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采用改进的温梯法生长氟化钙晶体 被引量:7
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作者 沈永宏 彭增辉 +2 位作者 树海 段安锋 王琦 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1077-1080,共4页
对现有的晶体生长温梯法进行改进,将炉内温场分为坩埚底部温度高于坩埚顶部温度的化料区和坩埚底部温度低于坩埚顶部温度的温梯生长区两部分。通过对坩埚相对于温场位置的控制,获得适宜进行熔体均一化和晶体生长条件。生长了尺寸为φ135... 对现有的晶体生长温梯法进行改进,将炉内温场分为坩埚底部温度高于坩埚顶部温度的化料区和坩埚底部温度低于坩埚顶部温度的温梯生长区两部分。通过对坩埚相对于温场位置的控制,获得适宜进行熔体均一化和晶体生长条件。生长了尺寸为φ135mm×150mm氟化钙(CaF2)晶体,生长的CaF2晶体质量较好,位错密度<330/mm2,从190nm到9000nm透过良好,紫外200nm处和红外9μm处透过率可达80%以上。 展开更多
关键词 改进的温梯法 温场 氟化钙晶体
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直径210mm氟化钙晶体的生长 被引量:4
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作者 沈永宏 王琦 +2 位作者 闫冬梅 树海 段安锋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期490-493,525,共5页
采用Bridgman-Stockbarger法生长出直径为210mm的氟化钙晶体。透过率在紫外200nm处接近80%,红外透过率良好,可使用到9μm。通过对原有生长设备的改进,采用更为先进的温控设备和合理的温场控制条件,使生长区温场径向梯度小于0.5℃/mm,轴... 采用Bridgman-Stockbarger法生长出直径为210mm的氟化钙晶体。透过率在紫外200nm处接近80%,红外透过率良好,可使用到9μm。通过对原有生长设备的改进,采用更为先进的温控设备和合理的温场控制条件,使生长区温场径向梯度小于0.5℃/mm,轴向生长温度梯度2~3℃/mm。整个生长过程分为:升温化料、熔体均一化、下降坩埚生长和初步退火过程,初退火温度为950℃,退火降温速率为15℃/h。 展开更多
关键词 氟化钙晶体 Bridgman-Stockbarger法 温场
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坩埚下降法生长CaF_2单晶的研究
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作者 段安锋 范翊 +3 位作者 罗劲松 树海 沈永宏 刘景和 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1328-1331,共4页
采用坩埚下降法生长了CaF2单晶体,研究了不同条件生长的单晶缺陷和光谱性能。结果表明:当晶体生长过程中进入水等含氧杂质时,所生长的晶体不仅在1500nm附近产生非常宽的OH-两倍振动吸收带,而且在可见-紫外波段也形成强烈的色心吸收带。... 采用坩埚下降法生长了CaF2单晶体,研究了不同条件生长的单晶缺陷和光谱性能。结果表明:当晶体生长过程中进入水等含氧杂质时,所生长的晶体不仅在1500nm附近产生非常宽的OH-两倍振动吸收带,而且在可见-紫外波段也形成强烈的色心吸收带。同时,杂质离子Ce3+的存在也导致晶体出现306nm的吸收带。 展开更多
关键词 CaF2晶体 下降法 位错蚀坑 光谱
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晶体炉内气氛的危害及控制
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作者 纪慎功 沈永宏 树海 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期229-,共1页
晶体炉内气氛的来源 :水气 ,它源于加热体、原料、保温体、炉壁上的吸附水分 ,在升温生长时释放出来 :原料中所含比晶体熔点低的杂质、酸根及其基团 ,随着温度的升高不断挥发出来。再加上 (例如生长CaF2 晶体 )原料本身挥发出来的CaF2 ... 晶体炉内气氛的来源 :水气 ,它源于加热体、原料、保温体、炉壁上的吸附水分 ,在升温生长时释放出来 :原料中所含比晶体熔点低的杂质、酸根及其基团 ,随着温度的升高不断挥发出来。再加上 (例如生长CaF2 晶体 )原料本身挥发出来的CaF2 、F2 等形成复杂的炉内气氛。这些气氛在一定条件下 (电压、温度等 )产生电晕放电过程 ,引起温场波动 ,致使晶体产生断层。炉内气氛加上放电伴生的化学反应使晶体产生包裹体 ,形成严重的颗粒散射 ;如果发生持续放电 ,使之过流 ,会击穿主电路的可控硅、二极管造成停电 ,损坏设备并会造成炉内装置的破坏 ,不仅导致实验失败 ,还会造成重大经济损失。因此 ,炉内气氛必须得到有效控制。炉内气氛控制 ,简而言之就是尽量减少炉内气氛。为此我们选择了适当大抽力的真空机组 :更为重要的是我们在炉内结构上进行了改造。为了降低坩埚内的蒸气压 ,排除蒸气传统的方法是在坩埚盖上开几个小孔 ,我们采用的是伞式迂回孔 ,这样既能充分排气 ,又不至于使挥发物大量跑到坩埚外 ,减少了炉内气氛。一般在晶体生长过程中 ,为了获得合理的温场和节省功率 ,传统的方法是在加热体下面加隔环 ,加热体上面保温筒上面加厚的密封盖。我们在不影响温场和保温的情况下 ,采用专门设计的导气孔 。 展开更多
关键词 晶体生长 生长炉 气氛控制 气氛危害
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