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Zn_(1-x)Mn_(x)/ZnSe应变超晶格分子束外延生长及光学特性研究
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作者 靳彩霞 史向华 +5 位作者 柯炼 张保平 凌晨 余更才 王杰 候晓远 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期635-640,共6页
用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６）超晶格结构，用Ｘ射线衍射和低温光致发光（ＰＬ）对其结构、应变分布以及光学性能进行了研究。结果表明，２Ｋ温度下，... 用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６）超晶格结构，用Ｘ射线衍射和低温光致发光（ＰＬ）对其结构、应变分布以及光学性能进行了研究。结果表明，２Ｋ温度下，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的光致发光中主发光峰对应于ＺｎＳｅ阱中基态电子和基态轻空穴之间的自由激子跃迁，而且其峰位相对于ＺｎＳｅ薄膜材料的自由激子峰有明显移动。其中，当超晶格的总厚度大于其临界厚度时，自由激子峰位向低能方向红移２ｍｅＶ；当超晶格总厚度小于其临界厚度时，自由激子峰位向高能方向蓝移６ｍｅＶ。理论上分析计算了由应变和量子限制效应引起的自由激子的峰位移动，理论和实验符合很好。 展开更多
关键词 Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格 X射线衍射谱 光致发光性质
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