采用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导和SOI(Silicon on Insulator)脊型波导内部残留热应力引起的双折射·对于硅基二氧化硅波导,应力双折射系数的数量级为10-4,对于上包层为空气的SOI脊型波导,该系数的数量级为10-5,对于上包层为S...采用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导和SOI(Silicon on Insulator)脊型波导内部残留热应力引起的双折射·对于硅基二氧化硅波导,应力双折射系数的数量级为10-4,对于上包层为空气的SOI脊型波导,该系数的数量级为10-5,对于上包层为Si O2的SOI脊型波导,该系数的数量级为10-3,可见在硅基二氧化硅波导和上包层为Si O2的SOI脊型波导中产生了大的应力双折射,而在上包层为空气的SOI脊型波导中应力双折射较小·展开更多
文摘采用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导和SOI(Silicon on Insulator)脊型波导内部残留热应力引起的双折射·对于硅基二氧化硅波导,应力双折射系数的数量级为10-4,对于上包层为空气的SOI脊型波导,该系数的数量级为10-5,对于上包层为Si O2的SOI脊型波导,该系数的数量级为10-3,可见在硅基二氧化硅波导和上包层为Si O2的SOI脊型波导中产生了大的应力双折射,而在上包层为空气的SOI脊型波导中应力双折射较小·