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非晶微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究 被引量：33
1
作者 张世斌 廖显伯 +6 位作者 安龙 杨富华 孔光临 王永谦 徐艳月 陈长勇 刁宏伟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1811-1815,共5页
通过改变氢气对硅烷气体的稀释程度 ,并保持其他的沉积参量不变 ,用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功地制备出处于非晶 微晶相变过渡区域的硅薄膜样品 .测量了样品的室温光电导和暗电导 ,样品的光电性能优越 ,在 5 0mW·cm... 通过改变氢气对硅烷气体的稀释程度 ,并保持其他的沉积参量不变 ,用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功地制备出处于非晶 微晶相变过渡区域的硅薄膜样品 .测量了样品的室温光电导和暗电导 ,样品的光电性能优越 ,在 5 0mW·cm- 2 的白光照射下 ,光电导和暗电导的比值达到 10 6 .在室温下用微区喇曼谱研究了薄膜的微结构特性 ,用高斯函数对喇曼谱进行了拟合分析 .结果表明 ,在我们的样品制备条件下 ,当H2 和SiH4 的流量比R较小时 ,样品表现出典型的非晶硅薄膜的结构特性 ;随流量比R的增大 ,薄膜表现出两相结构 ,其中的微晶成分随氢稀释比的增大逐渐增多 ;用量子尺寸效应估算了两个高氢稀释样品 (R >5 0 )中微晶粒的平均尺寸大小为 2 4nm左右 ; 展开更多
关键词 非晶/微晶过渡区 非晶硅薄膜 喇曼散射 微结构
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纳米硅(nc-Si:H)晶体硅(c-Si)异质结太阳电池的数值模拟分析 被引量：27
2
作者 胡志华 廖显伯 +4 位作者 曾湘波 徐艳月 张世斌 刁宏伟 孔光临 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期217-224,共8页
运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟分析了n 型纳米硅 (n+ nc Si:H) p 型晶体硅 (p c Si)异质结太阳电池的光伏特性 .分析表明 ,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素 ,显著影响电池的开路电压 (VOC)和填充因子(FF) ,而电池的光谱响... 运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟分析了n 型纳米硅 (n+ nc Si:H) p 型晶体硅 (p c Si)异质结太阳电池的光伏特性 .分析表明 ,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素 ,显著影响电池的开路电压 (VOC)和填充因子(FF) ,而电池的光谱响应或短路电流密度 (JSC)对缓冲层的厚度较为敏感 .对不同能带补偿 (bandgapoffset)的情况所进行的模拟分析表明 ,随着ΔEc 的增大 ,由于界面态所带来的开路电压和填充因子的减小逐渐被消除 ,当ΔEc达到 0 5eV左右时界面态的影响几乎完全被掩盖 .界面层的其他能带结构特征对器件性能的影响还有待进一步研究 .最后计算得到了这种电池理想情况下 (无界面态、有背面场、正背面反射率分别为 0和 1)的理论极限效率 ηmax=31 17% (AM1 5 ,10 0mW cm2 ,0 4 0— 1 10 μm波段 ) . 展开更多
关键词 数值模拟 nc-Si:H/c-Si异质结 太阳电池 计算机模拟 光伏特性 纳米硅/晶体硅异质结
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a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池薄膜硅背场的模拟优化 被引量：28
3
作者 赵雷 周春兰 +2 位作者 李海玲 刁宏伟 王文静 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期3212-3218,共7页
采用AFORS-HET数值模拟软件,对不同带隙的薄膜硅材料在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的背场效果进行了模拟,分析了影响背场效果的原因,得到了薄膜硅背场在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的适用条件为薄膜硅材料是带隙1.6eV,硼掺杂... 采用AFORS-HET数值模拟软件,对不同带隙的薄膜硅材料在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的背场效果进行了模拟,分析了影响背场效果的原因,得到了薄膜硅背场在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的适用条件为薄膜硅材料是带隙1.6eV,硼掺杂浓度在1018cm-3以上的微晶硅材料,其最佳厚度在5nm左右.这种背场从工艺上易于实现,并且,与常用的Al扩散背场相比,在相同的掺杂浓度下,电池效率可以大大提高. 展开更多
关键词 薄膜硅 背场 硅异质结太阳电池
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单晶硅制绒中影响金字塔结构因素的分析 被引量：27
4
作者 李海玲 赵雷 +2 位作者 刁宏伟 周春兰 王文静 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期857-861,共5页
本文通过不同碱性溶液及添加不同活性剂制备出的具有不同金字塔结构的绒面,并探讨了影响金字塔成核的因素。采用扫描电镜和紫外-可见分光光度计对绒面的金字塔结构和反射特性进行了分析,结果表明腐蚀速率与金字塔尺寸成正比,金字塔结构... 本文通过不同碱性溶液及添加不同活性剂制备出的具有不同金字塔结构的绒面,并探讨了影响金字塔成核的因素。采用扫描电镜和紫外-可见分光光度计对绒面的金字塔结构和反射特性进行了分析,结果表明腐蚀速率与金字塔尺寸成正比,金字塔结构影响绒面减反特性。最后对造成金字塔结构差异的原因和金字塔成核过程进行了分析。 展开更多
关键词 单晶硅 表面制绒 腐蚀速率 成核与生长
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非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟 被引量：23
5
作者 胡志华 廖显伯 +5 位作者 刁宏伟 夏朝凤 许玲 曾湘波 郝会颖 孔光临 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期2302-2306,共5页
运用AMPS(AnalysisofMicroelectronicandPhotonicStructures)模拟分析了TCO p-a-SiC :H i-a-Si:H n-a-Si:H metal结构的异质结非晶硅太阳电池中的p i界面的价带失配以及TCO p ,n metal界面接触势垒对电池光电特性的影响 .分析总结了非... 运用AMPS(AnalysisofMicroelectronicandPhotonicStructures)模拟分析了TCO p-a-SiC :H i-a-Si:H n-a-Si:H metal结构的异质结非晶硅太阳电池中的p i界面的价带失配以及TCO p ,n metal界面接触势垒对电池光电特性的影响 .分析总结了非晶硅基薄膜太阳电池中J- V曲线异常拐弯现象的种类和可能原因 . 展开更多
关键词 非晶硅 太阳电池 计算机模拟 微电子结构 光子结构
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基于云计算技术的5G移动通信网络优化路径试析 被引量：21
6
作者 刁宏伟 黄帅 +1 位作者 郭兴军 侯建民 《中国新通信》 2021年第3期1-2,共2页
随着我国网络信息技术的快速发展,5G技术已成为我国各行各业发展中不可或缺的一部分。5G技术与传统的4G技术具有明显的差异,可以使用5G基础的网络设备对数据计算技术的要求更为严格,因此为了进一步促进5G移动通信网络技术在各行业中的... 随着我国网络信息技术的快速发展,5G技术已成为我国各行各业发展中不可或缺的一部分。5G技术与传统的4G技术具有明显的差异,可以使用5G基础的网络设备对数据计算技术的要求更为严格,因此为了进一步促进5G移动通信网络技术在各行业中的创新和应用,更需要借助云计算技术对5G移动通信网络进行优化,进而提高5G移动通信网络。本文中主要基于云计算技术简要地探讨了5G移动通信网络的优化路线,文中旨在通过介绍云计算技术和5G移动通信网络技术的基本概念,进而为5G移动通信网络技术在社会中的更好发展提供些许参考。 展开更多
关键词 云计算技术 5G移动通信网络 关键技术 优化路径
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单晶硅表面均匀小尺寸金字塔制备及其特性研究 被引量：18
7
作者 周春兰 王文静 +3 位作者 赵雷 李海玲 刁宏伟 曹晓宁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期5777-5783,共7页
表面织构是一种通过有效的光俘获增加短路电流从而提高太阳电池效率的主要途径之一.在加入间隙式超声和NaClO添加剂的碱性四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液中对单晶硅表面进行织构化处理,研究超声与NaClO在织构过程中对金字塔成核和生长的影响... 表面织构是一种通过有效的光俘获增加短路电流从而提高太阳电池效率的主要途径之一.在加入间隙式超声和NaClO添加剂的碱性四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液中对单晶硅表面进行织构化处理,研究超声与NaClO在织构过程中对金字塔成核和生长的影响,以及金字塔大小对高温工艺之后的单晶硅少子寿命的影响.研究表明,通过在织构溶液中加入间隙式超声控制气泡停留在硅片表面的时间和脱离硅片表面速度,增强了小尺寸金字塔的均匀分布.织构之后硅片在AM1.5G光谱下的加权平均反射率能够达到12.4%,在高温扩散和氧化之后少子寿命的大小与金字塔大小之间存在近似于指数衰减函数的关系. 展开更多
关键词 表面织构化 反射率 少子寿命 单晶硅太阳电池
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非晶/微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池 被引量：16
8
作者 郝会颖 孔光临 +3 位作者 曾湘波 许颖 刁宏伟 廖显伯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期3327-3331,共5页
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF_PECVD)法,成功制备出从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜.样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性.用这种两相结构的材料... 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF_PECVD)法,成功制备出从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜.样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性.用这种两相结构的材料作为本征层制备了p_i_n太阳能电池,并测量了其稳定性.结果在AM1.5(100mW cm2)的光强下曝光800—5000min后,开路电压略有升高,转换效率仅衰退了2.9%. 展开更多
关键词 太阳能电池 硅薄膜 等离子体增强化学气相沉积 相变 过渡区域 两相结构 光电性质 光致变化 光电特性 开路电压 转换效率 稳定性 甚高频 微结构 本征层 微晶硅 非晶硅 AM1 制备 测量
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a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究 被引量：9
9
作者 王永谦 陈长勇 +6 位作者 陈维德 杨富华 刁宏伟 许振嘉 张世斌 孔光临 廖显伯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期2418-2422,共5页
以微区Raman散射、X射线光电子能谱和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)法制备的氢化非晶硅氧 (a Si∶O∶H)薄膜微结构及其退火行为进行了细致研究 .结果表明a Si∶O∶H薄膜具有明显的相分离结构 ,富Si相镶嵌于富O相之中 ,其... 以微区Raman散射、X射线光电子能谱和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)法制备的氢化非晶硅氧 (a Si∶O∶H)薄膜微结构及其退火行为进行了细致研究 .结果表明a Si∶O∶H薄膜具有明显的相分离结构 ,富Si相镶嵌于富O相之中 ,其中富Si相为非氢化四面体结构形式的非晶硅 (a Si) ,富O相为Si,O ,H三种原子随机键合形成的SiOx∶H(x≈ 1.35 ) .经 115 0℃高温退火 ,薄膜中的H全部释出 ;SiOx∶H (x≈ 1.35 )介质在析出部分Si原子的同时发生结构相变 ,形成稳定的SiO2 和SiOx(x≈ 0 .6 4) ;在析出的Si原子参与下 ,薄膜中a Si颗粒固相晶化的成核和生长过程得以进行 ,形成纳米晶硅 (nc Si) .研究发现此时的薄膜具有典型的壳层结构 ,在nc Si颗粒表面和外围SiO2 介质之间存在着纳米厚度的SiOx(x≈ 0 .6 4) 展开更多
关键词 a-Si:O:H 微结构 高温退火 薄膜 氢化非晶硅氧
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p型纳米硅与a-Si∶H不锈钢底衬nip太阳电池 被引量：8
10
作者 胡志华 廖显伯 +4 位作者 刁宏伟 夏朝凤 曾湘波 郝会颖 孔光临 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期2945-2949,共5页
报道了选用厚度为0.05mm的不锈钢箔作衬底,B掺杂P型氢化纳米硅作窗口层,制备成功开路电压和填充因子分别达到0.90V和0.70的nip非晶硅基薄膜单结太阳电池.UV VIS透射谱和微区Raman谱证实所用p层具有典型氢化纳米硅的宽能隙和含有硅结晶... 报道了选用厚度为0.05mm的不锈钢箔作衬底,B掺杂P型氢化纳米硅作窗口层,制备成功开路电压和填充因子分别达到0.90V和0.70的nip非晶硅基薄膜单结太阳电池.UV VIS透射谱和微区Raman谱证实所用p层具有典型氢化纳米硅的宽能隙和含有硅结晶颗粒的微结构特征.明确指出导致这种氢化纳米硅能隙展宽的物理机制是量子尺寸效应. 展开更多
关键词 氢化纳米硅 量子尺寸效应 硅氢薄膜太阳电池 不锈钢 磁控溅射
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用电学参数表征晶体硅太阳电池特性 被引量：8
11
作者 周春兰 王文静 +2 位作者 李海玲 赵雷 刁宏伟 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1163-1170,共8页
为了分析3种不同类型的商业太阳电池片,即P型铸造多晶硅太阳电池、定边喂膜生长硅(EFG)太阳电池和单晶硅太阳电池中存在的影响电池效率的可能性缺陷,对太阳电池的电性能参数如光谱响应曲线、短路电流的二维分布、串联电阻、并联电阻、... 为了分析3种不同类型的商业太阳电池片,即P型铸造多晶硅太阳电池、定边喂膜生长硅(EFG)太阳电池和单晶硅太阳电池中存在的影响电池效率的可能性缺陷,对太阳电池的电性能参数如光谱响应曲线、短路电流的二维分布、串联电阻、并联电阻、二极管理想因子、反向饱和电流等进行了表征和分析。对比分析了对太阳电池增加偏置白光前后的光谱响应(外量子效率EQE)曲线,然后采用光束诱导电流(LBIC)法和电流-电压(I-V)(暗,光照)法分别测试了太阳电池中形成漏电缺陷的面分布和太阳电池的电性能参数并借助于太阳电池的二极管等效模型拟合了I-V曲线。结合这3种分析测试方法,得出在铸造多晶硅、EGF太阳电池中影响电池参数的主要缺陷是晶界、位错以及材料中的杂质,而影响单晶硅太阳电池的却是存在于体内的金属杂质等。由于原材料中存在不同的少子复合中心,使最终多晶硅,EFG和单晶硅太阳电池的转换效率分别为10.5%,11.7%和15.7%。 展开更多
关键词 晶体硅 太阳电池 转换效率 电学参数 晶体缺陷
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稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析 被引量：8
12
作者 徐艳月 孔光临 +4 位作者 张世斌 胡志华 曾湘波 刁宏伟 廖显伯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1465-1468,共4页
利用等离子体增强化学气相沉积技术研制出了优质稳定的氢化非晶 纳米晶两相结构硅薄膜 .薄膜的光电导率相对于器件质量的非晶硅有两个数量级的提高 ;光敏性也较好 ,光、暗电导比可以达到 10 4,此外薄膜的光电导谱具有更宽的长波光谱响... 利用等离子体增强化学气相沉积技术研制出了优质稳定的氢化非晶 纳米晶两相结构硅薄膜 .薄膜的光电导率相对于器件质量的非晶硅有两个数量级的提高 ;光敏性也较好 ,光、暗电导比可以达到 10 4,此外薄膜的光电导谱具有更宽的长波光谱响应 .更为重要的是薄膜的光致退化效应远小于典型的非晶硅薄膜 ,在光强为 5 0mW/cm2 的卤钨灯光照 2 4h后 ,光电导的衰退小于 10 % .这种薄膜优良的光电性能源于薄膜中的非晶母体的存在使其在光学跃迁中的动量选择定则发生松弛 ,因而具有大的光学吸收系数和较高的光敏性 ;相对于典型非晶硅而言 ,薄膜的中程有序度得到了较大的改善 ,并具有小的深隙态密度 ;薄膜中存在的纳米尺寸的微晶颗粒 ,提供了光生载流子的复合通道 ,在非晶母体中的电子空穴对可以转移到微晶颗粒中进行复合 ,这样抑制了非晶母体中的非辐射复合 。 展开更多
关键词 nc-Si/a-Si:H薄膜 等离子体增强化学气相沉积 研制 微结构 光致变化 氢化非晶硅薄膜 性质
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微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化 被引量：6
13
作者 张世斌 孔光临 +3 位作者 徐艳月 王永谦 刁宏伟 廖显伯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期111-114,共4页
利用EG&G的瞬态分析测试仪对微量硼掺杂的高氢稀释非晶硅薄膜的瞬态光电导作了测量 ,并研究了长时间曝光处理对瞬态光电导的影响 .发现薄膜的瞬态光电导衰退可以用双指数函数来拟合 ,说明在样品的光电导衰退过程中有两种陷阱在起作... 利用EG&G的瞬态分析测试仪对微量硼掺杂的高氢稀释非晶硅薄膜的瞬态光电导作了测量 ,并研究了长时间曝光处理对瞬态光电导的影响 .发现薄膜的瞬态光电导衰退可以用双指数函数来拟合 ,说明在样品的光电导衰退过程中有两种陷阱在起作用 ,估算了陷阱能级的位置 .曝光处理后样品的光电导和暗电导不仅没有下降 ,而且还有所上升 ,薄膜的光敏性有所改善 .很可能曝光过程引起了硼受主的退激活 ,导致费米能级向导带边移动 ,使有效的复合中心减少 ,样品的光电导上升 . 展开更多
关键词 非晶硅薄膜 光致变化 硼掺杂 光电导衰退 瞬态响应
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水下滑翔机研究现状及发展趋势 被引量：9
14
作者 刁宏伟 李宗吉 +1 位作者 王世哲 孙玉臣 《舰船科学技术》 北大核心 2022年第6期8-12,共5页
水下滑翔机作为无人水下航行器装备体系中的重要成员,是一种依靠调节浮力实现升沉、借助水动力实现水中滑翔的新型水下机器人,具有尺寸小、功耗低、航速慢、航程远、续航时间长、自主性高、制造和维护成本低等特点,能够满足长时续、大... 水下滑翔机作为无人水下航行器装备体系中的重要成员,是一种依靠调节浮力实现升沉、借助水动力实现水中滑翔的新型水下机器人,具有尺寸小、功耗低、航速慢、航程远、续航时间长、自主性高、制造和维护成本低等特点,能够满足长时续、大范围、三维连续海洋探测的需求。本文综述水下滑翔机的概念、分类与优缺点,较全面地梳理总结水下滑翔机的国内外研究现状,并对水下滑翔机未来的发展方向进行展望。 展开更多
关键词 无人水下航行器 水下滑翔机 发展现状 发展趋势
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利多卡因减轻无痛胃镜检查患者心血管反应的量效关系 被引量：8
15
作者 汤泓 王颖 +2 位作者 刁宏伟 冯翠 孙建新 《中华消化内镜杂志》 北大核心 2009年第10期537-539,共3页
在无痛胃镜检查术中，丙泊酚复合小剂量芬太尼是较常用的镇静配伍方法，但其对有潜在心脑血管疾病的老年高血压患者存在较大风险。由于丙泊酚镇静和麻醉的剂量接近，镇静镇痛相对不足或者相对过度同样会增加此类人群心脑血管并发症等严... 在无痛胃镜检查术中，丙泊酚复合小剂量芬太尼是较常用的镇静配伍方法，但其对有潜在心脑血管疾病的老年高血压患者存在较大风险。由于丙泊酚镇静和麻醉的剂量接近，镇静镇痛相对不足或者相对过度同样会增加此类人群心脑血管并发症等严重不良事件的发生风险。而利多卡因既是抗心律失常药又是酰胺类麻醉药，能增强丙泊酚麻醉效能，1．0mg／kg的利多卡因静脉注射就可显著减少老年高血压患者丙泊酚的用量，增强其心血管稳定性。 展开更多
关键词 无痛胃镜检查术 心血管反应 利多卡因 量效关系 老年高血压患者 小剂量芬太尼 酰胺类麻醉药 心脑血管并发症
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单晶硅太阳电池发射极的模拟优化 被引量：8
16
作者 赵雷 周春兰 +2 位作者 李海玲 刁宏伟 王文静 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1587-1591,共5页
针对传统p型衬底晶硅太阳电池,通过PC1D数值计算,模拟了发射极扩散峰值浓度、方块电阻、结深等对电池性能的影响规律以及该规律与硅衬底电阻率之间的依赖关系,分析了其中所蕴含的作用机理。对于磷原子浓度梯度符合余误差分布的发射极,... 针对传统p型衬底晶硅太阳电池,通过PC1D数值计算,模拟了发射极扩散峰值浓度、方块电阻、结深等对电池性能的影响规律以及该规律与硅衬底电阻率之间的依赖关系,分析了其中所蕴含的作用机理。对于磷原子浓度梯度符合余误差分布的发射极,得到扩散制结的标准为:扩散峰值浓度介于1×10^(19)～5×10^(19)cm^(-3)之间,方块电阻在100Ω/□以上。尽管电池效率在衬底电阻率为1Ω·cm时最高,并随衬底电阻率的增大而明显下降,但上述发射极扩散标准基本保持不变。 展开更多
关键词 晶硅太阳电池 发射极 扩散
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非晶微晶两相硅薄膜电池的计算机模拟 被引量：5
17
作者 郝会颖 孔光临 +3 位作者 曾湘波 许颖 刁宏伟 廖显伯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期3370-3374,共5页
在对不同晶相比硅薄膜的实验研究的基础上,利用有效介质理论估算了这种两相材料的光吸收系数、迁移率寿命乘积及带隙宽度等参量,计算机模拟了不同结晶比硅薄膜电池的伏安特性及光谱响应;结果为随着本征层微晶成分的增多,电池的开路电压... 在对不同晶相比硅薄膜的实验研究的基础上,利用有效介质理论估算了这种两相材料的光吸收系数、迁移率寿命乘积及带隙宽度等参量,计算机模拟了不同结晶比硅薄膜电池的伏安特性及光谱响应;结果为随着本征层微晶成分的增多,电池的开路电压逐渐减小,短路电流逐渐增大,本征层的最佳厚度逐渐增大,填充因子有降低的趋势,电池的效率随晶相比的增大而减小.电池的光谱响应曲线表明,随晶相比的增大电池的长波响应明显提高.根据这些模拟结果,分析讨论了在考虑Lambertian背反射的情况下,非晶微晶叠层电池的底电池采用晶相比为40%—50%的两相硅薄膜材料做本征层是最佳选择. 展开更多
关键词 计算机模拟 薄膜电池 微晶 非晶 光谱响应 光吸收系数 本征层 实验研究 两相材料 理论估算 有效介质 带隙宽度 伏安特性 开路电压 短路电流 最佳厚度 填充因子 模拟结果 分析讨论 薄膜材料 叠层电池 相比 增大 硅薄膜 迁移率
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氧化随机织构硅表面对单晶硅太阳电池性能的影响研究 被引量：7
18
作者 周春兰 励旭东 +4 位作者 王文静 赵雷 李海玲 刁宏伟 曹晓宁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期767-773,共7页
热氧化生长的SiO2薄膜经常在高效单晶硅太阳电池中被用作扩散掩膜,化学镀掩膜,钝化层或者基本的减反射层.在这些高效太阳电池中,经常使用碱性溶液对单晶硅表面进行处理,得到随机分布的正金字塔结构的织绒表面,减少表面的光反射.表面氧... 热氧化生长的SiO2薄膜经常在高效单晶硅太阳电池中被用作扩散掩膜,化学镀掩膜,钝化层或者基本的减反射层.在这些高效太阳电池中,经常使用碱性溶液对单晶硅表面进行处理,得到随机分布的正金字塔结构的织绒表面,减少表面的光反射.表面氧化后的正金字塔太阳电池暗反向电流-电压呈现"软击穿"现象,并联电阻明显下降.研究结果表明引起这些现象的原因在于氧化正金字塔表面会导致在体内形成位错型缺陷,这些缺陷能够贯穿整个pn结,导致太阳电池的并联电阻下降,同时载流子在位错型缺陷在能隙中引入的能级处发生复合,导致空间电荷区复合电流增加.通过酸性溶液对织绒表面进行化学腐蚀之后能够减少缺陷的形成. 展开更多
关键词 热氧化 随机织构 位错 太阳电池
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等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼 被引量：5
19
作者 曾湘波 廖显伯 +8 位作者 王博 刁宏伟 戴松涛 向贤碧 常秀兰 徐艳月 胡志华 郝会颖 孔光临 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期4410-4413,共4页
用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B .选用Si片作衬底 ,硅烷 (SiH4 )作硅源 ,硼烷 (B2 H6 )作掺杂气体 ,Au作催化剂 ,生长温度 4 4 0℃ .基于气 液 固 (VLS)机制 ,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制 .PECVD法... 用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B .选用Si片作衬底 ,硅烷 (SiH4 )作硅源 ,硼烷 (B2 H6 )作掺杂气体 ,Au作催化剂 ,生长温度 4 4 0℃ .基于气 液 固 (VLS)机制 ,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制 .PECVD法化学成分配比更灵活 ,更容易实现纳米线掺杂 ,进一步有望生长硅纳米线pn结 。 展开更多
关键词 纳米线 PECVD法 等离子体增强化学气相沉积法 衬底 PN结 掺硼 纳米量级 硼烷 硅源 掺杂
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表面麻醉联合静脉复合麻醉在支气管镜检查中的应用 被引量：6
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作者 尹虹雷 崔晓媛 +1 位作者 林庆艳 刁宏伟 《黑龙江医药》 CAS 2014年第2期381-383,共3页
目的:探讨不同的麻醉方法在支气管镜检查中的有效性和安全性。方法 :I组36例,常规应用2%利多卡因对鼻腔、口腔、咽喉、声门、气管黏膜实施的表面麻醉;II组28例,应用丙泊酚和芬太尼行静脉复合麻醉,丙泊酚4-12mg/kg,芬太尼0.001-0.002mg/k... 目的:探讨不同的麻醉方法在支气管镜检查中的有效性和安全性。方法 :I组36例,常规应用2%利多卡因对鼻腔、口腔、咽喉、声门、气管黏膜实施的表面麻醉;II组28例,应用丙泊酚和芬太尼行静脉复合麻醉,丙泊酚4-12mg/kg,芬太尼0.001-0.002mg/kg;III组19例,表面麻醉联合静脉复合麻醉。观察三组术前、经声门、术中和退镜后呼吸循环变化、镜检过程中的不良反应和术后不适;观察II组和III组的丙泊酚用量。结果:静脉复合麻醉可减轻支气管镜检查对呼吸循环功能的不良影响,I组在检查过程中呼吸循环功能(呼吸频率、心率、血压)均较检查前有明显改变P<0.05,II III组无明显改变P>0.05,但检查中均出现血氧饱和度明显降低,P<0.05;可减轻支气管镜检查中的不良反应,恐惧、剧咳及暂短呼吸抑制,中断操作明显减少,P<0.05;可减轻痛苦,增加耐受性,咽喉不适和胸部不适明显减少,P<0.05,术中不良记忆和"无痛"效果佳,P<0.001;表面麻醉联合静脉复合麻醉可减少丙泊酚的用量,其中年龄<20岁组,P<0.05,其余各组均为P<0.001。结论:表面麻醉联合静脉复合麻醉具有安全、无痛苦,可进一步减少心肺不良反应并可减少静脉麻醉药物的用量的特点,患者易于接受,值得在临床支气管镜检查中推广。 展开更多
关键词 表面麻醉 静脉复合麻醉 支气管镜检查
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