-
题名InSb焦平面探测器背面钝化的研究
被引量：3
- 1
-
-
作者
傅月秋
王海珍
郑克霖
-
机构
中国空空导弹研究院
-
出处
《航空兵器》
2009年第4期42-44,共3页
-
文摘
对N型(111)面的InSb衬底采用两种方法进行钝化处理;一种是直接溅射ZnS,另一种是先用(NH4)2S化学硫化,然后溅射ZnS。C-V测试和器件性能测试表明,在(NH4)2S溶液中进行化学硫化的方法能有效改善ZnS/InSb的界面,这种方法能满足InSb焦平面器件的使用性能。本文还对不同的硫化方法及实验条件进行了对比实验。
-
关键词
InSb焦平面探测器
ZNS
(NH4)2S
硫化
-
Keywords
InSb focal plane detector
ZnS
（NH4） 2S
sulphidization
-
分类号
TN215
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名焦平面探测器ZnS增透技术研究
被引量：1
- 2
-
-
作者
郑克霖
傅月秋
王海珍
-
机构
中国空空导弹研究院
-
出处
《内江科技》
2009年第11期90-90,93,共2页
-
文摘
在InSb焦平面探测器(FPA)制造中,InSb芯片背面经磨抛减薄后需要在表面镀制增透膜,增大InSb芯片对红外光的吸收。本文介绍了采用磁控溅射方法镀制不同厚度的ZnS膜,测量其光谱透过率及反射率,利用红外焦平面测试系统比较了ZnS膜和SiO膜的增透效果,结果表明磁控溅射的ZnS膜具有更优的增透效果和均匀性。
-
关键词
InSb焦平面探测器
ZNS
增透
磁控溅射
-
分类号
TN215
[电子电信—物理电子学]
O484.41
[理学—固体物理]
-
-
题名X射线衍射技术对InSb材料的无损检测
- 3
-
-
作者
王武杰
赵岚
陈慧娟
何英杰
傅月秋
鲁正雄
-
机构
中国空空导弹研究院
-
出处
《航空精密制造技术》
2008年第2期45-47,共3页
-
文摘
采用2θ-ω对称扫描,对(111)、(333)、(044)不同衍射面进行了ω扫描,得到了InSb不同衍射面之间强度和半峰宽度的规律;对晶片上不同位置进行了同一衍射面的ω扫描,得到半峰宽度的mapping,此外,还对材料进行了倒易空间(RSM)扫描。测试结果表明InSb材料结晶质量完好,均匀性好,符合制造良好光电器件的标准。
-
关键词
INSB
X射线衍射
回摆曲线
半峰宽度
倒易空间图
-
Keywords
InSb
X-ray diffraction method
oscillating curve
half peak width
reciprocal space mapping
-
分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
-
