期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到6篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
早期康复护理干预对急性心肌梗死介入术后患者的应用效果 被引量：5
1
作者 何梅芬 《心血管病防治知识（学术版）》 2022年第5期50-52,共3页
目的分析急性心梗介入治疗术后采用早期康复护理干预的价值。方法筛选的急性心梗患者80例均自2020年2月至2021年4月入本院治疗,按随机抽样法分两组(每组40例),对照组采用常规护理,观察组采用早期康复护理干预,对比两组护理效果、心理状... 目的分析急性心梗介入治疗术后采用早期康复护理干预的价值。方法筛选的急性心梗患者80例均自2020年2月至2021年4月入本院治疗,按随机抽样法分两组(每组40例),对照组采用常规护理,观察组采用早期康复护理干预,对比两组护理效果、心理状态。结果观察组射血分数、6min步行距离高于对照组,差异有统计学意义(P<0.05);观察组SDS、SAS评分低于对照组,差异有统计学意义(P<0.05)。结论早期康复护理干预可缓解急性心梗介入术后负面情绪,亦可稳定病情,值得借鉴。 展开更多
关键词 早期康复护理 急性心梗 介入术 射血分数 步行距离
下载PDF
快速康复护理干预对永久起搏器植入患者术后康复进程及预后的影响 被引量：2
2
作者 潘婧婧 宋美燕 +1 位作者 许建新 何梅芬 《黑龙江医学》 2022年第22期2757-2759,共3页
目的:探讨快速康复护理干预在永久性起搏器植入患者中的运用效果。方法:选取2018年2月—2021年2月莆田学院附属医院收治的168例行永久起搏器植入的患者作为研究对象,以随机数表法分为对照组(常规护理)与观察组(快速康复护理),每组各84... 目的:探讨快速康复护理干预在永久性起搏器植入患者中的运用效果。方法:选取2018年2月—2021年2月莆田学院附属医院收治的168例行永久起搏器植入的患者作为研究对象,以随机数表法分为对照组(常规护理)与观察组(快速康复护理),每组各84例。对比两组患者术后机体康复进程、肩关节功能、并发症发生率及生活质量。结果:观察组术后下床活动时间、住院时间均短于对照组,差异有统计学意义(t=41.791、11.062,P<0.05);干预后,观察组肩关节疼痛与功能障碍指数(SPADI)量表中的疼痛及功能活动两个部分评分均低于对照组,差异有统计学意义(t=10.610、9.187,P<0.05);观察组并发症发生率低于对照组,差异有统计学意义(χ^(2)=4.085,P<0.05);随访3个月后,观察组中国心血管患者生活质量评定问卷(CQQC)量表中体力、病情、医疗状况、一般生活、社会心理状况、工作状况等维度评分均高于对照组(t=10.270、6.200、6.141、6.031、9.388、7.121,P<0.05)。结论:快速康复护理干预能够降低永久起搏器植入患者术后并发症发生风险,促进肩关节功能恢复,提高生活质量,利于预后。 展开更多
关键词 永久起搏器植入术 快速康复护理 机体康复进程 并发症 肩关节功能 生活质量
下载PDF
注氮GaAs中的深能级及其对自由载流子的补偿
3
作者 陈开茅 金泗轩 +4 位作者 贾勇强 邱素娟 吕云安 何梅芬 刘鸿飞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期491-498,共8页
详细研究了注氮n型GaAs中深的和浅的杂质缺陷的电学性质。深能级瞬态谱(DLTS)技术测量表明,能量为140keV和剂量为1×10^(13)cm^(-2)的氮离子注入并经800℃退火30min的GaAs中存在四个电子陷阱,E_1(0.111),E_2(0.234),E_3(0.415),E_4(... 详细研究了注氮n型GaAs中深的和浅的杂质缺陷的电学性质。深能级瞬态谱(DLTS)技术测量表明,能量为140keV和剂量为1×10^(13)cm^(-2)的氮离子注入并经800℃退火30min的GaAs中存在四个电子陷阱,E_1(0.111),E_2(0.234),E_3(0.415),E_4(0.669)和一个空穴陷阱H(0.545),而在能量为20keV和剂量为5×10^(14)cm^(-2)的氮离子注入并经同样退火的同种GaAs中,只观测到E_4和H(0.545)两种缺陷,E_2和E_3是高能量注入损伤缺陷,E_4可能是本征缺陷和注入损伤的络合物,H(0.545)是与氮有关的深能级,它可能与掺氮n型GaAs中的自由载流子受到严重补偿有关。 展开更多
关键词 砷化镓 注氮 深能级 载流子
原文传递
用于砷化镓功率MES FET器件的优质多层汽相外延材料的制备
4
作者 吕云安 刘玉兰 +1 位作者 杨伟 何梅芬 《半导体情报》 1990年第2期92-94,88,共4页
本文介绍了近年来我们在氯化物汽相外延GaAs材料的新进展,其中包括提高均匀性的研究,采用脉冲掺杂进行变浓度有源层生长的研究,以及带有n^+层的外延材料用于功率GaAs MESFET器件的研究。所生长的优质多层GaAs VPE材料,用于MESFET功率器... 本文介绍了近年来我们在氯化物汽相外延GaAs材料的新进展,其中包括提高均匀性的研究,采用脉冲掺杂进行变浓度有源层生长的研究,以及带有n^+层的外延材料用于功率GaAs MESFET器件的研究。所生长的优质多层GaAs VPE材料,用于MESFET功率器件获得良好的结果,在15GHz下输出功率≥1W,相关增益≥5dB;18GHz下,输出功率≥600mW,相关增益≥5dB。 展开更多
关键词 砷化镓 MESFET 材料 制备 汽相外延
下载PDF
浅杂质注入LEC半绝缘GaAsγ射线辐照缺陷
5
作者 陈开茅 金泗轩 +3 位作者 邱素娟 吕云安 何梅芬 兰李桥 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第8期1344-1351,共8页
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ的γ射线辐照缺陷。在Ｂｅ－Ｓｉ共注的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐照引入一电子陷阶Ｅ＿２，并且大大增强了原有的Ｅ＿（０１）（０．２９... 用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ的γ射线辐照缺陷。在Ｂｅ－Ｓｉ共注的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐照引入一电子陷阶Ｅ＿２，并且大大增强了原有的Ｅ＿（０１）（０．２９８）和Ｅ＿（０２）（０．３４１）等缺陷，同时明显地瓦解了原有的少子陷阱Ｈ＿（０３）。在单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐阳引进了Ｅ＇＿（０１）（０．２１６），Ｅ＇＿（０２）（０．３４１），Ｅ＇＿２，Ｅ＇＿４和Ｅ＇＿５（０．６０８）等缺陷。其中Ｅ＿（０１）和Ｅ＇＿（０１）是新发现的和γ辐照有关的ＧａＡｓ缺陷。和低阻衬底同质外延ＧａＡｓ相比，Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较低的γ射线辐照缺陷引入率，与此相反，单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较高的γ射线辐照缺陷的引入率。 展开更多
关键词 砷化镓 Γ辐射 辐射效应 缺陷
原文传递
鼻内镜下鼻窦功能性开放术病人的护理配合 被引量：3
6
作者 徐碧芳 何梅芬 《全科护理》 2010年第1期27-27,共1页
[目的]总结鼻内镜下鼻窦功能性开放术的护理配合措施。[方法]回顾性分析20例鼻窦炎行鼻内镜下鼻窦功能性开放术治疗的临床资料。[结果]本组病人均顺利完成手术,手术视野清晰,无一例发生并发症,均临床康复。[结论]加强鼻窦炎行鼻内镜下... [目的]总结鼻内镜下鼻窦功能性开放术的护理配合措施。[方法]回顾性分析20例鼻窦炎行鼻内镜下鼻窦功能性开放术治疗的临床资料。[结果]本组病人均顺利完成手术,手术视野清晰,无一例发生并发症,均临床康复。[结论]加强鼻窦炎行鼻内镜下鼻窦功能性开放术的手术配合是手术成功的重要保障。 展开更多
关键词 鼻内镜 鼻窦功能性开放术 护理配合
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部