注入半导体中的晶格损伤具有重要的应用意义.检测离子注入后半导体中损伤层的方法已有多种,其中传统的方法包括背散射沟道方法和顺磁共振方法,在光学手段中包括反射率方法和椭圆偏振方法,1974年,法国的J.C.Bour- 展开更多

关键词 硅片 喇曼光谱 拉曼光谱 损伤层 注入剂量 离子掺杂 离子注入 光谱术 喇曼

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非线性光学相位匹配的实验考虑

9

作者 劳浦东 徐永晨 项珍娣 《大学物理》 1985年第2期25-27,13,共4页

本文描述了氮分子激光泵浦的可调谐染料激光输出经ＡＤＰ晶体产生二次谐波的实验考虑和实验结果．在５３００－５６００Ａ的基波波长范围内，用简单的方法演示了不同基波波长的二次谐波强度随晶体温度及基波光束入射角的变化．可使同学... 本文描述了氮分子激光泵浦的可调谐染料激光输出经ＡＤＰ晶体产生二次谐波的实验考虑和实验结果．在５３００－５６００Ａ的基波波长范围内，用简单的方法演示了不同基波波长的二次谐波强度随晶体温度及基波光束入射角的变化．可使同学对非线性光学参量过程中影响相位匹配的各种因素有一个清晰的认识． 展开更多

关键词 相位匹配 非线性光学 晶体光轴 可调谐染料激光 氮分子 基频光 光学参量 染料激光器 二次谐波 波长范围

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CdTe—ZnTe超晶格及其改进型结构一级声子喇曼散射分析

10

作者 劳浦东 姚文华 +1 位作者 李杰 袁诗鑫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第9期534-539,共6页

本文通过对常规结构CdTe-ZnTe超晶格和新型结构[(CdTe)_2-(ZnTe)_1]×9-(CdTe)_(60)复合超晶格一级声子喇曼峰位置和线型实验上和理论上的综合比较分析,证明新型结构因减小了晶格失配而使超过临界厚度的ZnTe层结构完整性得到很大改... 本文通过对常规结构CdTe-ZnTe超晶格和新型结构[(CdTe)_2-(ZnTe)_1]×9-(CdTe)_(60)复合超晶格一级声子喇曼峰位置和线型实验上和理论上的综合比较分析,证明新型结构因减小了晶格失配而使超过临界厚度的ZnTe层结构完整性得到很大改善。分析中首次强调指出一级纵光学声子峰线型对该类超晶格结构分析的重要性。 展开更多

关键词 CDTE-ZNTE 超晶格 喇曼散射 结构

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喇曼散射光极值法定金刚石结构薄层的晶向

11

作者 吴华生 劳浦东 +1 位作者 邬建根 屈逢源 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期111-117,共7页

本文提出了一个测定任意取向的金刚石结构薄层晶向的方法——喇曼散射光极值法。文中推导了任意取向的金刚石结构薄层的喇曼散射光强与薄层晶向及入射光偏振方向间的函数关系,并利用此函数的极值定出晶向。利用本文方法所得硅单晶定向... 本文提出了一个测定任意取向的金刚石结构薄层晶向的方法——喇曼散射光极值法。文中推导了任意取向的金刚石结构薄层的喇曼散射光强与薄层晶向及入射光偏振方向间的函数关系,并利用此函数的极值定出晶向。利用本文方法所得硅单晶定向结果与X射线衍射法定向结果进行了比较。 展开更多

关键词 金刚石 薄层晶向 散射光极值法

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分子束外延生长CdTe/ZnTe超晶格室温喇曼散射

12

作者 张晓峰 劳浦东 +2 位作者 姚文华 李杰 袁诗鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期169-174,共6页

首次报道了室温和非共振条件下,分子束外延(MBE)生长的CdTe/ZnTe超晶格的喇曼散射测量和分析。观察到最低级次的CdTe和ZnTe纵光学声子限制模,并用应力和限制效应精确计算了频移,得到的ZnTe纵光学声子频移理论值与实验结果符合得较好。... 首次报道了室温和非共振条件下,分子束外延(MBE)生长的CdTe/ZnTe超晶格的喇曼散射测量和分析。观察到最低级次的CdTe和ZnTe纵光学声子限制模,并用应力和限制效应精确计算了频移,得到的ZnTe纵光学声子频移理论值与实验结果符合得较好。特别指出,当CdTe和ZnTe层厚小于2nm时,声子频移的限制效应不可忽略,对所测样品的喇曼全谱作了分析。 展开更多

关键词 超晶格 喇曼散射 分子束外延

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