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多晶硅不同晶面陷阱坑形貌与陷光效应的关系 被引量：12
1
作者 王坤霞 冯仕猛 +4 位作者 徐华天 田嘉彤 杨树泉 黄建华 裴骏 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期280-286,共7页
提出了多晶硅表面陷阱坑内表面高次绒面的陷光模型。利用测不准原理,分析了光子散射方向与绒面上凸点大小的关系,利用光学傅里叶变换推导了光子逃逸陷阱坑概率与绒面陷阱坑形貌的关系。理论分析结果表明内表面布满凹凸点的U字形陷阱坑... 提出了多晶硅表面陷阱坑内表面高次绒面的陷光模型。利用测不准原理,分析了光子散射方向与绒面上凸点大小的关系,利用光学傅里叶变换推导了光子逃逸陷阱坑概率与绒面陷阱坑形貌的关系。理论分析结果表明内表面布满凹凸点的U字形陷阱坑反射率比V字形的低;而内表面光滑的U字形陷阱坑的反射率比V字形的高。利用扫描电子显微镜拍摄了碱液刻蚀的多晶硅样品表面图像,分析了碱液刻蚀的不同晶面陷阱坑的形貌。[100]晶面呈峡谷状的陷阱坑,[111]晶面呈扭曲的U字形凹坑,[110]晶面则显示混合结构。实验测量了样品不同晶面的反射率曲线,证实了U字形陷阱坑的绒面具有相对低的反射率,与理论分析结果基本吻合。 展开更多
关键词 表面光学 多晶硅 表面结构 陷光效应 反射率
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温度对多晶硅太阳电池性能影响的研究 被引量：12
2
作者 贺炜 郭爱娟 +1 位作者 孟凡英 冯仕猛 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期454-457,共4页
对商业用冶金级和太阳能级多晶硅太阳电池不同温度下的性能参数做了分析,验证了太阳能级硅电池的性能优势。实验结果表明,随着温度T的升高,开路电压V_(oc),最大输出功率P_m,转换效率η近似线性下降,短路电流I_(sc)近似线性上升,填充因... 对商业用冶金级和太阳能级多晶硅太阳电池不同温度下的性能参数做了分析,验证了太阳能级硅电池的性能优势。实验结果表明,随着温度T的升高,开路电压V_(oc),最大输出功率P_m,转换效率η近似线性下降,短路电流I_(sc)近似线性上升,填充因子FF的实验值和理论值变化趋势一致,当T>40℃时,FF随T升高明显下降。对开路电压V_(oc)随温度T升高的线性下降速率dV_(oc)/dT进行定量分析。dI_(sc)/dT变化量与dV_(oc)/dT相比可以忽略。 展开更多
关键词 太阳电池 多晶硅 组件 温度
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表面等离子体激元共振溶胶凝胶薄膜传感器 被引量：9
3
作者 顾铮天 冯仕猛 +1 位作者 梁培辉 张伟清 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期83-87,共5页
采用溶胶 凝胶金属氧化物半导体薄膜 ,作为表面等离子体激元共振效应的光化学传感器的传感介质。分析了金属Ag膜与传感薄膜的光学参数对传感器灵敏度的影响。通过在金属层与传感层之间优化设计中间层 ,进一步提高了传感器灵敏度。选择S... 采用溶胶 凝胶金属氧化物半导体薄膜 ,作为表面等离子体激元共振效应的光化学传感器的传感介质。分析了金属Ag膜与传感薄膜的光学参数对传感器灵敏度的影响。通过在金属层与传感层之间优化设计中间层 ,进一步提高了传感器灵敏度。选择SnO2 薄膜及SiO2 薄膜作为传感层与中间层 ,对三种气体NH3、C2 H5 OH、C3H8进行气敏实验 ,结果表明结构优化的传感器具有更高的灵敏度。 展开更多
关键词 表面等离子体激元共振 溶胶-凝胶 薄膜传感器 光学参数 光化学传感器
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均匀照明LED背光板设计 被引量：9
4
作者 周羲君 冯仕猛 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期774-779,共6页
当前越来越多的液晶显示器都朝着低功耗的方向发展,而降低功耗的直接方法是减少作为光源的LED数目及功耗,但因LED颗数变少,使LED间距增大而产生hot spot。为解决这个问题,文中在不改变LED与导光板之间空气层的前提下,增大相邻LED之间间... 当前越来越多的液晶显示器都朝着低功耗的方向发展,而降低功耗的直接方法是减少作为光源的LED数目及功耗,但因LED颗数变少,使LED间距增大而产生hot spot。为解决这个问题,文中在不改变LED与导光板之间空气层的前提下,增大相邻LED之间间距,达了到很好的混光效果。由于LED入射导光板的光入射角增大,解决了在LED背光模组的hot spot现象,使均匀性得到最大程度的改善,这一研究对于提高低功耗液晶显示器显示效果具有一定的参考意义。 展开更多
关键词 LED 均匀性
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单晶硅表面金字塔生长过程的实验研究 被引量：8
5
作者 田嘉彤 冯仕猛 +5 位作者 王坤霞 徐华天 刘峰 黄建华 杨树泉 裴俊 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1505-1508,共4页
在普通碱液中添加一种特殊的添加剂,在不同时间下对单晶硅表面进行刻蚀.用扫描电子显微镜观察样品表面形貌,结果显示:单晶硅片放入加入添加剂2mL的刻蚀液中,经过10min刻蚀后晶体表面零星出现大小不一的金字塔,并有大面积的平滑区;刻蚀15... 在普通碱液中添加一种特殊的添加剂,在不同时间下对单晶硅表面进行刻蚀.用扫描电子显微镜观察样品表面形貌,结果显示:单晶硅片放入加入添加剂2mL的刻蚀液中,经过10min刻蚀后晶体表面零星出现大小不一的金字塔,并有大面积的平滑区;刻蚀15min后金字塔大小趋向一致,平滑区面积缩小;刻蚀20min硅片表面形成平均尺寸为2～4μm金字塔绒面结构,并且均匀性好、覆盖率高;刻蚀25min后,进入过腐蚀阶段,金字塔出现变大的现象.研究表明:与传统碱腐蚀相比,添加剂可以缩短单晶硅刻蚀时间,并获得较为理想的绒面结构,在工业上应用可以降低生产成本和生产时间,提高生产率. 展开更多
关键词 单晶硅 微结构 绒面
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多晶硅表面陷阱坑形貌对表面光反射率的影响 被引量：8
6
作者 钱勇 冯仕猛 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期294-299,共6页
利用光学傅里叶变换研究多晶硅绒面微结构形貌与反射率之间的关系。理论分析表明:多晶硅绒面反射率与表面微结构形貌、单位面积上陷阱坑数量有关。如绒面由V字型槽或坑构成,则绒面反射率比较高;如多晶硅表面上密集布满U字形坑或槽、内... 利用光学傅里叶变换研究多晶硅绒面微结构形貌与反射率之间的关系。理论分析表明:多晶硅绒面反射率与表面微结构形貌、单位面积上陷阱坑数量有关。如绒面由V字型槽或坑构成,则绒面反射率比较高;如多晶硅表面上密集布满U字形坑或槽、内表面绒面化,这种结构构成的绒面反射率低。实验上用不同比例的酸液刻蚀多晶体表面,用扫描电镜(SEM)观察多晶硅表面SEM图,测量了其表面反射率,分析表面结构形貌与反射率的关系。实验结果与理论分析相吻合。 展开更多
关键词 太阳能电池 多晶硅 形貌 陷光效应 反射率
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金属薄膜厚度小于电子自由程对其光反射率的影响 被引量：7
7
作者 林育琼 冯仕猛 +2 位作者 王坤霞 顾俊 刘少军 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期263-266,共4页
提出了金属薄膜厚度对薄膜中自由电子的平均自由程影响的物理模型,并给出了薄膜中自由电子的平均自由程的修正公式.理论研究表明:当膜厚小于自由电子的平均自由程时,薄膜中电子平均自由程随膜厚的减小而减小;当膜厚大于或等于自由电子... 提出了金属薄膜厚度对薄膜中自由电子的平均自由程影响的物理模型,并给出了薄膜中自由电子的平均自由程的修正公式.理论研究表明:当膜厚小于自由电子的平均自由程时,薄膜中电子平均自由程随膜厚的减小而减小;当膜厚大于或等于自由电子的平均自由程时,薄膜中电子的平均自由程与块状材料一样.利用薄膜中电子平均自由程的计算公式,修正了薄膜导电率的基本理论表达式,再利用金属薄膜的反射率与薄膜导电率的关系,得出金属薄膜厚度对其光反射率的影响.计算机模拟表明:当薄膜厚度小于电子自由程时,金属薄膜反射率随薄膜厚度变化而呈非线性关系. 展开更多
关键词 金属薄膜 反射率 平均自由程 电导率
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表面钝化对多晶硅绒面形貌的影响 被引量：6
8
作者 王坤霞 冯仕猛 +6 位作者 徐华天 单以洪 田嘉彤 黄建华 杨树泉 黄璐 周利荣 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期236-239,共4页
多晶硅表面制绒技术是太阳能光伏产业亟待突破的一个关键技术.本文根据多晶硅强酸制绒的基本原理,提出了表面活性剂钝化多晶硅表面以降低硅原子与酸反应速度从而改善多晶硅绒面形貌的方法.实验研究了不同含量的添加剂对酸液刻蚀多晶硅... 多晶硅表面制绒技术是太阳能光伏产业亟待突破的一个关键技术.本文根据多晶硅强酸制绒的基本原理,提出了表面活性剂钝化多晶硅表面以降低硅原子与酸反应速度从而改善多晶硅绒面形貌的方法.实验研究了不同含量的添加剂对酸液刻蚀多晶硅绒面形貌的影响,用扫描电镜观察对应的绒面结构,用积分反射仪测量其绒面的表面反射率.实验结果表明:加入活性剂后酸液能使多晶硅表面陷阱坑分布更加均匀,并且能有效消除产生漏电流的缺陷性深沟槽,样品表面反射率比较低,其表面反射率降低到21.5%.与传统酸液腐蚀的多晶硅绒面结构相比,陷阱坑密度明显增加,这种方法在多晶硅太阳电池的生产中是有价值的. 展开更多
关键词 多晶硅 绒面技术 陷光效应 反射率
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溅射功率对多层膜质量的影响 被引量：4
9
作者 冯仕猛 赵海鹰 +2 位作者 窦晓鸣 范正修 邵建达 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1300-1302,共3页
用磁控溅射技术制备薄膜 ,用X射线衍射研究在基片和靶间距离固定的情况下不同的溅射功率对薄膜结构的影响。结果表明 :过低的溅射功率下淀积的薄膜有畸变的X射线衍射特征峰 ,特征峰强度小 ,半峰全宽大。而比较高溅射功率得到的薄膜有比... 用磁控溅射技术制备薄膜 ,用X射线衍射研究在基片和靶间距离固定的情况下不同的溅射功率对薄膜结构的影响。结果表明 :过低的溅射功率下淀积的薄膜有畸变的X射线衍射特征峰 ,特征峰强度小 ,半峰全宽大。而比较高溅射功率得到的薄膜有比较尖锐的X射线衍射特征峰 ,强度高和半峰全宽非常窄。研究表明 ,X射线衍射特征峰强度小和半峰全宽大的薄膜结构疏松 ,而强度高和半峰全宽非常窄的薄膜结构致密。 展开更多
关键词 多层膜 质量 磁控溅射 溅射功率 薄膜
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碱液刻蚀的多晶硅不同晶面微结构实验研究 被引量：6
10
作者 王坤霞 冯仕猛 +4 位作者 徐华天 田嘉彤 杨树泉 黄建华 裴骏 《中国科学：技术科学》 EI CSCD 北大核心 2012年第6期643-648,共6页
多晶硅碱液刻蚀技术一直是多晶硅太阳能电池研究的关键性技术之一.在普通的碱刻蚀液中加入一种添加剂,在温度78~80°C之间刻蚀多晶硅表面20min,用SEM观察多晶体硅表面结构.在多晶硅表面上首次观察到了碱液刻蚀出的密集均匀分布的陷... 多晶硅碱液刻蚀技术一直是多晶硅太阳能电池研究的关键性技术之一.在普通的碱刻蚀液中加入一种添加剂,在温度78~80°C之间刻蚀多晶硅表面20min,用SEM观察多晶体硅表面结构.在多晶硅表面上首次观察到了碱液刻蚀出的密集均匀分布的陷阱坑,只是样品不同晶面上的陷阱坑形貌稍有不同.[100]晶面上主要由纵横交错的致密的小硅山脉构成,小硅山脉之间存在长长的峡谷式的陷阱坑（沟）;[110]晶面上密布大量的畸变三角形陷阱坑或矩形坑（洞）;[111]晶面则分布蚯蚓状的陷阱坑.用积分反射仪测量了样品表面光反射率,在400~900nm波段平均反射率下降到20.5%.实验研究表明：添加剂能调节碱的刻蚀特性,经过添加剂调剂的碱液能在多晶硅表面刻蚀出具有良好陷光效应的绒面,添加剂调节的碱液刻蚀技术是一种有前途的多晶硅制绒技术. 展开更多
关键词 多晶硅 化学刻蚀 表面结构 陷光效应 反射率
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含氟表面活性剂对多晶硅绒面微结构的影响 被引量：5
11
作者 林育琼 冯仕猛 +3 位作者 王坤霞 顾俊 刘少军 刘峰 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期502-505,共4页
在酸制绒液中加入含氟表面活性剂,对多晶硅片制绒。然后通过扫描电子显微镜观察多晶硅表面织构,并在此基础上分析含氟表面活性剂对腐蚀效果的影响。实验结果表明:虽然传统酸液对多晶硅制绒是各向同性的,但加入含氟表面活性剂后,酸腐蚀... 在酸制绒液中加入含氟表面活性剂,对多晶硅片制绒。然后通过扫描电子显微镜观察多晶硅表面织构,并在此基础上分析含氟表面活性剂对腐蚀效果的影响。实验结果表明:虽然传统酸液对多晶硅制绒是各向同性的,但加入含氟表面活性剂后,酸腐蚀出现各向异性腐蚀特性;由此制备的多晶硅片反射率从25.7%下降到了23.9%,表面出现变形的金字塔、三角形等,且不同晶面的金字塔和三角形的大小和倾斜角度不同。最后根据杨氏理论,从界面张力的角度解释了含氟表面活性剂对制绒的影响机理。 展开更多
关键词 氟表面活性剂 多晶硅片 绒面
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两步酸修饰的多晶硅绒面结构 被引量：5
12
作者 林育琼 冯仕猛 +3 位作者 王坤霞 裴俊 刘绍军 刘峰 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期707-710,共4页
本文提出两步法制备多晶硅表面绒面技术,用两次化学腐蚀修饰多晶硅片的表面。实验中首先采用腐蚀液HF/NaNO2/H2O对多晶硅表面进行腐蚀,然后采用腐蚀液HF/HNO3/(NH4)2C2O4/H2O对其表面进一步修饰。通过多晶硅SEM表面形貌图分析,两步法修... 本文提出两步法制备多晶硅表面绒面技术,用两次化学腐蚀修饰多晶硅片的表面。实验中首先采用腐蚀液HF/NaNO2/H2O对多晶硅表面进行腐蚀,然后采用腐蚀液HF/HNO3/(NH4)2C2O4/H2O对其表面进一步修饰。通过多晶硅SEM表面形貌图分析,两步法修饰的多晶硅表面有形状如蚯蚓状的腐蚀坑,腐蚀坑的深度和分布密度相对较大。通过反射谱分析了多晶硅片表面陷光效果,并与用其它方法修饰的硅表面陷光效果进行了对比,与传统配方HF/HNO3/H2O获得的多晶硅表面相比,综合平均反射率下降了7%左右。这种方法获得的多晶硅表面能有效收集太阳光,有利于提高太阳能电池的转换效率。 展开更多
关键词 酸腐蚀法 表面结构 陷光效应 反射率
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SnO_2∶Zr薄膜对SO_2气体的光学气敏特性研究 被引量：1
13
作者 汤兆胜 赵强 +1 位作者 冯仕猛 范正修 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第3期277-281,共5页
采用双靶反应溅射制得 Sn O2 ∶ Zr薄膜 ,并对它作了 1 5 0°C下 SO2 气敏光学特性试验 ,首次发现在适当工艺条件下制得的 Sn O2 ∶Zr薄膜在近红外波段 (1 .7～ 3 μm)对 SO2 气体具有明显的光学气敏特性 ,在 2 .65 μm附近透过率... 采用双靶反应溅射制得 Sn O2 ∶ Zr薄膜 ,并对它作了 1 5 0°C下 SO2 气敏光学特性试验 ,首次发现在适当工艺条件下制得的 Sn O2 ∶Zr薄膜在近红外波段 (1 .7～ 3 μm)对 SO2 气体具有明显的光学气敏特性 ,在 2 .65 μm附近透过率上升幅度达 1 0 %左右 .Zr的引入增强了 Sn O2 薄膜对 SO2 的吸附能力 .用二次离子质谱对吸附 SO2 前后的薄膜作了组分相对含量分析 .本实验结果对今后研究高性能 SO2 气敏传感器有一定的价值 . 展开更多
关键词 气体传感器 薄膜 二氧化硫 光学气敏特性
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亚硝酸钠刻蚀液对多晶硅表面陷阱坑形貌的影响 被引量：4
14
作者 钱勇 冯仕猛 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期87-89,共3页
酸刻蚀多晶硅表面技术是当前太阳能研究的热点之一。利用亚硝酸钠比硝酸钠氧化能力弱的特点,在普通酸刻蚀液中用亚硝酸钠取代硝酸配制多晶硅表面刻蚀液,然后在相同的工艺条件下刻蚀多晶硅表面。实验样品的SEM显示:含有NaNO2酸刻蚀液使... 酸刻蚀多晶硅表面技术是当前太阳能研究的热点之一。利用亚硝酸钠比硝酸钠氧化能力弱的特点,在普通酸刻蚀液中用亚硝酸钠取代硝酸配制多晶硅表面刻蚀液,然后在相同的工艺条件下刻蚀多晶硅表面。实验样品的SEM显示:含有NaNO2酸刻蚀液使多晶硅表面能布满蚯蚓状的腐蚀坑,腐蚀坑的深度比传统的酸刻蚀的陷阱坑深,而且密度分布比较均匀,样品平均反射率下降到23.5%,与传统配方酸刻蚀液刻蚀的多晶硅表面相比,平均反射率下降了8%左右。 展开更多
关键词 多晶硅 表面修饰 形貌 反射率
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组分和应力不均匀分布对薄膜铁电性的影响 被引量：4
15
作者 赵强 汤兆胜 +1 位作者 冯仕猛 范正修 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第4期249-252,共4页
采用组合靶射频溅射的方法、制备后慢速降温的途径在（１１１）Ｓｉ基板上制备出了成膜较好的 ＰｂＴｉＯ３薄膜。通过测试分析发现在薄膜中形成了一个缓解应力的过渡层，薄膜中的Ｐｂ、Ｔｉ组分比沿着薄膜生长的方向成非线性增长，并... 采用组合靶射频溅射的方法、制备后慢速降温的途径在（１１１）Ｓｉ基板上制备出了成膜较好的 ＰｂＴｉＯ３薄膜。通过测试分析发现在薄膜中形成了一个缓解应力的过渡层，薄膜中的Ｐｂ、Ｔｉ组分比沿着薄膜生长的方向成非线性增长，并在薄膜表面形成一个富Ｐｂ层，薄膜的Ｃ－Ｖ特性曲线中存在负方向的位移和畸变。结合实验结果对薄膜的生长机理进行了探讨，并且对薄膜中的应力和不均匀分布的组分对薄膜铁电特性的影响进行了理论上的分析，而且与实验取得了一致的结果。 展开更多
关键词 PbTiO3薄膜 应力 组分 铁电
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多晶硅表面暗纹的形成以及消除技术研究 被引量：3
16
作者 徐华天 冯仕猛 +5 位作者 单以洪 田嘉彤 周玲 杨树泉 雷刚 鞠雪梅 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期690-693,714,共5页
通过改变氢氟酸和硝酸的比列,进行了多晶硅表面腐蚀实验,实验研究发现不同配比酸液能刻蚀形貌不同的陷阱坑,消除深沟槽,但陷阱坑开口大,反射率比较高;在优化氢氟酸和硝酸配比的基础上加入阴离子活性剂,然后腐蚀多晶硅表面。实验样品的SE... 通过改变氢氟酸和硝酸的比列,进行了多晶硅表面腐蚀实验,实验研究发现不同配比酸液能刻蚀形貌不同的陷阱坑,消除深沟槽,但陷阱坑开口大,反射率比较高;在优化氢氟酸和硝酸配比的基础上加入阴离子活性剂,然后腐蚀多晶硅表面。实验样品的SEM显示,多晶硅表面能形成比较均匀开口小的陷阱坑,其表面反射率也比较低,而且能有效消除长而深的腐蚀沟槽,这对多晶硅太阳电池的研究具有一定的意义。 展开更多
关键词 多晶硅 绒面技术 陷光效应 反射率 暗纹
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温度场的分布对多晶硅酸腐蚀绒面形貌的影响 被引量：2
17
作者 徐华天 冯仕猛 +2 位作者 单以洪 雷刚 鞠雪梅 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期233-238,共6页
通过热传导方程,根据不同的边界条件,分别计算了多晶硅酸腐蚀反应时腐蚀坑周围的温度场分布。模拟计算表明:如在酸腐蚀液中采用制冷措施,使酸腐蚀液本体温度维持在15℃,会使硅表面腐蚀坑底部与腐蚀坑开口温度差变大,有利于绒面获得开口... 通过热传导方程,根据不同的边界条件,分别计算了多晶硅酸腐蚀反应时腐蚀坑周围的温度场分布。模拟计算表明:如在酸腐蚀液中采用制冷措施,使酸腐蚀液本体温度维持在15℃,会使硅表面腐蚀坑底部与腐蚀坑开口温度差变大,有利于绒面获得开口小深度大的陷阱坑;如不控制酸液温度,则会导致腐蚀坑底部与坑开口温度差较小,从而使硅片表面产生深度浅、开口大的陷阱坑。在不同的温度下对多晶表面进行酸腐蚀制绒,样品表面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,低温下绒面腐蚀坑密度大、深度大且开口小,与模拟分析结果基本相符。 展开更多
关键词 表面光学 多晶硅 表面结构 陷光效应 温度场
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减反射膜玻璃对光伏组件光增益的分析 被引量：3
18
作者 四建方 冯仕猛 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期2101-2105,共5页
完善光伏组件光学模型,并根据模型理论模拟减反射膜玻璃和普通玻璃对光伏组件光增益的大小,通过分析发现当太阳光垂直光伏组件入射时,普通玻璃封装后,单晶硅太阳电池封装后光增益小于多晶硅太阳电池,减反射玻璃对多晶硅太阳电池片的光... 完善光伏组件光学模型,并根据模型理论模拟减反射膜玻璃和普通玻璃对光伏组件光增益的大小,通过分析发现当太阳光垂直光伏组件入射时,普通玻璃封装后,单晶硅太阳电池封装后光增益小于多晶硅太阳电池,减反射玻璃对多晶硅太阳电池片的光增益大于对单晶硅太阳电池的光增益。 展开更多
关键词 减反射膜玻璃 晶体硅 光增益 反射率
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热氧化生长的SiO_2钝化膜对晶体硅太阳电池性能的影响 被引量：3
19
作者 叶发敏 冯仕猛 +1 位作者 郭爱娟 熊胜虎 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期270-272,共3页
使用干氧热氧化的方法在晶体硅太阳电池表面生长SiO2钝化膜。结果表明:在780℃下生长的氧化薄膜钝化效果较好,实验检测少子寿命提高了8.3μs,以此为基础制备的太阳电池转换效率达到17.38%。实验还对氮气气氛下的氧化进行研究,发现当氮... 使用干氧热氧化的方法在晶体硅太阳电池表面生长SiO2钝化膜。结果表明:在780℃下生长的氧化薄膜钝化效果较好,实验检测少子寿命提高了8.3μs,以此为基础制备的太阳电池转换效率达到17.38%。实验还对氮气气氛下的氧化进行研究,发现当氮气流量为10L/min时,能强化薄膜的钝化效果,少子寿命可提高9.4μs。 展开更多
关键词 晶体硅 太阳电池 钝化 干氧氧化 表面复合
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制备超薄多层膜的自动转速控厚法 被引量：2
20
作者 祝国龙 冯仕猛 +3 位作者 邵建达 汤兆胜 易葵 范正修 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1027-1031,共5页
在转速控厚法的基础上 ,排除了射频溅射的电磁干扰 ,实现了自动转速控厚法。用这种方法镀制超薄多层膜时 ,可以实时记录下镀制每层膜的沉积时间、自动切换转速、完成设定周期后自动停止转动。自动转速控厚法与转速控厚法相比 ,明显降低... 在转速控厚法的基础上 ,排除了射频溅射的电磁干扰 ,实现了自动转速控厚法。用这种方法镀制超薄多层膜时 ,可以实时记录下镀制每层膜的沉积时间、自动切换转速、完成设定周期后自动停止转动。自动转速控厚法与转速控厚法相比 ,明显降低了多层膜制备的劳动强度 ,提高了多层膜制备的成品率和监控精度。而且将在镀制复杂膜系多层膜时 。 展开更多
关键词 超薄多层膜 膜厚精度 小角X射线衍射 自动转速控厚法
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