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锡掺杂氧化铟纳米线的制备及场发射性能研究 被引量:1
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作者 胡小蔚 池凌飞 《汕头大学学报(自然科学版)》 2015年第3期76-80,共5页
由于晶格失配,使得直接在硅衬底上生长有序的锡掺杂的氧化铟(ITO)一维纳米阵列非常困难.本文使用化学气相沉积法,利用升温过程中形成的ITO颗粒为生长点,成功地在硅衬底上制备出排列有序的氧化铟锡(ITO)一维纳米结构.对生成物进行了扫描... 由于晶格失配,使得直接在硅衬底上生长有序的锡掺杂的氧化铟(ITO)一维纳米阵列非常困难.本文使用化学气相沉积法,利用升温过程中形成的ITO颗粒为生长点,成功地在硅衬底上制备出排列有序的氧化铟锡(ITO)一维纳米结构.对生成物进行了扫描电子显微镜(SEM),X射线能量色散谱(EDS)和X射线衍射(XRD)表征;对其进行的场发射性能测试表明,ITO纳米线阵列的场增强因子大约为1 600,有望在冷阴极材料领域得到应用. 展开更多
关键词 锡掺杂氧化铟 纳米结构 化学气相沉积 场发射性能
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表面偏析浓度非连续变化现象的定量解释
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作者 李艳秀 林旻 +3 位作者 蒋苏华 邹永恒 王江涌 《真空》 CAS 2014年第5期74-78,共5页
本文利用修正的Darken模型,对合金体系表面偏析浓度随温度和体浓度非连续变化现象给予了定量的解释,并对Cu(111)Ag合金中,表面偏析浓度随银体浓度变化的实验数据进行了拟合,获得了相应的表面偏析参数。
关键词 表面偏析 偏析参数 非连续变化 铜银合金
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