碳纳米管应用研究 被引量：10

1

作者 潘晖 曹全喜 +1 位作者 佟丽英 周晓华 《微纳电子技术》 CAS 2002年第9期14-18,共5页

随着对碳纳米管研究的不断深入,对碳纳米管的应用研究越来越受到人们的重视。通过分析碳纳米管的物理特性,对碳纳米管的应用前景进行了广泛的探索。着重分析了碳纳米管的电学特性,如导电特性、通流能力、电流特性及其场发射特性。在此... 随着对碳纳米管研究的不断深入,对碳纳米管的应用研究越来越受到人们的重视。通过分析碳纳米管的物理特性,对碳纳米管的应用前景进行了广泛的探索。着重分析了碳纳米管的电学特性,如导电特性、通流能力、电流特性及其场发射特性。在此基础上,讨论了碳纳米管在纳米电子学和电子场致发射等方面的应用。同时分析了碳纳米管的磁学特性、力学特性及敏感特性等并讨论了其在纳米机械系统、电磁吸收、传感器及其他领域中的应用。研究表明,碳纳米管在众多的领域具有广泛的应用前景。 展开更多

关键词 碳纳米管 应用 纳米电子学 纳米机械系统 传感器 半导体

下载PDF 职称材料

γ辐照对硅单晶电学参数的影响 被引量：3

2

作者 张继荣 史继祥 佟丽英 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期67-68,共2页

对CZ(直拉法)和FZ(区熔法)硅单晶进行了一定剂量的γ辐照实验,并将辐照前后的电学参数变化进行了对比。结果表明,在实验中所用剂量的γ辐照,对CZ和FZ硅单晶电阻率影响不大,而对其少子寿命影响很大。

关键词 Γ辐照 硅单晶 电阻率 少子寿命

下载PDF 职称材料

化学染色法测量B,Al及P扩散结深 被引量：6

3

作者 佟丽英 赵权 +2 位作者 史继祥 王聪 李亚光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1213-1215,共3页

采取化学染色法对B,Al和P杂质扩散形成的结深进行检测,通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性,选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液。同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结果为标准,与染色法的测量结果进行对比... 采取化学染色法对B,Al和P杂质扩散形成的结深进行检测,通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性,选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液。同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结果为标准,与染色法的测量结果进行对比,根据测试结果与理论分析,对染色法的测试结果进行修正,确定P扩散结深的测试系数。 展开更多

关键词 扩散结深 染色液 扩展电阻探针法

下载PDF 职称材料

LPCVD背封片表面颗粒问题研究 被引量：6

4

作者 高丹 佟丽英 《电子工艺技术》 2014年第3期170-172,共3页

采用LPCVD工艺对硅片背封SiO2薄膜,可以有效地防止外延工序中的自掺杂效应,消除杂质对外延工艺的不利影响。但是当背封好的硅片经抛光放置后,抛光面有亮点,并且随着时间的推移越来越多,严重影响了外延片质量。通过对比不同工艺条件下背... 采用LPCVD工艺对硅片背封SiO2薄膜,可以有效地防止外延工序中的自掺杂效应,消除杂质对外延工艺的不利影响。但是当背封好的硅片经抛光放置后,抛光面有亮点,并且随着时间的推移越来越多,严重影响了外延片质量。通过对比不同工艺条件下背封片表面情况,分析了表面颗粒的形成机理以及影响表面颗粒产生的因素。通过调整工艺参数,基本解决了背封片表面颗粒问题,明显改善了表面质量。 展开更多

关键词 低压化学气相淀积 颗粒 二氧化硅

下载PDF 职称材料

LPCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究 被引量：4

5

作者 王俭峰 佟丽英 +1 位作者 李亚光 李秀强 《电子工业专用设备》 2011年第6期24-26,56,共4页

采用TEOS源LPCVD法制备了SiO2薄膜,采用膜厚仪对薄膜的厚度进行测试。通过不同条件下SiO2薄膜的厚度变化,讨论了TEOS源温度、反应压力及反应温度等工艺条件对淀积速率和均匀性的影响。结果表明,在40℃,50 Pa左右,淀积速率随TEOS源温度... 采用TEOS源LPCVD法制备了SiO2薄膜,采用膜厚仪对薄膜的厚度进行测试。通过不同条件下SiO2薄膜的厚度变化,讨论了TEOS源温度、反应压力及反应温度等工艺条件对淀积速率和均匀性的影响。结果表明,在40℃,50 Pa左右,淀积速率随TEOS源温度、反应压力基本呈线性增大.通过多次试验改进,提出了SiO2膜淀积的典型工艺条件。 展开更多

关键词 TEOS源 LPCVD 淀积速率 均匀性

下载PDF 职称材料

硅片背面软损伤工艺技术研究 被引量：2

6

作者 武永超 赵权 +1 位作者 陆峰 佟丽英 《电子工业专用设备》 2013年第11期12-18,共7页

硅中的金属离子杂质会明显降低少子寿命,并进一步影响硅器件的性能。因此对硅片背面喷砂工艺进行了系统的研究。通过喷砂工艺,在硅片背面形成软损伤层,使硅片具有了吸杂能力,并从吸杂机理出发,解决了吸杂工艺带来的硅抛光片表面颗粒效应... 硅中的金属离子杂质会明显降低少子寿命,并进一步影响硅器件的性能。因此对硅片背面喷砂工艺进行了系统的研究。通过喷砂工艺,在硅片背面形成软损伤层,使硅片具有了吸杂能力,并从吸杂机理出发,解决了吸杂工艺带来的硅抛光片表面颗粒效应,并对硅抛光片的吸杂效果及表面颗粒度进行了表征,为具有吸杂性能的"开盒即用"硅抛光片的批量化生产提供了有力的技术保证。 展开更多

关键词 喷砂工艺 硅片软损伤吸杂 颗粒去除 金属

下载PDF 职称材料

中子辐照CZ硅单晶热处理后的电阻率变化 被引量：1

7

作者 张继荣 薛佳伟 佟丽英 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期48-49,共2页

CZ 硅单晶受中子辐照,产生辐照缺陷,使其电阻率相对于其原始值有一定的偏差,经氮气气氛、650￣700℃热处理,其电阻率可以基本恢复原始值。

关键词 硅单晶 电阻率 辐照 缺陷 热处理

下载PDF 职称材料

高频光电导衰减法测试Ge单晶少数载流子寿命 被引量：2

8

作者 佟丽英 王俭峰 +4 位作者 史继祥 张继荣 邢友翠 戚红英 李亚帅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1102-1105,共4页

高频光电导衰减法是测量Ge单晶少数载流子寿命常用的方法,高频脉冲信号照射到单晶表面时,产生非平衡载流子,非平衡载流子的复合时间长短反映了少数载流子寿命的大小。电阻率越低,少数载流子寿命越小,仪器就难以测试。介绍了电阻率为0.03... 高频光电导衰减法是测量Ge单晶少数载流子寿命常用的方法,高频脉冲信号照射到单晶表面时,产生非平衡载流子,非平衡载流子的复合时间长短反映了少数载流子寿命的大小。电阻率越低,少数载流子寿命越小,仪器就难以测试。介绍了电阻率为0.03~0.04Ω.cm Ge单晶少数载流子寿命的测试方法。通过理论分析及实际测试,发现影响Ge单晶测试的主要因素有3个,即样品的表面状态、厚度及测试仪器的小注入水平。通过规范这些测试条件,能够测试低阻Ge单晶的少数载流子寿命。 展开更多

关键词 高频光电导 锗单晶 禁带宽度 光注入 少子寿命

下载PDF 职称材料

氮化镓外延用硅衬底问题研究 被引量：1

9

作者 王云彪 佟丽英 +1 位作者 杨召杰 陶术鹤 《电子工艺技术》 2018年第1期4-7,共4页

随着硅基氮化镓外延技术的不断突破,其专用的硅衬底材料的国产化问题日益凸显。分析了国产片外延后边缘滑移线密集和裂片问题,提出了硅片边缘控制和机械强度控制参数和技术指标,为满足功率器件级氮化镓外延需求的高质量硅衬底研制指明... 随着硅基氮化镓外延技术的不断突破,其专用的硅衬底材料的国产化问题日益凸显。分析了国产片外延后边缘滑移线密集和裂片问题,提出了硅片边缘控制和机械强度控制参数和技术指标,为满足功率器件级氮化镓外延需求的高质量硅衬底研制指明了一定的方向。 展开更多

关键词 氮化镓 硅衬底 滑移线 机械强度

下载PDF 职称材料

SiC材料升华法生长机理 被引量：1

10

作者 潘晖 佟丽英 曹全喜 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期17-19,共3页

讨论了SiC晶体升华法生长机理。从SiC晶体生长过程中的化学反应,热传输,物质传输以及缺陷的形成等方面进行了探讨。分析了化学计量比和保护气体压力对SiC单晶生长及其缺陷形成的影响。通过分析得到,要获得高质量的SiC单晶,必须有效地控... 讨论了SiC晶体升华法生长机理。从SiC晶体生长过程中的化学反应,热传输,物质传输以及缺陷的形成等方面进行了探讨。分析了化学计量比和保护气体压力对SiC单晶生长及其缺陷形成的影响。通过分析得到,要获得高质量的SiC单晶,必须有效地控制各种工艺参数。 展开更多

关键词 碳化硅升华法生长 热传输 物质传输 缺陷 化学计量化 保护气体压力

下载PDF 职称材料

硼扩散技术研究 被引量：1

11

作者 王春梅 佟丽英 +1 位作者 史继祥 王聪 《电子工业专用设备》 2011年第12期12-14,共3页

对硼扩散浓度和扩散深度的控制技术进行了研究。通过采用两步扩散步骤、预扩散采用双面扩散的方式、再分布采用密闭碳化硅管、控制扩散温度和扩散时间,有效地控制了扩散层浓度和结深。

关键词 硼 扩散浓度 扩散深度

下载PDF 职称材料

n型高阻硅单晶电阻率均匀性的控制 被引量：1

12

作者 张继荣 殷海丰 +2 位作者 佟丽英 刘锋 赵光军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第9期74-76,共3页

通过不同工艺的拉晶实验,发现晶转、拉速、热对流等因素对高阻n〈111〉硅单晶径向电阻率均匀性有所影响。采用水平磁场拉晶工艺,通过提高晶转、增大拉速、减小热对流等,可有效提高硅单晶径向电阻率均匀性。

关键词 n型高阻硅单晶 电阻率 均匀性 水平磁场拉晶

下载PDF 职称材料

APCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究 被引量：1

13

作者 高丹 康洪亮 +1 位作者 徐强 佟丽英 《电子工艺技术》 2019年第6期345-347,355,共4页

背封技术可以有效防止硅外延过程中造成的自掺杂现象。讨论了APCVD制备二氧化硅膜工艺中膜厚、淀积温度和O2与SiH4比例等关系,分析了膜厚均匀性的影响因素和膜表面质量,提出了SiO2膜淀积的工艺条件及背封前清洗方法。

关键词 背封 APCVD SIO2膜

下载PDF 职称材料

APCVD制备SiOx薄膜工艺研究 被引量：1

14

作者 云娜 康洪亮 +1 位作者 高丹 佟丽英 《电子工业专用设备》 2020年第5期29-33,共5页

简单介绍常压化学气相沉积法(APCVD)制备氧化硅薄膜的基本原理和工艺。通过调整不同的沉积温度、硅烷流量、稀释氮气流量、分离氮气流量、皮带带速等工艺参数,对所沉积的氧化硅薄膜的厚度及沉积效率进行了分析研究。发现随着硅烷流量或... 简单介绍常压化学气相沉积法(APCVD)制备氧化硅薄膜的基本原理和工艺。通过调整不同的沉积温度、硅烷流量、稀释氮气流量、分离氮气流量、皮带带速等工艺参数,对所沉积的氧化硅薄膜的厚度及沉积效率进行了分析研究。发现随着硅烷流量或浓度的增加,薄膜厚度增加;SiOx的膜厚与化学输入不成正比;最大沉积厚度的O2∶SiH4比与硅烷流量无关;薄膜厚度随带速的增加而减小,薄膜厚度与带速并不成正比,相同工艺温度和硅烷输入下薄膜厚度与带速的乘积是一个常数。 展开更多

关键词 常压化学气相沉积 硅烷 膜厚 流量 沉积温度

下载PDF 职称材料

〈511〉晶向GaAs单晶主次参考面的确定 被引量：1

15

作者 佟丽英 杨春明 +2 位作者 王春梅 史继祥 王聪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期793-795,共3页

在半导体照明工程中采用〈511〉晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件。根据〈511〉晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主次参考面的确定,通过采取理论分析和微观观察及X射线衍射测试... 在半导体照明工程中采用〈511〉晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件。根据〈511〉晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主次参考面的确定,通过采取理论分析和微观观察及X射线衍射测试的方法,互相对照,共同确定GaAs单晶的主次参考面的位置。单晶主次参考面的确定是整个晶片加工工艺链中的关键工艺,对提高生产效率、批量化生产具有很大的实用性。 展开更多

关键词 砷化镓单晶 微观图形 参考面

下载PDF 职称材料

直拉硅单晶中微缺陷的特征及演变 被引量：1

16

作者 佟丽英 高丹 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期1196-1198,1225,共4页

直拉硅单晶抛光片经过高温氧化后,腐蚀显示出氧化诱生缺陷,包括漩涡缺陷和氧化层错(oxidation induced stacking faults,OISF),其形状和分布与单晶生长过程中形成的微缺陷有一定的对应关系。文章通过试验显示出漩涡缺陷的内部特征及OIS... 直拉硅单晶抛光片经过高温氧化后,腐蚀显示出氧化诱生缺陷,包括漩涡缺陷和氧化层错(oxidation induced stacking faults,OISF),其形状和分布与单晶生长过程中形成的微缺陷有一定的对应关系。文章通过试验显示出漩涡缺陷的内部特征及OISF的密度变化,推测出其对器件性能产生的影响,并确定控制单晶质量的特征参数。 展开更多

关键词 微缺陷 氧化诱生 漩涡缺陷 氧化层错

下载PDF 职称材料

空间太阳电池硅单晶的辐射效应及加固 被引量：1

17

作者 刘锋 纪秀峰 佟丽英 《半导体情报》 2001年第4期45-47,共3页

概述了硅太阳电池和硅单晶在空间高能粒子辐射下性能的变化及采用掺锡、掺锂提高太阳电池用硅单晶抗辐射性能的原理和方法。

关键词 空间太阳电池 硅单晶 辐射效应 掺锡 掺锂

下载PDF 职称材料

磷化铟晶体缺陷的检测

18

作者 刘伟伟 佟丽英 《电子工业专用设备》 2016年第6期29-31,共3页

通过采用不同的腐蚀液对磷化铟晶片进行腐蚀,使磷化铟晶片的各种缺陷能够清晰的显示并加以区别。在位错密度的测试过程中,综合了位错密度的计数方法,较真实地反映了磷化铟单晶片的位错状况。

关键词 磷化铟 腐蚀液 位错

下载PDF 职称材料

SiO_2膜背封片边缘剥离工艺进展

19

作者 高丹 佟丽英 《电子工艺技术》 2016年第4期228-230,共3页

背封工艺是外延衬底材料制备的关键工艺之一,由于硅片背面边缘沉积的Si O2膜,在外延工艺中造成外延片边缘多晶颗粒沉积及应力集中,因此越来越多的外延厂家要求对背封片Si O2膜进行边缘剥离,主要介绍了几种边缘剥离的方法,并对其各自的... 背封工艺是外延衬底材料制备的关键工艺之一,由于硅片背面边缘沉积的Si O2膜,在外延工艺中造成外延片边缘多晶颗粒沉积及应力集中,因此越来越多的外延厂家要求对背封片Si O2膜进行边缘剥离,主要介绍了几种边缘剥离的方法,并对其各自的特点进行了分析。 展开更多

关键词 背封 酸腐蚀 边缘剥离元

下载PDF 职称材料

掺硼p^+-Si外延层厚度的测试方法

20

作者 刘春香 佟丽英 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期689-691,共3页

给出了一种掺硼p+-Si外延层厚度的测试方法。该方法是根据Si在KOH溶液中呈现的腐蚀特性而衍生出来的。Si在KOH溶液中的腐蚀速率与Si的掺杂浓度有关,当掺杂浓度超过5×1019cm-3时,腐蚀速率很小,利用这一现象可以测量p+/p结构中p+层... 给出了一种掺硼p+-Si外延层厚度的测试方法。该方法是根据Si在KOH溶液中呈现的腐蚀特性而衍生出来的。Si在KOH溶液中的腐蚀速率与Si的掺杂浓度有关,当掺杂浓度超过5×1019cm-3时,腐蚀速率很小,利用这一现象可以测量p+/p结构中p+层的厚度。详细分析了该方法的原理及使用范围,并对测试系统的组成、样品的制备过程和测试方式及测试结果做了说明和分析。该测试方法与磨角染色法相比具有简单易行的特点,该方法可以作为外延工艺的检测手段,以加强对外延过程的监控。 展开更多

关键词 测试方法 p+-Si外延层 腐蚀速率 掺杂浓度 掺硼

下载PDF 职称材料