L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验 被引量：7

1

作者 王因生 陶有迁 +4 位作者 徐全胜 金毓铨 傅义珠 丁晓明 王志楠 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期473-477,共5页

利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF... 利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF条件下,器件失效率λ≤1.59×10-7h-1。试验分析表明,采用本试验方法可以更真实地评估射频功率管的可靠性水平。 展开更多

关键词 硅微波脉冲功率管 可靠性 寿命试验 峰值结温

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1．46～1．66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管 被引量：6

2

作者 王因生 李相光 +4 位作者 傅义珠 王佃利 丁晓明 盛国兴 康小虎 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期965-969,共5页

报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果．该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在1．46～1．66GHz频带内，脉宽200μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出... 报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果．该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在1．46～1．66GHz频带内，脉宽200μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于250W，功率增益大于7．0dB，效率大于45％． 展开更多

关键词 硅 微波 功率管

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军用电子元器件技术状态管理探讨 被引量：4

3

作者 刘杰 傅义珠 《质量与可靠性》 2012年第4期43-46,共4页

随着GJB 9001的换版,军工单位都应开展技术状态管理工作。本文分析了军用电子元器件技术状态管理的现状和技术状态管理的本质,对如何开展军用电子元器件技术状态管理进行了探讨,并提出了当前应关注的问题。

关键词 军用电子元器件 技术状态管理 基线

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530～650MHz 20W CW Si-VDMOS场效应晶体管 被引量：4

4

作者 刘洪军 傅义珠 李相光 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期192-194,286,共4页

报道了530-650 MHz 20W连续波Si-VDMOS场效应晶体管的研制结果。该器件采用polySi／WN／Au的多层复合栅技术降低栅串联电阻，采用栅下场氧化垫高技术降低反馈电容，采用穿通型硅外延材料优化导通电阻提高器件工作效率，全离子注入自对... 报道了530-650 MHz 20W连续波Si-VDMOS场效应晶体管的研制结果。该器件采用polySi／WN／Au的多层复合栅技术降低栅串联电阻，采用栅下场氧化垫高技术降低反馈电容，采用穿通型硅外延材料优化导通电阻提高器件工作效率，全离子注入自对准工艺等技术，在上述频带内，连续波，28V工作电压下，静态电流50mA，该器件输出功率达20w，效率达49％，增益大于7．5dB。 展开更多

关键词 连续波 硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管 多层复合栅

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总剂量辐射对硅双极和MOS器件性能的影响 被引量：4

5

作者 蔡俊 傅义珠 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期559-563,共5页

对比研究了总剂量辐射对硅微波功率双极器件、LDMOS器件、VDMOS器件以及常规功率VDMOS和抗辐射加固功率VDMOS器件电性能的影响,并分析了辐射后器件性能变化的原因,为抗辐射加固方法的改进和优化提供了基础。

关键词 总剂量辐射 硅微波功率 双极型晶体管 横向扩散金属-氧化物-半导体场效应管 垂直扩散金属-氧化物-半导体场效应管 抗辐射加固

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S波段硅脉冲功率晶体管 被引量：4

6

作者 张树丹 李相光 +2 位作者 林川 傅义珠 姚长军 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期7-14,共8页

报道了一种自对准T形电极结构的硅脉冲功率晶体管实验结果。在2GHz短脉冲工作条件下，该晶体管输出功率70W，增益8.5dB，集电极效率50％。

关键词 功率晶体管 双极晶体管 多晶硅 离子注入

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双层金属电极对硅功率晶体管结温的改善 被引量：3

7

作者 傅义珠 戴学梅 +6 位作者 康小虎 盛国兴 叶宗祥 方圆 王因生 王佃利 吴鹏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期383-387,共5页

通过红外热相分析发现,在直流工作条件下,双层金属电极硅功率晶体管芯片比单层金属电极的结温低10℃以上;在微波工作条件下,双层金属电极芯片的结温比单层金属电极的低43.7℃。试验结果表明,双层金属电极能够改善硅微波功率晶体管芯片... 通过红外热相分析发现,在直流工作条件下,双层金属电极硅功率晶体管芯片比单层金属电极的结温低10℃以上;在微波工作条件下,双层金属电极芯片的结温比单层金属电极的低43.7℃。试验结果表明,双层金属电极能够改善硅微波功率晶体管芯片内微波输入功率和结温分布的均匀性。 展开更多

关键词 微波 功率晶体管 结温 热阻

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S波段100W硅脉冲功率晶体管 被引量：2

8

作者 傅义珠 李相光 +4 位作者 张树丹 王佃利 王因生 康小虎 姚长军 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期123-127,共5页

报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 ... 报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 60 %。 展开更多

关键词 硅 微波功率晶体管 S波段

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对功率器件击穿电压的模拟优化 被引量：1

9

作者 赵普社 王因生 傅义珠 《电子与封装》 2007年第10期40-43,共4页

文章分析了微波功率器件的特点及其对器件击穿电压的影响,并在此基础上通过采用扩散保护环和耗尽区腐蚀两种方法来提高器件的击穿电压。文中对两种方法的相关参数进行了模拟优化,最终在浓度和厚度分别为9×1015cm-3和3μm的外延材... 文章分析了微波功率器件的特点及其对器件击穿电压的影响,并在此基础上通过采用扩散保护环和耗尽区腐蚀两种方法来提高器件的击穿电压。文中对两种方法的相关参数进行了模拟优化,最终在浓度和厚度分别为9×1015cm-3和3μm的外延材料上制作出击穿电压为55V的C波段20W功率器件。 展开更多

关键词 硅功率器件 击穿电压 扩散保护环 耗尽区腐蚀

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1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管 被引量：1

10

作者 王因生 丁晓明 +5 位作者 蒋幼泉 傅义珠 王佃利 王志楠 盛国兴 严德圣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期356-360,397,共6页

介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功... 介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功率增益大于8.75dB,效率大于55%。 展开更多

关键词 硅 微波 功率管 镇流电阻

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2GHz 100W硅脉冲功率晶体管

11

作者 傅义珠 张树丹 +1 位作者 高雷 姚长军 《世界产品与技术》 2002年第2期20-21,共2页

本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造,采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f_0=1.85～2.15GHz,D=2％,τ_p=40μs条件下,输出功率P_0≥100W,功率增益G_p≥7dB,集电极效率η_0≥40％,并具有较高的抗激励耐量。在f_0=2.15G... 本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造,采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f_0=1.85～2.15GHz,D=2％,τ_p=40μs条件下,输出功率P_0≥100W,功率增益G_p≥7dB,集电极效率η_0≥40％,并具有较高的抗激励耐量。在f_0=2.15GHz, τ_p=40μs,D=2％,P_i=25W,V_cc=36V时,P_0≥120W;当V_cc=40V时P_0≥153W。 展开更多

关键词 2GHz100W 硅脉冲功率晶体管 可靠性设计

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微波硅功率双极型管脉冲顶降和增益压缩特性分析

12

作者 傅义珠 盛国兴 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期371-376,共6页

对影响微波硅功率双极型晶体管脉冲波形顶降、顶升和增益压缩特性的器件设计、工艺和使用因素进行了分析。脉冲顶降的本质原因是结温上升,结温又同芯片特性、内匹配电路与芯片键合一致性密切相关;脉冲顶降还与器件在电路中的工作状态相... 对影响微波硅功率双极型晶体管脉冲波形顶降、顶升和增益压缩特性的器件设计、工艺和使用因素进行了分析。脉冲顶降的本质原因是结温上升,结温又同芯片特性、内匹配电路与芯片键合一致性密切相关;脉冲顶降还与器件在电路中的工作状态相关。脉冲顶升主要是与肖特基势垒接触和较低的器件工作温度有关;影响增益压缩的主要原因是电流饱和与电压饱和,其次还与基区宽变效应、大注入效应和工作状态等因素相关。从器件设计、工艺和电路应用等方面提出了改进器件脉冲顶降和增益压缩特性的途径。 展开更多

关键词 微波 硅功率双极型晶体管 脉冲顶降 增益压缩

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1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管 被引量：1

13

作者 王因生 李相光 +5 位作者 傅义珠 丁晓明 王佃利 盛国兴 康小虎 陶有迁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期139-139,共1页

关键词 脉冲功率晶体管 南京电子器件研究所 微波 硅 功率芯片 研制成功 输出功率 功率增益 占空比 发射极

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3．1～3．4GHz 120W硅脉冲功率晶体管 被引量：1

14

作者 傅义珠 李相光 +3 位作者 戴学梅 盛国兴 王因生 王佃利 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期140-140,共1页

关键词 硅脉冲功率晶体管 微波功率器件 工作电压 输出功率 功率方向 多系统 可靠性 小型化 机动化 高可靠

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锗硅基区异质结双极型晶体管(GeSi-HBT)的研制 被引量：1

15

作者 韩平 胡立群 +9 位作者 王荣华 江若琏 顾书林 朱顺明 张荣 郑有炓 茅保华 傅义珠 汪建元 熊承堃 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期382-382,共1页

GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京大学与南京电子器件研究所合作,在国内首次研制出GeSi-HBT器... GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京大学与南京电子器件研究所合作,在国内首次研制出GeSi-HBT器件。该器件结构如图1所示。在N^+-Si(100)衬底上外延n-Si层作为集电区,采用快速辐射加热/超低压化学气相淀积(RRH/VLP-CVD)外延方法制备掺硼的GeSi基区,用PECVD方法生长掺磷的p-Si:H发射区。工艺上采取了一系列措施,完成了GeSi-HBT器件的制备。 展开更多

关键词 双极晶体管 异质结 研制 锗硅区

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2.7-3.4GHz超宽带长脉宽硅功率晶体管

16

作者 吴鹏 林川 +4 位作者 傅义珠 盛国兴 戴学梅 康小虎 王因生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期F0003-F0003,共1页

关键词 硅脉冲功率晶体管 长脉宽 超宽带 南京电子器件研究所 GHz 100W 脉冲输出 功率增益 大功率管 S波段

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3.1～3.4GHz长脉宽高增益硅功率晶体管

17

作者 傅义珠 林川 +3 位作者 周德红 梅海 潘菁 康小虎 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期118-118,共1页

关键词 功率晶体管 长脉宽 高增益 硅

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2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管

18

作者 傅义珠 李学坤 +7 位作者 戴学梅 王佃利 王因生 周德红 康小虎 梅海 盛国兴 陈刚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期133-133,共1页

关键词 硅脉冲功率晶体管 微波功率晶体管 固体功率器件

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4.4～4.8GHz 15W硅脉冲功率晶体管

19

作者 赵普社 王因生 +1 位作者 李相光 傅义珠 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期285-,共1页

关键词 微波功率晶体管 器件 输出功率 发射极 脉冲管

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3.1～3.4GHz50W硅功率晶体管

20

作者 傅义珠 林川 +2 位作者 张树丹 王佃利 王因生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期358-358,共1页

关键词 硅功率晶体管 脉冲宽度 微波功率器件 晶体管

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