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不同程度退化草地的植被土壤特征及其相互间的关系 被引量:13
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作者 邓燕 李钒 +9 位作者 姚树 孙颖 解淑斌 李海玲 楚启鹏 马娟 魏茂宏 金枝 田斌 邓建明 《草业科学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第7期1260-1269,共10页
以云南省会泽县典型亚高山退化草地为研究对象,采用植物群落样方调查,利用非度量多维尺度(non-metric multidimensional scaling,NMDS)等分析方法,对该区域不同退化程度下草地植物群落物种组成与多样性以及土壤理化性质的变异趋势及其... 以云南省会泽县典型亚高山退化草地为研究对象,采用植物群落样方调查,利用非度量多维尺度(non-metric multidimensional scaling,NMDS)等分析方法,对该区域不同退化程度下草地植物群落物种组成与多样性以及土壤理化性质的变异趋势及其内在关联进行了探究。结果表明,草地植物物种多样性指数、盖度和均匀度均随退化程度加剧而增加,但是植物群落中牧草类物种多样性及其比例均呈下降趋势,而毒杂草类植物多样性及其比例则呈上升趋势。整体上中度和重度退化草地的土壤养分含量相比于轻度退化草地的土壤养分含量呈明显下降趋势。在不同退化程度草地群落中,植物物种多样性指数与0–20 cm土层pH均有显著关系(P<0.05),但是影响退化草地植物物种多样性变异的土壤因子组合及其解释率并不一致。本研究初步探讨了我国南方亚高山草地在不同退化程度下的植物群落特征、土壤理化性质及二者间的内在关联,为探究该区域草地退化机制及退化草地的恢复措施提供了科学依据。 展开更多
关键词 优势物种 草地退化指数 草地退化 植物群落特征 植物物种组成 Shannon-Wiener多样性指数 土壤理化性质
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不同种植密度条件下单混种作物的生长曲线 被引量:7
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作者 关佳威 姬明飞 +3 位作者 王志强 樊哲翾 金枝 邓建明 《草业科学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期1243-1251,共9页
代谢比例理论(Metabolic Scaling Theory)认为,植物小个体或幼苗的生物量和物质能量代谢速率之间的异速生长指数为1,而随着植物个体的逐渐增大,其代谢异速生长指数逐渐趋近于3/4。2012年,Deng等基于代谢比例理论建立了植物小个体的动态... 代谢比例理论(Metabolic Scaling Theory)认为,植物小个体或幼苗的生物量和物质能量代谢速率之间的异速生长指数为1,而随着植物个体的逐渐增大,其代谢异速生长指数逐渐趋近于3/4。2012年,Deng等基于代谢比例理论建立了植物小个体的动态生长模型。然而,对于受到种内或种间不同竞争压力的植物个体来说,其生长过程无疑将受到邻体竞争的影响,他们是否仍然遵循上述植物小个体的动态生长模型尚不得而知。本研究针对此科学问题选取了春小麦(Triticum aestivum)、胡麻(Linum usitisimum)、玉米(Zea mays)3种作物分别进行两两组合混合种植以及单独种植,种植密度分别为高、中、低3种不同密度梯度;在作物出苗至成熟期间,分别对株高、基茎、冠幅、生物量、以及不同时期样方植物密度共进行6次跟踪测定。通过对Deng等建立的植物小个体动态生长模型的拟合分析,发现在种植密度梯度下不论单种还是混种,其植物个体的生长曲线均符合植物小个体动态生长模型,且具有相似生态位的物种混种条件下的个体生长状况要好于单种条件下的个体生长状况,而低密度条件下的生长状况亦显著优于中、高密度个体生长状况。总之,不同竞争压力下的植物个体,其生长速率和成熟大小虽有所变化,但其生长曲线均符合上述生长模型的预测。该研究不但对植物小个体生长模型和代谢理论的可靠性进行了进一步的验证,而且还使该理论的应用与发展得到进一步的完善。 展开更多
关键词 作物 单混种 密度 生长曲线
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铁电栅材料GaN基场效应晶体管的特性
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作者 蔡雪原 金枝 +1 位作者 魏莹 杨建红 《微纳电子技术》 CAS 2008年第12期694-697,共4页
针对铁电薄膜/GaN基FET结构,利用数值方法研究了铁电栅材料自发极化强度PS变化对GaN基表面电子浓度nS和场效应晶体管转移特性Id-Vg的影响,给出了典型PS和εr值下跨导gm与Vg的关系。结果表明:零栅压下,nS在随PS(0~±59μC/cm2)变化... 针对铁电薄膜/GaN基FET结构,利用数值方法研究了铁电栅材料自发极化强度PS变化对GaN基表面电子浓度nS和场效应晶体管转移特性Id-Vg的影响,给出了典型PS和εr值下跨导gm与Vg的关系。结果表明:零栅压下,nS在随PS(0~±59μC/cm2)变化时有4~6个数量级的提高或降低;当Vg=0.65V、PS为-26~26μC/cm2时,nS提高约4个数量级;负栅压下,nS因受引起电子耗尽的PS的影响而降低6~7个数量级,而PS未对Id-Vg产生明显影响,跨导gm在1V左右的栅偏压下达到最大值。这些结果对利用铁电极化和退极化可能改善新型器件性能的研究具有重要意义。 展开更多
关键词 GaN基FET 自发极化 铁电材料 载流子浓度 转移特性 跨导
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OvPOSS对HCCP_(10%)/PMMA复合体系性能的影响
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作者 王丹 袁新强 +4 位作者 孙恒辉 金枝 王晨曦 韩菁 王佳旭 《塑料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期1-7,共7页
以八乙烯基POSS(OvPOSS)、六氯环三磷腈(HCCP)、磷酸三乙酯(TEP)为原料,采用原位本体聚合法制备OvPOSSx/HCCP_(10%)/TEP10%/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合材料。利用TG、DSC、TG-FTIR、LOI和垂直燃烧等分析OvPOSS对HCCP_(10%)/PMMA复合体... 以八乙烯基POSS(OvPOSS)、六氯环三磷腈(HCCP)、磷酸三乙酯(TEP)为原料,采用原位本体聚合法制备OvPOSSx/HCCP_(10%)/TEP10%/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合材料。利用TG、DSC、TG-FTIR、LOI和垂直燃烧等分析OvPOSS对HCCP_(10%)/PMMA复合体系的热稳定性和阻燃性影响。研究发现,OvPOSS中的硅氧八面体结构和Si元素,能与HCCP中氮磷六元环结构和N、P、Cl元素共同阻碍PMMA分子链运动及其热分解。当OvPOSS含量为1.5%时,PMMA复合材料的T_(5%)=244.1℃、T_(50%)=387.6℃、T_(g)=153℃、残炭率达17.48%。HCCP_(10%)/PMMA复合体系中添加10%的TEP后,能有效地缓解其难脱模的问题。但是,其透明度下降显著,久存吸潮。结果表明,OvPOSS能抑制HCCP中强极性氯取代基的吸潮特性和取代反应活性,明显改善了HCCP_(10%)/PMMA复合体系的热稳定性和阻燃性。 展开更多
关键词 OvPOSS HCCP_(10%)/PMMA 原位本体聚合法 复合材料 阻燃
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