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基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计 被引量：4
1
作者 丁春宝 张万荣 +7 位作者 金冬月 谢红云 陈亮 沈佩 张东晖 刘波宇 周永强 郭振杰 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1070-1076,共7页
详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准... 详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准的无电感SiGe异质结双晶体管（HBT）低噪声放大器（LNA）。该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容（LC）匹配网络结构，实现了输入、输出阻抗匹配，未采用无源电感，节省了芯片面积，芯片面积仅为0．046mm2，并将Darlington—Cascode结构作为LNA的输出级，既提高了增益，又提高了线性度。LNA版图仿真结果表明，在UWB频带范围内，LNA的增益为19．5～20dB，增益平坦度为4-0．25dB；输入、输出匹配良好；线性度为-5- -2dBm；在整个频段内，无条件稳定。 展开更多
关键词 低噪声放大器(LNA) SiGe异质结双极晶体管(HBT) 电阻反馈 线性度 共射-共基放大器
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双频带低噪声放大器设计 被引量：2
2
作者 刘波宇 张万荣 +2 位作者 谢红云 金冬月 丁春宝 《电子器件》 CAS 2011年第3期278-281,共4页
基于Jazz 0.35μm S iGe工艺,设计了一款能够在1.8 GHz和2.4 GHz不同频段带独立工作的低噪声放大器。放大器使用噪声性能优良的S iGe HBT,采用Cascode结构减少米勒效应的影响。输入电路采用由两次连续的频率变换和电路转换得到的双频滤... 基于Jazz 0.35μm S iGe工艺,设计了一款能够在1.8 GHz和2.4 GHz不同频段带独立工作的低噪声放大器。放大器使用噪声性能优良的S iGe HBT,采用Cascode结构减少米勒效应的影响。输入电路采用由两次连续的频率变换和电路转换得到的双频滤波电路,输出端用射随器实现50Ω阻抗匹配。结果表明,该低噪声放大器在1.8 GHz和2.4 GHz两个工作频点,S21分别达到30.3 dB和28.3 dB,S22分别为-19 dB和-20 dB,噪声分别为3.42 dB和3.45 dB。 展开更多
关键词 双频带 频率转换 低噪声放大器
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一种双频带低噪声放大器的设计与实现 被引量：2
3
作者 张正 刘波宇 张延华 《电子器件》 CAS 北大核心 2017年第4期824-828,共5页
设计与实现了一种在2.4 GHz和5.8 GHz工作的双频带低噪声放大器。以共基-共射电路作为增益级,引入一个增益增强级电路,减小PCB传输线损耗;利用峰化电感和RC网络来补偿在高频下的增益下降;采用π-型微带线来取得输入和输出的良好匹配。... 设计与实现了一种在2.4 GHz和5.8 GHz工作的双频带低噪声放大器。以共基-共射电路作为增益级,引入一个增益增强级电路,减小PCB传输线损耗;利用峰化电感和RC网络来补偿在高频下的增益下降;采用π-型微带线来取得输入和输出的良好匹配。结果表明,在2.4 GHz和5.8 GHz两点上,增益S21分别为15 dB和13 dB,噪声系数为3.6 dB和4.5 dB,S11和S22的模拟与实测结果均小于-10 dB。 展开更多
关键词 双频带 低噪声放大器 微带线 输入输出匹配
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改善多指HBT热稳定性的非均匀指间距技术
4
作者 赵昕 张万荣 +5 位作者 金冬月 谢红云 付强 张东晖 刘波宇 周永强 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期577-581,共5页
建立了多发射极指功率SiGe HBT的热电反馈模型,研究了发射极指间距的变化对多指功率SiGe HBT表面温度分布的影响。在此基础上,提出了发射极指间距的非均匀化优化技术。在不同偏置下,对具有均匀间距和非均匀间距的多指HBT各指之间的温度... 建立了多发射极指功率SiGe HBT的热电反馈模型,研究了发射极指间距的变化对多指功率SiGe HBT表面温度分布的影响。在此基础上,提出了发射极指间距的非均匀化优化技术。在不同偏置下,对具有均匀间距和非均匀间距的多指HBT各指之间的温度分布进行模拟。结果表明,具有非均匀指间距结构的SiGe HBT峰值温度明显下降,各指之间的温度分布均匀性得到加强,这是传统均匀指间距技术无法比拟的,显示了非均匀指间距优化技术的优越性。 展开更多
关键词 SIGE 异质结双极晶体管 热稳定性 非均匀发射极指间距结构
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适于超宽带放大器的增益平坦化反馈技术
5
作者 谢红云 路志义 +4 位作者 霍文娟 丁春宝 刘波宇 张东晖 张万荣 《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1638-1643,共6页
为研究反馈技术对宽带放大器增益平坦度的影响,从异质结晶体管(HBTs)的小信号模型入手,得到几种不同反馈形式下HBTs的S参数解析表达式.分析不同反馈形式对S参数的影响及传输增益S21的幅度变化.在这几种反馈技术中,纯电阻负反馈可以改进... 为研究反馈技术对宽带放大器增益平坦度的影响,从异质结晶体管(HBTs)的小信号模型入手,得到几种不同反馈形式下HBTs的S参数解析表达式.分析不同反馈形式对S参数的影响及传输增益S21的幅度变化.在这几种反馈技术中,纯电阻负反馈可以改进整个超宽频带内的反射,实现宽带的输入输出匹配;引入串联电感或并联电容等电抗元件,采用串联电阻和电感或并联电阻和电容的电抗性反馈可使S21的幅度随着频率的增大而逐渐上升,从而补偿晶体管本身高频增益的下降,同时也抵消电阻负反馈引起的增益下降.综合优化电阻反馈和电抗反馈,能实现低噪声放大器在3.1～10.6 GHz范围内的增益平坦性. 展开更多
关键词 低噪声放大器 电抗反馈 超宽带 增益平坦化
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用于SiGe HBT LNA的新型双有源偏置电路的设计
6
作者 张东晖 张万荣 +3 位作者 谢红云 丁春宝 赵昕 刘波宇 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期224-228,共5页
偏置工作点是影响低噪声放大器(LNA)线性度的因素之一。为了保证LNA能够更好地对信号进行线性放大,稳定的偏置工作点对于放大器来说显得尤为重要。提出了一种新型有源偏置技术,通过同时采用两个电流源为LNA提供直流偏置,以达到稳定放大... 偏置工作点是影响低噪声放大器(LNA)线性度的因素之一。为了保证LNA能够更好地对信号进行线性放大,稳定的偏置工作点对于放大器来说显得尤为重要。提出了一种新型有源偏置技术,通过同时采用两个电流源为LNA提供直流偏置,以达到稳定放大器偏置工作点的目的。基于JAZZ 0.35μm SiGe工艺,采用该新型双有源偏置技术,设计了一款LNA。在1.8～2.2GHz频带时,放大器的增益为22.03±0.46dB,噪声系数小于3.7dB,2.0GHz时的输入3阶交调点(IIP3)为5dBm,相对于传统无源偏置的LNA提高了10dBm。仿真验证了该新型有源偏置技术对提高LNA线性度的有效性。 展开更多
关键词 双有源偏置电路 低噪声放大器 线性度 噪声系数 输入3阶交调点
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