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基于VLPE技术的碲镉汞p-on-n双层异质结材料与器件研究进展
1
作者 王文金 孔金丞 +6 位作者 起文斌 张阳 宋林伟 吴军 赵文 俞见云 覃钢 《红外技术》 CSCD 北大核心 2024年第3期233-245,共13页
本文对比分析了碲镉汞p-on-n器件四种制备方式的优劣,其中,VLPE(Vertical Liquid Phase Epitaxy)技术具有原位As掺杂与高激活率的技术优势,是制备高性能p-on-n双层异质结器件的重要方式。针对该技术,从材料生长、器件工艺和器件性能方... 本文对比分析了碲镉汞p-on-n器件四种制备方式的优劣,其中,VLPE(Vertical Liquid Phase Epitaxy)技术具有原位As掺杂与高激活率的技术优势,是制备高性能p-on-n双层异质结器件的重要方式。针对该技术,从材料生长、器件工艺和器件性能方面回顾了国内外研究进展,讨论了国内外差距,明确了制约该技术发展的关键问题和技术难点,并提出了解决思路。最后,展望了VLPE技术pon-n异质结器件的发展趋势。 展开更多
关键词 碲镉汞 p-on-n 台面异质结 富汞垂直液相外延(VLPE)
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基于非平衡模式的碲镉汞高工作温度探测器 被引量：1
2
作者 俞见云 孔金丞 +4 位作者 覃钢 杨晋 宋林伟 丛树仁 李艳辉 《红外技术》 CSCD 北大核心 2023年第1期15-22,共8页
本文回顾了当前国内外高工作温度碲镉汞红外探测器的技术路线和相应的器件性能,在碲镉汞器件暗电流的温度特性分析的基础上,讨论了基于非平衡工作模式的碲镉汞探测器的基本原理、器件结构设计和暗电流机制,探讨了吸收层全耗尽碲镉汞器... 本文回顾了当前国内外高工作温度碲镉汞红外探测器的技术路线和相应的器件性能,在碲镉汞器件暗电流的温度特性分析的基础上,讨论了基于非平衡工作模式的碲镉汞探测器的基本原理、器件结构设计和暗电流机制,探讨了吸收层全耗尽碲镉汞器件性能与器件结构参数、材料晶体质量的关系,明确了其技术要点和难点,展望了碲镉汞高工作温度器件技术的发展趋势。 展开更多
关键词 碲镉汞 非平衡 俄歇抑制 全耗尽 高工作温度
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液相外延碲镉汞薄膜缺陷综述
3
作者 起文斌 丛树仁 +6 位作者 宋林伟 李沛 江先燕 俞见云 宁卓 邓文斌 孔金丞 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第7期286-301,共16页
液相外延是碲镉汞(MCT)薄膜生长领域最成熟的一种方法,被众多红外探测器研究机构和生产商所采用。然而由于MCT材料自身属性和具体制备工艺的原因,液相外延生长过程中不可避免地会产生各种缺陷,从而降低红外探测器的性能。为了增加对液... 液相外延是碲镉汞(MCT)薄膜生长领域最成熟的一种方法,被众多红外探测器研究机构和生产商所采用。然而由于MCT材料自身属性和具体制备工艺的原因,液相外延生长过程中不可避免地会产生各种缺陷,从而降低红外探测器的性能。为了增加对液相外延MCT薄膜中缺陷的认识,并对具体的生长工艺提供指导性建议,基于已报道的文献总结了液相外延MCT薄膜中所存在一些缺陷的特征以及形成机理和消除方法。对各类缺陷的形成机理和消除方法进行探讨和评估,有助于提高MCT薄膜液相外延的水平,为制造高性能MCT探测器做好材料技术支撑。 展开更多
关键词 碲镉汞材料 液相外延 缺陷形成机理 缺陷消除方法
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Cd1-xZnxTe晶体中由本征缺陷引起的导电类型转变界面研究 被引量：2
4
作者 赵文 孔金丞 +9 位作者 姜军 赵增林 陈少璠 宋林伟 俞见云 陈珊 庹梦寒 李俊 贺政 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2022年第6期560-564,共5页
在富Te生长条件下,采用垂直布里奇曼法(vertical Bridgman method,VB)生长的部分碲锌镉(Cd_(1-x)Zn_(x)Te,CZT)晶体内存在导电类型转变界面。为深入探讨碲锌镉晶体导电类型转变界面形成的原因,结合晶体导电类型和红外光谱透过率的测试... 在富Te生长条件下,采用垂直布里奇曼法(vertical Bridgman method,VB)生长的部分碲锌镉(Cd_(1-x)Zn_(x)Te,CZT)晶体内存在导电类型转变界面。为深入探讨碲锌镉晶体导电类型转变界面形成的原因,结合晶体导电类型和红外光谱透过率的测试结果与第一性原理的理论计算进行分析,结果表明,碲锌镉晶体内的导电类型转变界面是晶体生长过程中形成的Cd空位(V_(Cd))缺陷与Cd间隙(Cd_(i))缺陷导致的。在富Te条件的生长过程中,Cd空位缺陷易于形成,碲锌镉晶体材料中含有大量的Cd空位缺陷,材料的导电型为p型。在晶体生长结束阶段的降温过程中,Cd原子会扩散至碲锌镉晶体中,促进了Cd间隙缺陷的形成,在碲锌镉晶体材料中形成Cd间隙缺陷,导致晶体材料的导电性转变为n型。 展开更多
关键词 碲锌镉 导电类型转变 Cd空位 扩散
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铟凸点对倒装互连影响的研究 被引量：2
5
作者 杨超伟 闫常善 +7 位作者 王琼芳 李京辉 韩福忠 封远庆 杨毕春 左大凡 赵丽 俞见云 《红外技术》 CSCD 北大核心 2016年第4期310-314,共5页
制作了2种形式的铟凸点:即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球。分别讨论了铟柱和铟球对倒装互连的影响,着重讨论了铟球和铟柱分别和芯片倒装互连后的剪切强度,结果发现在互连未回流的状态下铟球的剪切强度是铟柱的1.5倍,回流后... 制作了2种形式的铟凸点:即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球。分别讨论了铟柱和铟球对倒装互连的影响,着重讨论了铟球和铟柱分别和芯片倒装互连后的剪切强度,结果发现在互连未回流的状态下铟球的剪切强度是铟柱的1.5倍,回流后铟球的剪切强度是铟柱的2.8倍。此外,分析讨论了长时间放置在空气中的铟球对倒装互连的影响,结果发现长时间放置在空气中的铟球和芯片互连后,器件的电学与机械连通性能会受到很大的影响。 展开更多
关键词 铟凸点 铟柱 铟球 倒装互连
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分子束外延碲镉汞薄膜“燕尾”状缺陷 被引量：1
6
作者 杨晋 孔金丞 +7 位作者 俞见云 李艳辉 杨春章 覃钢 李东升 雷文 赵俊 姬荣斌 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期690-695,共6页
"燕尾"状缺陷是异质外延碲镉汞薄膜中一种形状、朝向统一的典型缺陷,本文对"燕尾"状缺陷的表面形貌、结构及形成机理进行了表征及研究。结果表明,在碲镉汞薄膜表面,"燕尾"状缺陷以两条凸起的"燕尾&q... "燕尾"状缺陷是异质外延碲镉汞薄膜中一种形状、朝向统一的典型缺陷,本文对"燕尾"状缺陷的表面形貌、结构及形成机理进行了表征及研究。结果表明,在碲镉汞薄膜表面,"燕尾"状缺陷以两条凸起的"燕尾"边为特征形貌。在碲镉汞薄膜中,"燕尾"状缺陷为倒金字塔结构,由(111)、(111)、(111)、(111)四个底面与(211)表面围成。"燕尾"状缺陷为(552)A孪晶缺陷,(552)A孪晶与(211)A基体间不同的生长速率导致了缺陷的形成。碲镉汞晶体中12个滑移系统间不同的Schmid因子决定了(552)A孪晶成核生长于(111)和(111)面,也决定了"燕尾"状缺陷的表面形貌及结构。 展开更多
关键词 碲镉汞 缺陷 孪晶 极性面 施密特因子
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基于双层模型外延HgCdTe薄膜的霍尔测试
7
作者 彭曼泽 丛树仁 +10 位作者 郭沁怡 严顺英 俞见云 李培源 杨春章 李艳辉 王燕 田立萍 孔金丞 李东升 杨玉林 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第9期847-852,共6页
采用Petritz双层薄膜结构模型,用化学腐蚀的方法分离MBE外延双色HgCdTe薄膜,测试并验证了双层模型对中短双色MBE外延HgCdTe薄膜中各层的霍尔参数计算的有效性,给出了测量不确定度评定以及相对误差。实验表明,MBE外延双层HgCdTe薄膜中的... 采用Petritz双层薄膜结构模型,用化学腐蚀的方法分离MBE外延双色HgCdTe薄膜,测试并验证了双层模型对中短双色MBE外延HgCdTe薄膜中各层的霍尔参数计算的有效性,给出了测量不确定度评定以及相对误差。实验表明,MBE外延双层HgCdTe薄膜中的中波薄膜层电导率及霍尔系数的扩展不确定度范围分别为0.33～0.41W·cm和61～113cm3/C,置信概率为95%,与对比样品的中波膜层霍尔参数相比,载流子浓度及霍尔迁移率的相对误差分别小于20%和10%。 展开更多
关键词 双层膜 MBE HGCDTE薄膜 霍尔参数 扩展不确定度
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