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SIPOS纵向结构对晶体管电压特性的影响 被引量：2
1
作者 石青宏 厉策 +1 位作者 王军 何慧强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期37-39,共3页
通过对半绝缘多晶硅(SIPOS)膜纵向结构均匀性不同结果的对比,论述了SIPOS膜成分的纵向结构分布对晶体管的钝化作用的影响,同时根据实际生产提出一些改进SIPOS膜结构的方法。
关键词 SIPOS 纵向结构 晶体管 电压特性 半绝缘多晶硅 掺氧多晶硅 膜结构
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