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微光刻技术的发展 被引量：10
1
作者 冯伯儒 张锦 +1 位作者 侯德胜 陈芬 《微细加工技术》 2000年第1期1-9,共9页
阐述了光刻技术的发展及其分辨极限 ,对准分子激光光刻技术及其发展作了比较详细的论述。
关键词 微光刻技术 准分子激光光刻 集成电路
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反应离子刻蚀工艺因素研究 被引量：22
2
作者 张锦 冯伯儒 +4 位作者 杜春雷 王永茹 周礼书 侯德胜 林大键 《光电工程》 CAS CSCD 1997年第S1期47-52,共6页
通过大量的实验研究，介绍了反应离子刻蚀的原理，分析了不同材料反应离子刻蚀的机理和关键的工艺因素，给出了工艺参数结果。
关键词 离子束光刻 离子腐蚀 光刻工艺
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相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术 被引量：15
3
作者 冯伯儒 张锦 +2 位作者 侯德胜 周崇喜 苏平 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期1-5,共5页
详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法。
关键词 相移掩模 光学邻近效应校正 光刻技术
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用于大面积周期性图形制造的激光干涉光刻 被引量：18
4
作者 张锦 冯伯儒 +5 位作者 郭永康 蒋世磊 宗德蓉 杜惊雷 曾阳素 高福华 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期20-23,共4页
用两束或多束相干激光束以不同的组合形式对光致抗蚀剂曝光,可在大面积范围内产生精细的二维周期性图形,这个方法特别适合于产生光电子器件和微电子器件的周期性结构。介绍激光干涉光刻的基本原理,对几种光束组合干涉方法给出了理论推... 用两束或多束相干激光束以不同的组合形式对光致抗蚀剂曝光,可在大面积范围内产生精细的二维周期性图形,这个方法特别适合于产生光电子器件和微电子器件的周期性结构。介绍激光干涉光刻的基本原理,对几种光束组合干涉方法给出了理论推导结果,并进行了计算机模拟。初步的实验结果表明,用激光干涉光刻技术产生大面积的亚微米级周期性孔、柱、锥图形是可行的。该方法不需要掩模、昂贵的光刻成像透镜、新的短波长光源和新型的抗蚀剂,提供了得到高分辨、无限焦深、大面积光刻的可能性。 展开更多
关键词 干涉光刻 激光干涉 计算机模拟 周期性图形制造
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四激光束干涉光刻制造纳米级孔阵的理论分析 被引量：13
5
作者 张锦 冯伯儒 郭永康 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期398-401,共4页
为提供一个在大范围内曝光出深亚微米甚至纳米级周期性密集图形的廉价的方法 ,研究了四激光束干涉光刻的原理 ,分析了干涉曝光的结果 ,并进行了计算机模拟 用现有的光源 ,如4 4 2nm、365nm、2 4 8nm、193nm激光 ,曝光得到的图形的临界... 为提供一个在大范围内曝光出深亚微米甚至纳米级周期性密集图形的廉价的方法 ,研究了四激光束干涉光刻的原理 ,分析了干涉曝光的结果 ,并进行了计算机模拟 用现有的光源 ,如4 4 2nm、365nm、2 4 8nm、193nm激光 ,曝光得到的图形的临界尺寸容易做到 180～ 70nm 具有实际上无限制的焦深和容易实现的大视场 适合硅基CCDs。 展开更多
关键词 纳米级孔阵 四激光束干涉光刻 微细加工光学技术 干涉曝光 计算机模拟 半导体制造业
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激光直接光刻制作微透镜列阵的方法研究 被引量：8
6
作者 杜春雷 林大键 +3 位作者 冯伯儒 孙国良 徐平 郭履容 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期1194-1196,共3页
介绍了利用激光直接光刻技术制作８相位台阶菲涅尔衍射微透镜列阵的工艺方法，并对元件的衍射效率及光刻过程中的制作误差进行了分析，透镜列阵在小形Ｓｈａｃｋ－Ｈａｒｔｍａｎｎ波前传感器中得到了应用。
关键词 激光 直接 光刻 微透镜列阵 衍射光学元件
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纳米光刻技术 被引量：10
7
作者 罗先刚 姚汉民 +2 位作者 严佩英 陈旭南 冯伯儒 《物理》 CAS 2000年第6期358-360,共3页
纳米科学技术将成为新世纪信息时代的核心 .纳米量级结构作为研究微观量子世界的重要基础之一 ,其制作技术是整个纳米技术的核心基础 ,已成为当前世界科学研究急需解决的问题 .文章针对目前的科技发展情况 ,介绍了几种纳米光刻技术的实... 纳米科学技术将成为新世纪信息时代的核心 .纳米量级结构作为研究微观量子世界的重要基础之一 ,其制作技术是整个纳米技术的核心基础 ,已成为当前世界科学研究急需解决的问题 .文章针对目前的科技发展情况 ,介绍了几种纳米光刻技术的实现新途径、发展现状和关键问题 .详细阐述了波前工程、电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻、原子光刻、干涉光刻、极紫外光刻以及 15 7光刻的原理和实现难点 .作为下一代各种光刻技术 ,它们都有望实现纳米量级的图形 ,但各种技术可实现的分辨力极限有所不同 .5 0nm以上分辨力可以用 193nm光刻结合波前工程和干涉光刻实现 .5 0nm左右的分辨力可用极紫外光刻、15 7光刻和 12 6nm光刻实现 .而电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻、原子光刻则可望实现几个纳米的分辨力 .但是这些技术的完善还有待于诸如光学系统、抗蚀剂、精密控制等等相关技术的成熟 .文章还讨论了纳米光刻技术的应用前景 . 展开更多
关键词 纳米光刻 波前工程 电子束光刻 离子事光刻
原文传递
波前分割无掩模激光干涉光刻的实现方法 被引量：9
8
作者 冯伯儒 张锦 郭永康 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期8-10,共3页
激光干涉光刻不受传统光学光刻系统光源和数值孔径的限制,其极限尺寸CD达到曝光波长 的1/4,研究了波前分割双光束、三光束方法及四光束无掩模激光干涉光刻方法,提出了可用于五光束和多种多光束和多次曝光的梯形棱镜波前分割干涉光刻方... 激光干涉光刻不受传统光学光刻系统光源和数值孔径的限制,其极限尺寸CD达到曝光波长 的1/4,研究了波前分割双光束、三光束方法及四光束无掩模激光干涉光刻方法,提出了可用于五光束和多种多光束和多次曝光的梯形棱镜波前分割干涉光刻方法。用自行建立的梯形棱镜波前分割系统进行了多光束干涉曝光实验,得到孔尺寸约220nm的阵列图形。 展开更多
关键词 干涉光刻 激光光刻 无掩模 波前分割
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可提高光刻分辨率的新技术 被引量：8
9
作者 罗先刚 姚汉民 +2 位作者 周冲喜 冯伯儒 陈旭南 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第9期834-837,共4页
详细研究了离轴掩模的原理 ,将离轴照明 (OAI)与相移掩模 (PSM)技术结合起来 ,在掩模上同时实现两种功能 ,较大程度地提高了光刻分辨力 .实验表明 ,在数值孔径 0 .42 ,i线曝光波长下 ,可将光刻分辨力从 0 .8μm提高到 0 .5μm.
关键词 离轴照明 相移掩模 光刻分辨力 大规模集成电路
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振幅分割无掩模激光干涉光刻的实现方法 被引量：7
10
作者 张锦 冯伯儒 郭永康 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期11-15,共5页
无掩模激光干涉光刻中的分束方法一般有波前分割和振幅分割。研究和比较了振幅分割无 掩模激光干涉光刻方法和系统,包括振幅分割双光束干涉系统、三光束干涉系统、液浸式深紫外干涉系统及全自动干涉光刻系统。建立了双光束双曝光干涉光... 无掩模激光干涉光刻中的分束方法一般有波前分割和振幅分割。研究和比较了振幅分割无 掩模激光干涉光刻方法和系统,包括振幅分割双光束干涉系统、三光束干涉系统、液浸式深紫外干涉系统及全自动干涉光刻系统。建立了双光束双曝光干涉光刻实验系统。模拟和实验结果表明,对点阵或孔阵图形,在同样的图形尺度下,无掩模干涉光刻比传统光刻简单得多。 展开更多
关键词 干涉光刻 激光光刻 振幅分割 无掩模
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无掩模激光干涉光刻技术研究 被引量：4
11
作者 冯伯儒 张锦 +4 位作者 宗德蓉 蒋世磊 苏平 陈宝钦 陈芬 《微纳电子技术》 CAS 2002年第3期39-42,共4页
介绍了一种不用掩模的光刻技术———激光干涉光刻技术的基本原理,给出了干涉光刻技术的主要特点及一些可能的应用,并对实验系统和初步实验结果进行了分析。研究表明,激光干涉光刻具有大视场和分辨率高和视场宽等优点。
关键词 无掩模激光干涉光刻技术 微光刻技术 干涉光刻 场发射显示器
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光刻技术及其极限和发展前景 被引量：4
12
作者 冯伯儒 《光电工程》 CAS CSCD 1994年第2期57-64,共8页
介绍了一些新的光刻技术及光刻技术的极限和发展前景。
关键词 光刻 极限分辨率 掩模 照明控制 集成电路
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成像干涉光刻技术与离轴照明光刻技术的对比分析 被引量：4
13
作者 刘娟 张锦 冯伯儒 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1480-1484,共5页
作为分辨率增强技术(RET)之一,离轴照明技术(OAI)通过调整照明方式,不但能提高分辨率还能很好地改善焦深.成像干涉光刻技术(IIL)利用多次曝光分别记录物体空间频率的不同部分,极大地提高了成像质量,其中大角度倾斜照明是对OAI的扩展.从... 作为分辨率增强技术(RET)之一,离轴照明技术(OAI)通过调整照明方式,不但能提高分辨率还能很好地改善焦深.成像干涉光刻技术(IIL)利用多次曝光分别记录物体空间频率的不同部分,极大地提高了成像质量,其中大角度倾斜照明是对OAI的扩展.从成像原理和频域范围的角度对IIL和OAI进行了理论研究、计算模拟和对比分析.结果表明,在同样条件下,IIL相对于OAI可更好地分辨细微特征. 展开更多
关键词 倾斜照明 成像干涉光刻技术 离轴照明技术 光刻技术
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成像干涉光刻技术及其频域分析 被引量：3
14
作者 刘娟 冯伯儒 张锦 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期24-27,共4页
传统光学光刻技术(OL)由于其固有的限制,虽然可对任意图形成像,但分辨力较低。无掩模激光干涉光刻技术(IL)的分辨力可达l /4,却局限于周期图形。成像干涉光刻技术(IIL)结合了二者的优点,用同一个系统分次传递物体不同的空间频率,能更有... 传统光学光刻技术(OL)由于其固有的限制,虽然可对任意图形成像,但分辨力较低。无掩模激光干涉光刻技术(IL)的分辨力可达l /4,却局限于周期图形。成像干涉光刻技术(IIL)结合了二者的优点,用同一个系统分次传递物体不同的空间频率,能更有效地传递物体的信息,以高分辨力对任意图形成像。初步模拟研究表明,在同样的曝光波长和数值孔径下,对同样特征尺寸的掩模图形,IIL得到的结果好于OL。在CD=150nm时,IIL相对于OL把分辨力提高了1.5倍多。 展开更多
关键词 成像干涉光刻 空间频率 频域分析
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双光束双曝光与四光束单曝光干涉光刻方法的比较 被引量：4
15
作者 张锦 冯伯儒 郭永康 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期21-24,62,共5页
双光束双曝光和四光束单曝光是无掩模激光干涉光刻的两种典型方法,都容易利用现有光刻工艺,在不需掩模和高精度光刻物镜的情况下,用简单廉价光学系统在大视场和深曝光场内形成孔阵、点阵或锥阵等周期性图形。双光束双曝光法得到的阵列... 双光束双曝光和四光束单曝光是无掩模激光干涉光刻的两种典型方法,都容易利用现有光刻工艺,在不需掩模和高精度光刻物镜的情况下,用简单廉价光学系统在大视场和深曝光场内形成孔阵、点阵或锥阵等周期性图形。双光束双曝光法得到的阵列图形周期极限为λ/2;四光束单曝光的周期略大,为前者的2倍。模拟和实验结果表明,通过控制曝光和显影工艺,双光束双曝光较四光束单曝光能更灵活地得到孔阵或点阵,而四光束单曝光得到的图形孔与孔之间没有鞍点,较双光束双曝光形成的孔侧壁更陡。这两种方法在需要在大面积范围内形成孔或点这类周期阵列图形的微电子和光电子器件的制造领域有很好的应用前景。 展开更多
关键词 干涉光刻 无掩模 双光束双曝光 四光束单曝光
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无铬相移掩模光刻技术 被引量：5
16
作者 冯伯儒 陈宝钦 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第4期328-332,共5页
本文论述了相移掩模(PSM)提高光刻分辨率的基本原理、主要类型、无铬 PSM 的制作方法,简述了曝光实验和实验结果.用 NA=0.28的 g 线光刻机得到了0.5μm的实际分辨率.
关键词 相移掩膜 无铬 光刻技术 大规模集成电路
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投影光刻技术的计算机模拟研究 被引量：4
17
作者 范建兴 冯伯儒 +1 位作者 张锦 周崇喜 《微细加工技术》 EI 1996年第4期23-31,共9页
投影光刻技术的计算机模拟分为三部分：空间像强度分布计算，曝光计算和显影计算。本文分别讨论了各部分数学模型的建立，计算方法及特点，并给出了一些研究结果。
关键词 投影光刻 计算机模拟 光刻技术
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相移掩模对曝光图形空间像光强分布影响的计算机模拟 被引量：5
18
作者 沈锋 冯伯儒 孙国良 《微细加工技术》 1995年第1期7-14,共8页
本文讨论了提高曝光分辨率的一种主要方法：相移掩模方法。分析了相移掩模提高分辨率的原理，提出了相移掩模成像的模拟思想，推导了数学公式，并实现了计算机模拟，给出了一些初步结果。
关键词 相移掩模 光刻 计算机模拟 VLSI 集成电路
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准分子激光的应用 被引量：4
19
作者 冯伯儒 《微细加工技术》 1994年第3期43-51,共9页
本文介绍了准分子激光器的基本类型、主要应用领域及其与材料相互作用的机理。对准分子激光在电子工业、生物医学和材料加工方面的一些重要应用做了比较详细的论述。
关键词 准分子激光器 准分激光 应用
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激光直写系统制作掩模和器件的工艺 被引量：4
20
作者 侯德胜 冯伯儒 +2 位作者 张锦 杜春雷 邱传凯 《微细加工技术》 EI 1999年第1期55-61,共7页
激光直写系统是国际上９０年代制作集成电路光刻掩模版的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室从加拿大引进了国内第一台激光直写系统。利用这台系统，通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光，将设计图形直接转移到掩模或硅... 激光直写系统是国际上９０年代制作集成电路光刻掩模版的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室从加拿大引进了国内第一台激光直写系统。利用这台系统，通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光，将设计图形直接转移到掩模或硅片上。激光直写系统的应用，可以分成一次曝光制作光刻掩模和多次套刻曝光制作器件两个方面。介绍使用激光直写系统制作光刻掩模和套刻器件的具体工艺。 展开更多
关键词 激光直写 光刻掩模 半导体器件 微电子工艺
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