期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
941nm大功率应变单量子阱激光器的波长设计 被引量：8
1
作者 辛国锋 陈国鹰 +4 位作者 花吉珍 赵润 康志龙 冯荣珠 安振峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期1293-1298,共6页
从薛定谔方程出发推导了阶梯形有限深应变单量子阱中的特征值方程 ,研究了台阶宽度对激射波长、电子第一子能级、空穴第一子能级的影响以及空穴第一子能级对激射波长的影响 ,计算结果表明当有源区In组分较大时 ,不能忽略空穴第一子能级... 从薛定谔方程出发推导了阶梯形有限深应变单量子阱中的特征值方程 ,研究了台阶宽度对激射波长、电子第一子能级、空穴第一子能级的影响以及空穴第一子能级对激射波长的影响 ,计算结果表明当有源区In组分较大时 ,不能忽略空穴第一子能级对激射波长的影响 .该模型计算结果与实验值相吻合 . 展开更多
关键词 薛定谔方程 有限深势阱 应变量子阱 特征值方程 量子阱激光器 空穴第一子能级
原文传递
InGaAs/AlGaAs半导体激光器二维阵列 被引量：5
2
作者 辛国锋 陈国鹰 +2 位作者 冯荣珠 花吉珍 安振峰 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期684-686,共3页
用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器一维线阵列 ,然后再串联组装成二维阵列 ,在 1 0 0 0 μs的输入脉宽下 ,输出峰值功率达到 730W (77A) ,输出... 用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器一维线阵列 ,然后再串联组装成二维阵列 ,在 1 0 0 0 μs的输入脉宽下 ,输出峰值功率达到 730W (77A) ,输出光功率密度为 4 87W/cm2 ,中心激射波长为 90 3nm ,光谱半宽 (FWHM )为 4 4nm。在此条件下可以稳定工作 86 0 展开更多
关键词 激光技术 半导体激光器 金属有机化合物气相淀积 二维阵列 分别限制单量子阱
原文传递
941nm连续波高功率半导体激光器线阵列 被引量：4
3
作者 辛国锋 花吉珍 +3 位作者 陈国鹰 康志龙 安振峰 冯荣珠 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2004年第2期269-272,共4页
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长、为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A... 用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长、为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A(外微分量子效率为77％),最高转换效率超过45％,阈值电流密度为117A/cm^2,该波长的半导体激光器是Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源。 展开更多
关键词 高功率 金属有机化合物气相淀积 半导体激光器阵列 单量子阱
原文传递
9OOnm高功率半导体激光器线阵列 被引量：3
4
作者 辛国锋 冯荣珠 +1 位作者 陈国鹰 花吉珍 《激光与光电子学进展》 CSCD 2003年第3期43-44,共2页
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质。利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉宽1000μs、13Hz的输入电流抽运下,输出峰值功率接近60W(室温... 利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质。利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉宽1000μs、13Hz的输入电流抽运下,输出峰值功率接近60W(室温,电流87A),斜率效率为0.64W/A。 展开更多
关键词 半导体激光器线阵列 金属有机化台物气相淀积 单量子阱 材料结构 制作工艺
原文传递
连续波工作高功率应变单量子阱半导体激光器 被引量：2
5
作者 辛国锋 陈国鹰 +5 位作者 花吉珍 康志龙 赵卫青 安振峰 冯荣珠 牛健 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期476-479,共4页
利用金属有机化合物气相淀积 ( MOCVD)技术成功生长了 In Ga As/Ga As/Al Ga As分别限制应变单量子阱材料 ,用该材料制成的单管半导体激光器在室温下连续波输出功率高达 2 .36 W,中心激射波长为 94 4nm,斜率效率高达 0 .96 W/A,阈值电... 利用金属有机化合物气相淀积 ( MOCVD)技术成功生长了 In Ga As/Ga As/Al Ga As分别限制应变单量子阱材料 ,用该材料制成的单管半导体激光器在室温下连续波输出功率高达 2 .36 W,中心激射波长为 94 4nm,斜率效率高达 0 .96 W/A,阈值电流密度为 177.8A/cm2。该波长的半导体激光器是 Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源。 展开更多
关键词 应变单量子阱 半导体激光器 金属有机化合物气相淀积 连续波 MOCVD 结构设计 材料结构
下载PDF
InGaAs/AlGaAs941nm高功率半导体激光二极管阵列 被引量：2
6
作者 辛国锋 花吉珍 +3 位作者 陈国鹰 康志龙 冯荣珠 安振峰 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期698-700,共3页
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器线阵的峰值波长为941nm,光谱的半高全宽(FWHM)为3.3nm,在400μs、50Hz的输入电流下,输出峰值功率达到67.9W... 利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器线阵的峰值波长为941nm,光谱的半高全宽(FWHM)为3.3nm,在400μs、50Hz的输入电流下,输出峰值功率达到67.9W,斜率效率高达0.85W/A(64%)。 展开更多
关键词 金属有机化合物气相淀积 MOCVD 半导体激光器 分别限制结构 单量子阱 激光二极管
原文传递
半导体激光器阵列隔离槽的湿法腐蚀
7
作者 辛国锋 陈国鹰 +4 位作者 冯荣珠 花吉珍 安振峰 牛健 赵卫青 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1089-1092,共4页
研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程 ,其中HF(40 %) /CrO3 (33wt%)腐蚀液比较适合 ,用扫描电子显微镜 (SEM)对其腐蚀情况进行了分析 ,并给出了利用这种腐蚀液进行腐蚀的半导体激光器阵列隔离槽的图像 .通过调节HF/Cr... 研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程 ,其中HF(40 %) /CrO3 (33wt%)腐蚀液比较适合 ,用扫描电子显微镜 (SEM)对其腐蚀情况进行了分析 ,并给出了利用这种腐蚀液进行腐蚀的半导体激光器阵列隔离槽的图像 .通过调节HF/CrO3 腐蚀液的体积比 (从 0 0 2到 0 2 ) ,确定了AlxGa1-xAs组分渐变材料的腐蚀条件 (室温 2 3℃ ,腐蚀时间 4min)以及最佳配比 (体积比为 0 1) .利用这种腐蚀液得到的腐蚀图形可以满足激光器阵列的要求 . 展开更多
关键词 化学湿法腐蚀 半导体激光器阵列 扫描电子显微镜
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部