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题名新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望
被引量:3
- 1
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作者
刁华彬
杨凯
赵超
罗军
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机构
中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心
中国科学院大学
中国科学技术大学微电子学院
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2019年第11期875-887,901,共14页
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文摘
Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga2O3的基本性质,包括β-Ga2O3的晶体结构和电学性质,简述了基于β-Ga2O3制造的功率器件,主要包括肖特基势垒二极管(SBD)和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。总结回顾了β-Ga2O3SBD和MOSFET近年来的研究进展,比较了不同结构器件的特性,并分析了目前β-Ga2O3功率器件存在的问题。分析表明,β-Ga2O3用于高功率和高压电子器件具有巨大潜力。
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关键词
β-Ga2O3
超宽禁带半导体
功率器件
肖特基势垒二极管(SBD)
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)
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Keywords
β-Ga2O3
ultra-wide bandgap semiconductor
power device
Schottky barrier diode(SBD)
metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MOSFET)
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分类号
TN313.4
[电子电信—物理电子学]
TN386.1
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题名β-Ga2O3欧姆接触的研究进展
被引量:1
- 2
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作者
杨凯
刁华彬
赵超
罗军
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机构
中国科学技术大学微电子学院
中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研究中心
中国科学院大学
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2019年第9期681-690,共10页
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文摘
近年来,随着氧化镓(Ga2O3)晶体生长技术取得突破性进展,氧化镓材料及器件的研究与应用成为国际上超宽禁带半导体领域的研究热点。综述了β-Ga2O3衬底的一些优点以及面临的挑战,重点介绍了如何实现良好的欧姆接触。围绕采用低功函数金属、表面预处理、衬底掺杂和引入中间层的方法,阐述了目前国际上金属/β-Ga2O3欧姆接触的最新研究进展。总结了不同实验条件下可以获得的比接触电阻,目前可以获得的最低比接触电阻是4.6×10^-6Ω·cm^2。最后,预测未来金属/β-Ga2O3欧姆接触的主要研究方向是提高欧姆接触的热稳定性。
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关键词
β-Ga2O3
欧姆接触
功率器件
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)
金属电极
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Keywords
β-Ga2O3
Ohmic contact
power device
metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MOSFET)
metal electrode
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分类号
TN323.4
[电子电信—物理电子学]
TN304.2
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