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双AlN插入层法在Si图形衬底上进行AlGaN/GaN HEMT的MOCVD生长
1
作者
王勇
余
乃林
+1 位作者
王丛舜
刘纪美
《长春理工大学学报(自然科学版)》
2011年第4期9-12,共4页
双AlN插入层方法被用来在Si(111)图形衬底上进行AlGaN/GaN高迁移率晶体管(HEMT)的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长。Si图形衬底采用SiO2掩膜和湿法腐蚀(无掩膜)两种方法进行制备。高温生长双AlN插入层用来释放GaN外延层和Si衬底...
双AlN插入层方法被用来在Si(111)图形衬底上进行AlGaN/GaN高迁移率晶体管(HEMT)的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长。Si图形衬底采用SiO2掩膜和湿法腐蚀(无掩膜)两种方法进行制备。高温生长双AlN插入层用来释放GaN外延层和Si衬底之间由于晶格失配和热失配而产生的张应力。AlGaN/GaN HEMT的生长特性被讨论和分析。在使用优化的双AlN插入层之前,可以在图形[1-100]方向观察到比[11-20]方向更多的由于应力而引起的裂纹。这是由于GaN在(1-100)面比(11-20)更稳定。建议在图形设计中,长边应沿着[11-20]方向进行制备。拉曼测试显示在图形凹角处比凸角处有更大的拉曼频移,证明在图形凹角处有更大的张应力。
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关键词
金属有机物化学气相沉积
AlGaN/GaN高迁移率晶体管
Si图形衬底
双AlN插入层
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职称材料
题名
双AlN插入层法在Si图形衬底上进行AlGaN/GaN HEMT的MOCVD生长
1
作者
王勇
余
乃林
王丛舜
刘纪美
机构
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
香港科技大学电子及计算机工程系光电子中心
出处
《长春理工大学学报(自然科学版)》
2011年第4期9-12,共4页
文摘
双AlN插入层方法被用来在Si(111)图形衬底上进行AlGaN/GaN高迁移率晶体管(HEMT)的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长。Si图形衬底采用SiO2掩膜和湿法腐蚀(无掩膜)两种方法进行制备。高温生长双AlN插入层用来释放GaN外延层和Si衬底之间由于晶格失配和热失配而产生的张应力。AlGaN/GaN HEMT的生长特性被讨论和分析。在使用优化的双AlN插入层之前,可以在图形[1-100]方向观察到比[11-20]方向更多的由于应力而引起的裂纹。这是由于GaN在(1-100)面比(11-20)更稳定。建议在图形设计中,长边应沿着[11-20]方向进行制备。拉曼测试显示在图形凹角处比凸角处有更大的拉曼频移,证明在图形凹角处有更大的张应力。
关键词
金属有机物化学气相沉积
AlGaN/GaN高迁移率晶体管
Si图形衬底
双AlN插入层
Keywords
MOCVD
AlGaN/GaN HEMT
patterned Si substrate
double AlN interlayers
分类号
S482.3 [农业科学—农药学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双AlN插入层法在Si图形衬底上进行AlGaN/GaN HEMT的MOCVD生长
王勇
余
乃林
王丛舜
刘纪美
《长春理工大学学报(自然科学版)》
2011
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