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GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件 被引量:8
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作者 张燕 +4 位作者 邵秀梅 袁永刚 刘大福 陈新禹 李向阳 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期3515-3518,共4页
介绍了GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件的研制过程,并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的多层A1GaN外延材料,通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极制备等工艺,制作了256×1的背照射AlGaN紫外... 介绍了GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件的研制过程,并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的多层A1GaN外延材料,通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极制备等工艺,制作了256×1的背照射AlGaN紫外探测芯片。并对该芯片进行了I-V特性、响应光谱等测试,得到芯片的暗电流Id为4.22×10^-12A、零压电阻风为1.01×10^10Ω,响应波段为305~365nm,响应率约为0.12A/W。该AlGaN探测芯片与电容反馈互阻抗放大器(CTIA)结构的读出电路互连成为一个256模块,两个256模块经过拼接、封装后制备出512×1元紫外长线列焦平面探测器组件。测量室温(300K)时焦平面组件(实际524元)的响应,平均电压响应率为1.8×10^8V/w,其盲元率为9.0%,响应不均匀性为17.8%,359nm处的平均波段探测率为7×10^10cmHz^1/2W^-1。并对器件性能进行了分析。 展开更多
关键词 紫外探测器 512元长线列 工艺 GaN基 响应率
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具有组分梯度的HgCdTe探测器在激光测量中的潜在应用
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作者 徐国庆 王仍 +6 位作者 陈心恬 乔辉 杨晓阳 王大辉 杨鹏翎 李向阳 《应用光学》 CAS 北大核心 2024年第3期549-556,共8页
该文将组分梯度引入HgCdTe探测器结构设计中,提出了一种可以降低PN结附近热激发载流子浓度的方法。建立暗电流机制模型,分析高温下暗电流成份,分析结果表明,降低热激发载流子浓度对结区的影响是提高器件工作温度的关键。利用组分梯度在P... 该文将组分梯度引入HgCdTe探测器结构设计中,提出了一种可以降低PN结附近热激发载流子浓度的方法。建立暗电流机制模型,分析高温下暗电流成份,分析结果表明,降低热激发载流子浓度对结区的影响是提高器件工作温度的关键。利用组分梯度在PN结附近构建不同的电场,不同电场下样品暗电流和噪声电流随温度的变化曲线表明,构建的电场越强,降低结区附近热激发载流子浓度的效果越明显。通过数据分析,提出构建103 V/cm量级的组分梯度内建电场可抑制热激发载流子向结区的扩散运动,有效地降低结区附近热激发载流子浓度。 展开更多
关键词 组分梯度内建电场 HgCdTe外延薄膜材料 热激发载流子浓度 暗电流 噪声电流
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具有组分梯度的HgCdTe探测器光电特性 被引量:1
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作者 徐国庆 王仍 +7 位作者 陈心恬 汤亦聃 贾嘉 王妮丽 杨晓阳 张燕 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期285-291,共7页
PN结分别制备在HgCdTe外延薄膜材料的Cd组分非线性分布区和线性分布区的高组分端,研究了具有组分梯度的HgCdTe探测器的光电特性。计算不同温度下组分梯度产生的内建电场,结果显示Cd组分线性分布产生的内建电场在100~200 V/cm,而Cd组分... PN结分别制备在HgCdTe外延薄膜材料的Cd组分非线性分布区和线性分布区的高组分端,研究了具有组分梯度的HgCdTe探测器的光电特性。计算不同温度下组分梯度产生的内建电场,结果显示Cd组分线性分布产生的内建电场在100~200 V/cm,而Cd组分非线性分布使得样品表面薄层的内建电场高达2 000 V/cm,推测组分梯度产生的内建电场对光生少子运动的影响是引起两个样品光电性能差异的主要原因。通过分析样品响应率随温度的三种不同变化趋势,提出利用温度调控组分梯度产生的内建电场,有利于降低空间电荷效应,为大注入下提高HgCdTe探测器的饱和阈值提供了一种新的设计思路。 展开更多
关键词 组分梯度 内建电场 HgCdTe外延薄膜材料 归一化响应光谱 响应率
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初中道德与法治教学中学生政治认同素养的培养策略
4
作者 《亚太教育》 2024年第13期58-60,共3页
伴随着新课标的推行,课堂教学的重心已经发生偏移,从知识传递朝着核心素养培养转变。政治认同是初中道德与法治学科要求的核心素养之一,是社会主义建设者和接班人必须具备的思想前提。在初中道德与法治教学中培养学生政治认同素养,有利... 伴随着新课标的推行,课堂教学的重心已经发生偏移,从知识传递朝着核心素养培养转变。政治认同是初中道德与法治学科要求的核心素养之一,是社会主义建设者和接班人必须具备的思想前提。在初中道德与法治教学中培养学生政治认同素养,有利于规范学生的政治行为、坚定学生理想信念。为此,教师应通过创设有效情境、开展课堂提问、组织小组合作、优化实践作业、完善课堂评价等策略,打造高效率的政治课堂,推进学生政治认同素养的培养落实。 展开更多
关键词 初中道德与法治 政治认同素养 培养策略 情境 提问 小组合作 实践 评价
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室温中波红外碲镉汞探测器激光辐照饱和特性的仿真
5
作者 李向阳 桑茂盛 +5 位作者 徐国庆 乔辉 杨晓阳 杨鹏翎 王大辉 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期143-148,共6页
针对室温工作的光伏型碲镉汞中波红外探测器激光辐照饱和特性进行了仿真,结果表明,中红外激光对碲镉汞材料的加热效应以及光照导致零偏压阻抗降低,是影响探测器输出量子效率的重要因素。利用一维数值仿真方法,建立了室温碲镉汞pn结的模... 针对室温工作的光伏型碲镉汞中波红外探测器激光辐照饱和特性进行了仿真,结果表明,中红外激光对碲镉汞材料的加热效应以及光照导致零偏压阻抗降低,是影响探测器输出量子效率的重要因素。利用一维数值仿真方法,建立了室温碲镉汞pn结的模型,计算了稳态激光辐照下器件量子效率以及零偏压阻抗。理论计算了激光辐照下的稳态温度分布近似模型,并将温度场分布耦合到仿真计算中,发现衬底厚度会影响芯片的温升,从而显著影响器件饱和阈值的大小。另外,计算表明,随着光照强度的增加,器件的零偏压阻抗降低,并将仿真结果与实测芯片参数进行了比较。计算分析为设计高饱和辐照度阈值的中波红外碲镉汞探测器提供了参考。 展开更多
关键词 激光辐照 温度场 饱和特性 数值仿真
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碲镉汞线列光导器件的失效模式及原因分析 被引量:1
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作者 乔辉 王妮丽 +15 位作者 兰添翼 赵水平 田启智 陆液 王仍 霍勤 施帆 汤亦聃 贾嘉 周青 孙晓宇 姜佩璐 罗毅 陈心恬 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期1009-1021,共13页
针对不同项目研制过程中碲镉汞线列光导器件在筛选测试和应用中出现的失效模式进行了归纳和总结,并综合碲镉汞材料参数、器件结构尺寸、器件物理、器件制备工艺和器件测试等几个方面因素对器件失效的可能原因进行了分析,首次提出碲镉汞... 针对不同项目研制过程中碲镉汞线列光导器件在筛选测试和应用中出现的失效模式进行了归纳和总结,并综合碲镉汞材料参数、器件结构尺寸、器件物理、器件制备工艺和器件测试等几个方面因素对器件失效的可能原因进行了分析,首次提出碲镉汞线列光导器件的优值因子作为失效判据,为进一步理解碲镉汞线列光导器件的物理机理以及更好优化器件的筛选过程提供了参考,为碲镉汞线列光导器件应用中出现的失效问题提供了分析和解决的方向。 展开更多
关键词 碲镉汞 光导器件 失效分析
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GaAs/AlGaAs量子阱长波10.55μm红外焦平面探测器 被引量:1
7
作者 李向阳 李宁 +7 位作者 许金通 徐国庆 王玲 张燕 朱龙源 王继强 陆卫 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第1期69-74,共6页
利用GaAs/AlGaAs量子阱结构,研制了像元规模为640×512、中心响应波长在10.55μm附近的红外焦平面阵列器件,与50 K集成式制冷机耦合后,测试了相关性能,其等效噪声温差达到22.5 mK。焦平面组件通过了初步的开关机试验以及热真空试验... 利用GaAs/AlGaAs量子阱结构,研制了像元规模为640×512、中心响应波长在10.55μm附近的红外焦平面阵列器件,与50 K集成式制冷机耦合后,测试了相关性能,其等效噪声温差达到22.5 mK。焦平面组件通过了初步的开关机试验以及热真空试验后,表现良好。考虑封装冷屏导致在面源黑体测试时产生的焦面照度不均匀问题进行了数值计算,并分析了与近似解析计算的误差,表明当F数变小时应当采用数值计算,并认为探测器测试的非均匀性主要由照度不均匀贡献。针对10.55μm量子阱探测器,利用开源的MEEP FDTD软件,进行了近场耦合的光场分布计算,计算结果表明目前的结构参数在光衍射方面是比较接近优化的。 展开更多
关键词 量子阱红外焦平面探测器 长波红外 光耦合优化
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HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究 被引量:1
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作者 乔辉 +5 位作者 汤英文 陈江峰 胡亚春 贾嘉 李向阳 龚海梅 《光学仪器》 2006年第4期56-59,共4页
在HgCdT e光伏探测器件S iO2+ZnS复合介质膜钝化中,引入O+2清洗和A+r刻蚀两种等离子体处理工艺,大大提高薄膜附着力,成功制备出优良的光伏器件。对处理前后的样品进行场发射扫描电子显微镜扫描、原子力显微镜扫描和二次离子质谱测试后发... 在HgCdT e光伏探测器件S iO2+ZnS复合介质膜钝化中,引入O+2清洗和A+r刻蚀两种等离子体处理工艺,大大提高薄膜附着力,成功制备出优良的光伏器件。对处理前后的样品进行场发射扫描电子显微镜扫描、原子力显微镜扫描和二次离子质谱测试后发现,O+2清洗对去除样品表面的残余光刻胶效果显著;而A r+刻蚀使ZnS表面更为粗糙,增加了成核中心,使S iO2和ZnS表面互相渗透,增强了两层介质膜的附着力。 展开更多
关键词 O2^+清洗 Ar^+刻蚀 钝化 HGCDTE光伏探测器
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基片下磁场对溅射薄膜宏观形貌的影响 被引量:1
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作者 狄国庆 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第F11期330-331,共2页
通过屏蔽传统磁控溅射设备阴极内的磁场和在基片下放置永磁铁,使来自基片下的磁场发挥作用,研究了此外加磁场在溅射过程中对薄膜沉积所产生的影响。用这种方法沉积出的Cu、Al的薄膜的宏观形貌为:膜的中央有一圆斑,在圆斑的外围有环... 通过屏蔽传统磁控溅射设备阴极内的磁场和在基片下放置永磁铁,使来自基片下的磁场发挥作用,研究了此外加磁场在溅射过程中对薄膜沉积所产生的影响。用这种方法沉积出的Cu、Al的薄膜的宏观形貌为:膜的中央有一圆斑,在圆斑的外围有环。Al薄膜的中央圆斑处没有物质,为空白圆斑;而Cu薄膜的中央圆斑处有物质。对这一实验现象的产生机理,初步认为是成膜粒子在磁场中表现出的波动性。 展开更多
关键词 磁控溅射 膜厚 梯度磁场
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GaN基肖特基器件中的反常电容特性(英文) 被引量:1
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作者 张文静 +1 位作者 许金通 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期161-166,共6页
研究了测试频率为0.3~1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压(C-V)特性曲线中,出现了峰和负值电容,而Au/i-Al0.45Ga0.55N肖特基器件的C-V特性曲线中则既没有峰也没有负值电容的出现.对肖特基器... 研究了测试频率为0.3~1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压(C-V)特性曲线中,出现了峰和负值电容,而Au/i-Al0.45Ga0.55N肖特基器件的C-V特性曲线中则既没有峰也没有负值电容的出现.对肖特基器件的电流-电压(I-V)特性和C-V特性进行参数提取和分析后认为,负值电容和峰的出现源于界面态的俘获和损耗,但较大的串联电阻将减弱界面态的作用. 展开更多
关键词 电容-电压特性 肖特基器件 GAN基材料
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氮化镓基雪崩光电二极管的研制 被引量:1
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作者 许金通 陈俊 +6 位作者 陈杰 王玲 张燕 李向阳 龚海梅 赵德刚 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期954-956,960,共4页
文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状,从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发,详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程,特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理。由于雪崩器件对于材料的质量... 文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状,从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发,详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程,特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理。由于雪崩器件对于材料的质量具有较苛刻的要求,因此特别对材料进行了必要的筛选。通过一系列工艺上的改进,成功地制作出国内第一只氮化镓基雪崩光电二极管,器件的光敏面直径是40μm;并对其进行了光电性能测试。测试结果表明,当反向偏压是58V时,漏电流大约是1.18×10-7A,雪崩增益是3。 展开更多
关键词 氮化镓 雪崩光电二极管 漏电流
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液位传感器技术综述 被引量:2
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作者 盛怡华 顾友壮 +2 位作者 王昊 吴勇 《科技风》 2021年第26期6-7,22,共3页
液位控制是日常生活和工业过控系统中常见的控制问题之一,要实现精确的液位控制目标,需要选择合适的液位传感器。本文主要围绕不同液位传感器的测量原理及方式,分析了不同类型液位传感器的研究现状。通过分析各类主流液位传感器研究和... 液位控制是日常生活和工业过控系统中常见的控制问题之一,要实现精确的液位控制目标,需要选择合适的液位传感器。本文主要围绕不同液位传感器的测量原理及方式,分析了不同类型液位传感器的研究现状。通过分析各类主流液位传感器研究和使用中出现的普遍性问题,对主流液位传感器技术未来的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 光纤 压阻式 电容式 液位传感器
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离子束刻蚀碲镉汞中转型宽度
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作者 徐国庆 刘向阳 +5 位作者 王仍 汤亦聃 乔辉 贾嘉 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期477-480,共4页
用Ar+离子束在p型HgCdTe(碲镉汞)上刻蚀出不同体积的环孔,利用激光诱导电流方法测试转型后的n区宽度.研究发现,在相同的刻蚀条件下,n区宽度取决于材料的汞空位浓度和被刻蚀HgCdTe体积.当被刻蚀HgCdTe体积相同时,n区宽度随汞空位浓度的... 用Ar+离子束在p型HgCdTe(碲镉汞)上刻蚀出不同体积的环孔,利用激光诱导电流方法测试转型后的n区宽度.研究发现,在相同的刻蚀条件下,n区宽度取决于材料的汞空位浓度和被刻蚀HgCdTe体积.当被刻蚀HgCdTe体积相同时,n区宽度随汞空位浓度的增加呈线性减小;当汞空位浓度一定时,n区宽度随被刻蚀HgCdTe体积的增加呈线性增加. 展开更多
关键词 激光诱导电流 p型HgCdTe Ar+离子束刻蚀 转型宽度
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正、背照射日盲型肖特基探测器
14
作者 许金通 李向阳 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2010年第6期1085-1087,共3页
在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法生长的i-Al0.45Ga0.55N/n-Al0.65Ga0.35N/AlN材料结构上,成功研制了零偏暗电流为10-13量级、峰值响应为0.02~0.03 AW-1的日盲型肖特基紫外探测器。对探测器正照射和背照射时的光谱特性的研究表明:正... 在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法生长的i-Al0.45Ga0.55N/n-Al0.65Ga0.35N/AlN材料结构上,成功研制了零偏暗电流为10-13量级、峰值响应为0.02~0.03 AW-1的日盲型肖特基紫外探测器。对探测器正照射和背照射时的光谱特性的研究表明:正、背照射时器件的峰值响应大小变化不大;在短波方向,正照射时的器件由于界面层的存在,在峰值响应稍有回落后平滑响应,而背照射时的器件由于n层组分调制响应迅速下滑;在长波方向,正照射时器件在截止波长后的响应较大。 展开更多
关键词 肖特基探测器 日盲型 响应光谱
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GaN肖特基器件电学性质的模拟研究
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作者 胡其欣 许金通 +2 位作者 李向阳 刘骥 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期902-905,共4页
基于二维数值模型对GaN肖特基器件进行模拟计算,主要研究M IS结构的肖特基器件的界面层和本征漂移层对肖特基器件电学性质(电场强度分布和不同结构的I-V特性等)的影响。模拟结果显示M IS结构的肖特基器件中的界面层主要影响器件的电流... 基于二维数值模型对GaN肖特基器件进行模拟计算,主要研究M IS结构的肖特基器件的界面层和本征漂移层对肖特基器件电学性质(电场强度分布和不同结构的I-V特性等)的影响。模拟结果显示M IS结构的肖特基器件中的界面层主要影响器件的电流特性以及开启电压,提高自身的电场强度,降低暗电流,而本征漂移层则主要影响器件的电场强度分布,对器件的正向电流有比较明显的影响。通过器件模拟可以在一定程度上优化器件结构,提高器件性能。 展开更多
关键词 肖特基器件 界面层 本征层 隧穿效应 暗电流
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基片下磁场中溅射镀铜薄膜及其微结构
16
作者 顾佳烨 狄国庆 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期625-629,共5页
介绍了基片下外加磁场的方法来溅射制备铜膜的实验,结果发现薄膜的表面形貌和微结构与平常磁控溅射法所得的有很大的不同。在溅射过程中等离子体的发光也明显增强。相同的输入功率下,自偏压较磁控溅射有明显下降。研究认为产生以上现象... 介绍了基片下外加磁场的方法来溅射制备铜膜的实验,结果发现薄膜的表面形貌和微结构与平常磁控溅射法所得的有很大的不同。在溅射过程中等离子体的发光也明显增强。相同的输入功率下,自偏压较磁控溅射有明显下降。研究认为产生以上现象的原因是实验中采用的特殊装置产生的磁镜效应对溅射空间大量离子作用的结果。 展开更多
关键词 溅射 外加磁场 磁镜 爱里斑 薄膜
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初中生运算能力非智力影响因素及其教学策略探究 被引量:1
17
作者 《数学教学通讯》 2018年第32期44-45,共2页
非智力因素是初中学生运算能力的重要影响因素,基于兴趣爱好、对运算的认识、认知结构等非智力因素给学生运算能力培养造成的影响,采取针对性教学策略是提高初中学生数学运算能力教学实效、促进其运算能力发展的有效路径.
关键词 初中数学 运算能力 非智力因素
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对初中数学复习课教学的几点反思
18
作者 《数学教学通讯(初等教育)》 2013年第5期29-31,共3页
复习是教师帮助学生对获取的信息进行梳理和强化的重要手段.但目前的复习课存在许多弊端,本文就是从复习课的弊端开始谈起,逐渐引出笔者对初中数学复习课教学的反思与复习策略.
关键词 数学复习课教学 反思
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不同深宽比GaAs衬底的Al_(2)O_(3)/HfO_(2)复合薄膜材料原子层沉积及能谱分析
19
作者 王仍 徐国庆 +2 位作者 李宁 李向阳 《红外》 CAS 2021年第12期1-5,共5页
利用热原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术在不同深宽比GaAs衬底上进行了Al_(2)O_(3)/HfO_(2)复合薄膜的沉积。通过对其表面和能谱进行分析发现,沉积温度对复合薄膜的摩尔比具有较大的影响。随着深宽比的增大,其沉积表面和沟... 利用热原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术在不同深宽比GaAs衬底上进行了Al_(2)O_(3)/HfO_(2)复合薄膜的沉积。通过对其表面和能谱进行分析发现,沉积温度对复合薄膜的摩尔比具有较大的影响。随着深宽比的增大,其沉积表面和沟槽内会出现残留物;随着ALD沉积温度的上升,其沉积表面和沟槽内的残留物减少,摩尔比趋向均匀。当深宽比为2.2并利用150℃的低沉积温度时,表面及底面基本无残留物。但当深宽比为4.25时,150℃沉积明显有大量残留物。只有当温度升高到300℃时,表面和沟槽里复合薄膜的残留物才被明显消除。ALD技术可以实现各种器件结构的全方位钝化,这是其他化学气相沉积法无法比拟的。 展开更多
关键词 Al_(2)O_(3)/HfO_(2)复合薄膜 原子层沉积 能谱分析
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复习课要选择适当的复习方法 被引量:2
20
作者 《课程教材教学研究(中教研究)》 2014年第Z3期95-95,共1页
复习方法的选择,取决于教师对班级学情的掌握程度.数学复习方法要实用且有变化,要针对学生的具体情况,灵活地采用恰当的方法,才能取得好的效果,选择复习方法要遵循以学生为主、不脱离课本、以练促能的原则.复习应该是信息交流和互动的过... 复习方法的选择,取决于教师对班级学情的掌握程度.数学复习方法要实用且有变化,要针对学生的具体情况,灵活地采用恰当的方法,才能取得好的效果,选择复习方法要遵循以学生为主、不脱离课本、以练促能的原则.复习应该是信息交流和互动的过程,教师起着沟通教材与学生的桥梁作用.复习时应扎扎实实地抓好基础知识和基本技能的复习,在此基础上,把课本与资料有机地结合起来,使之互为补充。 展开更多
关键词 复习方法 信息交流 桥梁作用 分类讨论 资料制作 教辅资料 换元法 待定系数法 辅助资料 群体效应
原文传递
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