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基于硅微通道板宏孔硅腐蚀速率的影响因素研究
1
作者 余金豪 《电子世界》 2018年第3期14-15,18,共3页
本文报道了硅电化学腐蚀过程中宏孔硅腐蚀速率的影响因素研究。通过改变HF溶液浓度、表面活性剂类型、腐蚀电压三个方面进行光电化学腐蚀实验。通过电子显微镜和金相显微镜观测宏孔硅,并通过软件VNT Quantlab-HD对腐蚀深度进行测量,计... 本文报道了硅电化学腐蚀过程中宏孔硅腐蚀速率的影响因素研究。通过改变HF溶液浓度、表面活性剂类型、腐蚀电压三个方面进行光电化学腐蚀实验。通过电子显微镜和金相显微镜观测宏孔硅,并通过软件VNT Quantlab-HD对腐蚀深度进行测量,计算宏孔硅腐蚀速率。研究HF溶液浓度、表面活性剂类型、腐蚀电压对宏孔硅腐蚀速率影响。 展开更多
关键词 宏孔硅 腐蚀速率 影响因素
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用于X射线闪烁屏的硅微通道阵列整形技术
2
作者 余金豪 杨炳辰 +6 位作者 杨超 陈奇 凌海容 王蓟 王国政 杨继凯 端木庆铎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期603-609,共7页
为制备用于X射线闪烁屏的高开口面积比硅微通道阵列,研究了四甲基氢氧化铵（TMAH）溶液温度和质量分数对硅（100）晶面和（110）晶面腐蚀速率的影响。通过金相显微镜观测硅微通道端面尺寸并计算腐蚀速率,分析了硅（100）晶面和（110）... 为制备用于X射线闪烁屏的高开口面积比硅微通道阵列,研究了四甲基氢氧化铵（TMAH）溶液温度和质量分数对硅（100）晶面和（110）晶面腐蚀速率的影响。通过金相显微镜观测硅微通道端面尺寸并计算腐蚀速率,分析了硅（100）晶面和（110）晶面腐蚀速率比对硅微通道阵列孔形的影响,探讨了TMAH溶液温度和质量分数与硅微通道阵列开口面积比的关系。研究表明,硅（100）晶面和（110）晶面的腐蚀速率比是影响硅微通道阵列开口面积比的主要因素。当硅（100）晶面与（110）晶面腐蚀速率比大于2时,得到具有高开口面积比的正方形硅微通道阵列。使用质量分数为1%的TMAH溶液在40℃的溶液温度下,制备出开口面积比大于81%的正方形硅微通道阵列。通过高温填充CsI（Tl）制备出基于硅微通道的X射线闪烁屏,X射线成像结果表明通道整形技术有助于提高闪烁屏的性能。 展开更多
关键词 X射线闪烁屏 硅微通道阵列 各向异性腐蚀 整形技术 开口面积比
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