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掺氮ZnSe外延层的光致发光研究 被引量：1
1
作者 朱作明 刘南竹 +6 位作者 李国华 韩和相 汪兆平 王善忠 何力 姬荣斌 巫艳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期13-18,共6页
报导了掺氮ＺｎＳｅ外延层的光致发光，研究了与氮受主有关的发光峰随温度和激发强度的变化关系．１０Ｋ下施主－受主对发光峰随激发强度的增加向高能方向移动，且峰强呈现饱和趋势．在１０～３００Ｋ温度范围光致发光谱表明，随着温度... 报导了掺氮ＺｎＳｅ外延层的光致发光，研究了与氮受主有关的发光峰随温度和激发强度的变化关系．１０Ｋ下施主－受主对发光峰随激发强度的增加向高能方向移动，且峰强呈现饱和趋势．在１０～３００Ｋ温度范围光致发光谱表明，随着温度增加，由于激子在受主束缚激子态和施主束缚激子态之间转移。 展开更多
关键词 光致发光 束缚激子 掺氮 硒化锌 外延层
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ZnS_xTe_(1-x)三元混晶的光学性质研究 被引量：1
2
作者 刘南竹 朱作明 +4 位作者 李国华 韩和相 汪兆平 葛惟馄 苏荫强 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期338-344,共7页
报道了对一系列不同组份的ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ（０≤ｘ＜１）混晶的喇曼散射和光致发光研究．室温下的喇曼散射实验结果表明ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ中的声子具有双模行为．研究了ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ混晶的反射谱、背散射和边发射配置下的光... 报道了对一系列不同组份的ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ（０≤ｘ＜１）混晶的喇曼散射和光致发光研究．室温下的喇曼散射实验结果表明ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ中的声子具有双模行为．研究了ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ混晶的反射谱、背散射和边发射配置下的光致发光谱，以及１０～３００Ｋ温度范围内光致发光谱的温度关系，结果表明：ｘ较小时，ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ的发光来源于混晶带边发光或浅杂质的发光；ｘ接近１时，发光蜂来源于束缚在Ｔｅ等电子陷阱上的自陷激子的辐射复合． 展开更多
关键词 混晶 光致发光 喇曼散射 锌硫碲 半导体
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温度引起的ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层和势垒层的反转
3
作者 李国华 朱作明 +4 位作者 刘南竹 韩和相 汪兆平 王杰 王迅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期945-951,共7页
测量了ＺｎＳｅ，Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金和ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格的１０～３００Ｋ 的变温光致发光谱．发现ＺｎＳｅ 的带隙在１０Ｋ 时比Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金的带隙小，而在３００... 测量了ＺｎＳｅ，Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金和ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格的１０～３００Ｋ 的变温光致发光谱．发现ＺｎＳｅ 的带隙在１０Ｋ 时比Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金的带隙小，而在３００Ｋ 时比合金的带隙大．预计ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格中在１３０Ｋ 附近会发生势阱层和势垒层的反转．在ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格中观测到了这种反转但发生在８０Ｋ 附近．超晶格中Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 层的应变可能是反转温度变低的原因． 展开更多
关键词 半导体材料 超晶格 势阱层 势垒层 温度 ZNSE
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ZnS_(1-x)Te_x混晶的压力光谱
4
作者 方再利 苏付海 +7 位作者 马宝珊 刘南竹 朱作明 丁琨 韩和相 李国华 葛惟锟 苏萌强 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期370-376,共7页
研究了 Zn S1 - x Tex(0 .0 2≤ x≤ 0 .3)混晶的静压光致发光谱 .每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰 ,来源于束缚在 Ten(n≥ 2 )等电子陷阱上的激子复合发光 ,且随压力 (0～ 7.0 GPa)而蓝移 .发光峰的压力系数比... 研究了 Zn S1 - x Tex(0 .0 2≤ x≤ 0 .3)混晶的静压光致发光谱 .每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰 ,来源于束缚在 Ten(n≥ 2 )等电子陷阱上的激子复合发光 ,且随压力 (0～ 7.0 GPa)而蓝移 .发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小 ,随着 Te组分的增加而减小 ,与混晶带隙压力系数的差别也越来越大 .由于压力下与发光峰对应的吸收能量逐渐接近并超过激发光的能量 ,与发光峰有关的吸收效率降低 ,发光峰积分强度随着压力增加而减小 .据此估算了 Ten 等电子中心的 Stokes位移 .发现 Stokes位移随着 展开更多
关键词 电子陷阱 压力 光致发光 锌硫碲混合物
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MBE生长的In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs/InP四元混晶的拉曼散射
5
作者 韩和相 汪兆平 +3 位作者 李国华 徐士杰 刘南竹 朱作明 《光散射学报》 1997年第2期155-156,共2页
ＭＢＥ生长的Ｉｎ１－ｘ－ｙＧａｘＡｌｙＡｓ／ＩｎＰ四元混晶的拉曼散射韩和相汪兆平李国华徐士杰刘南竹朱作明（中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京１０００８３）ＯｐｔｉｃａｌＰｈｏｎｏｎＲａｍａｎＳｃａｔ... ＭＢＥ生长的Ｉｎ１－ｘ－ｙＧａｘＡｌｙＡｓ／ＩｎＰ四元混晶的拉曼散射韩和相汪兆平李国华徐士杰刘南竹朱作明（中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京１０００８３）ＯｐｔｉｃａｌＰｈｏｎｏｎＲａｍａｎＳｃａｔｅｒｉｎｇｆｒｏｍＩｎ１－ｘ－ｙＧ... 展开更多
关键词 铟镓铝砷 MBE 四元混晶 拉曼散射
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In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs四元混晶的喇曼散射 被引量：1
6
作者 韩和相 汪兆平 +4 位作者 李国华 徐仕杰 丁琨 刘南竹 朱作明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期187-191,共5页
报道了ＭＢＥ生长的Ｉｎ１－ｘ－ｙＧａｘＡｌｙＡｓ四元混晶中光学声子的喇曼散射实验结果．光学声子模的频率与强度的组分关系表明Ｉｎ１－ｘ－ｙＧａｘＡｌｙＡｓ四元混晶中有３种光学声子模，即类ＩｎＡｓ、类ＧａＡｓ和类ＡｌＡｓ... 报道了ＭＢＥ生长的Ｉｎ１－ｘ－ｙＧａｘＡｌｙＡｓ四元混晶中光学声子的喇曼散射实验结果．光学声子模的频率与强度的组分关系表明Ｉｎ１－ｘ－ｙＧａｘＡｌｙＡｓ四元混晶中有３种光学声子模，即类ＩｎＡｓ、类ＧａＡｓ和类ＡｌＡｓ模．喇曼光谱的偏振分析表明３种光学声子在退偏振条件下是喇曼活性的，而在偏振条件下是喇曼非活性的．由于混晶中的无序效应，可观察到泄漏的ＴＯ模叠加在ＬＯ的低能侧使喇曼峰显现出非对称形状． 展开更多
关键词 喇曼散射 四元混晶 铟镓铝砷 半导体 光学声子
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送给孩子的礼物——家庭教育的几点思考
7
作者 刘南竹 《当代教研论丛》 2014年第5期114-114,共1页
家庭教育既是摇篮教育，也是终身教育。家庭教育因其特殊的地位和影响，在我们的大教育系统工程中起着举足轻重的作用。面对经济飞速发展的现代社会，作为现代父母我们究竟该给孩子些什么，这是每个家庭都在思考的共同问题。
关键词 教育 家庭 爱 宽容 读书 学习
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刘南竹作品
8
作者 刘南竹 《江苏教育》 2020年第21期58-58,共1页
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