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sol-gel纳米晶二氧化锡薄膜的制备及表征 被引量：2
1
作者 闫军锋 王雪文 +2 位作者 张志勇 赵丽丽 何崇斌 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期5-8,共4页
以SnCl4为原料,采用sol-gel技术,应用间接成胶法,在玻璃片上制备了纳米晶SnO2薄膜及粉体,以其灵敏度、响应时间和工作温度作为评价气敏性能的标准,对制备工艺参数进行了优化,并用DSC-TG、XRD、AFM等手段对样品进行了表征。结果表明,水... 以SnCl4为原料,采用sol-gel技术,应用间接成胶法,在玻璃片上制备了纳米晶SnO2薄膜及粉体,以其灵敏度、响应时间和工作温度作为评价气敏性能的标准,对制备工艺参数进行了优化,并用DSC-TG、XRD、AFM等手段对样品进行了表征。结果表明,水与乙醇体积比为3:1,草酸与四氯化锡摩尔比为0.3:1,在500℃下退火的薄膜表面平整,平均粒度在20nm左右,且相应的薄膜元件对丙酮蒸气具有良好的选择性和较高的灵敏度、较短的响应时间和较低的工作温度(≈190℃)。 展开更多
关键词 电子技术 SOL-GEL法 纳米晶 二氧化锡 气敏特性
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MO-PECVD SnO_2气敏薄膜的制备及表征 被引量：2
2
作者 阎军锋 何崇斌 +1 位作者 王雪文 张志勇 《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期279-282,共4页
目的　探索制备SnO2薄膜的最佳工艺,研究氧分压与其薄膜元件气敏性能间的关系。方法以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质,采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)。利用X射线衍射仪和扫描电镜(SEM)对薄膜的晶体结构、SnO... 目的　探索制备SnO2薄膜的最佳工艺,研究氧分压与其薄膜元件气敏性能间的关系。方法以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质,采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)。利用X射线衍射仪和扫描电镜(SEM)对薄膜的晶体结构、SnO2晶体的颗粒度进行了表征,对不同样品的气敏性能做了测试分析。结果　优化出制备SnO2薄膜的最佳工艺。结论　氧分压是影响SnO2颗粒尺寸大小及薄膜元件气敏性能的重要因素。 展开更多
关键词 MO—PECVD方法 SNO2薄膜 气敏
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残余应力与电极电位之间的关系 被引量：3
3
作者 何崇斌 《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期245-246,共2页
结合电化学原理 ,从实验的角度分析论证了残余应力与电极电位之间的对应关系 ,旨在为应力腐蚀的纵深研究和开拓新的应力测试方法做一点尝试。
关键词 残余应力 电极电位 应力松驰 电化学原理 应力腐蚀 应力测试
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钛酸锶铅材料半导性研究 被引量：2
4
作者 何崇斌 施云斌 +1 位作者 赵丽丽 张志勇 《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期561-563,共3页
目的研究掺杂对(Sr,Pb)TiO3半导性及微观组织的影响。方法在溶胶-凝胶法中,采用不同的掺杂浓度及不同的烧结温度来进行研究。结果改善了烧结温度,改进了PTC复合效应,提高了电学特性。结论通过掺杂可以改变(Sr,Pb)TiO3的半导性。
关键词 溶胶-凝胶法 钛酸锶铅 掺杂 半导性
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锶铅比对钛酸锶鉛材料性能的影响 被引量：2
5
作者 何崇斌 施云斌 +1 位作者 赵丽丽 张志勇 《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期547-550,共4页
目的研究锶铅比对(Sr,Pb)TiO3材料性能的影响。方法在溶胶-凝胶法中,采用在一定的掺杂浓度下,通过改变不同的锶铅比来进行研究。结果改变锶铅比,会使(Sr,Pb)TiO3材料的NTC-PTC特性发生明显的变化,从而使其半导性及应用范围发生变化。结... 目的研究锶铅比对(Sr,Pb)TiO3材料性能的影响。方法在溶胶-凝胶法中,采用在一定的掺杂浓度下,通过改变不同的锶铅比来进行研究。结果改变锶铅比,会使(Sr,Pb)TiO3材料的NTC-PTC特性发生明显的变化,从而使其半导性及应用范围发生变化。结论通过改变锶铅比,可以调节(Sr,Pb)TiO3的居里温度TC,这对扩大(Sr,Pb)TiO3材料的应用范围,具有积极的实用意义。 展开更多
关键词 锶铅比 钛酸锶铅 材料性能
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Mg^(2+)掺杂对SrTiO_3薄膜光电特性的影响 被引量：1
6
作者 刘雪婷 何崇斌 +1 位作者 薛异荣 焦龙龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第B06期105-107,共3页
利用溶胶-凝胶法在Al2O3陶瓷片上制备掺Mg的SrTiO3薄膜。在SrTiO3中掺杂不同含量的Mg离子,Mg在钛酸锶中取代钛位,形成受主掺杂。研究了掺杂对薄膜电阻率的影响,实验表明,当掺杂浓度为4%时,电阻率最小。当掺杂浓度为4%时,薄膜电阻率会随... 利用溶胶-凝胶法在Al2O3陶瓷片上制备掺Mg的SrTiO3薄膜。在SrTiO3中掺杂不同含量的Mg离子,Mg在钛酸锶中取代钛位,形成受主掺杂。研究了掺杂对薄膜电阻率的影响,实验表明,当掺杂浓度为4%时,电阻率最小。当掺杂浓度为4%时,薄膜电阻率会随着光功率变化而变化,当光功率<100W时,电阻迅速减小,超过100W时,减小幅度变小。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 SRTIO3薄膜 Mg掺杂 电阻率
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锶钡比及膜厚对钛酸锶钡薄膜介电行为的影响
7
作者 赵丽丽 张智翔 +2 位作者 高永进 翟春雪 何崇斌 《中国科技信息》 2012年第6期54-54,共1页
采用溶胶-凝胶法制备不同锶钡比、不同膜厚的钛酸锶钡薄膜,研究了薄膜的介电行为。性能测试表明,在不同的锶钡比的钛酸锶钡薄膜中,介电性能最好的锶钡比为0.5:0.5,此时介电系数最大介电损耗最小;膜厚与薄膜的介电系数呈线性关系,随膜厚... 采用溶胶-凝胶法制备不同锶钡比、不同膜厚的钛酸锶钡薄膜,研究了薄膜的介电行为。性能测试表明,在不同的锶钡比的钛酸锶钡薄膜中,介电性能最好的锶钡比为0.5:0.5,此时介电系数最大介电损耗最小;膜厚与薄膜的介电系数呈线性关系,随膜厚增加薄膜的介电系数线性增加。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 钛酸锶钡薄膜 介电性能 锶钡比
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Sol-Gel法制备钛酸锶钡薄膜及其掺杂介电行为
8
作者 赵丽丽 高永进 +2 位作者 张智翔 翟春雪 何崇斌 《中国科技信息》 2012年第7期60-60,共1页
采用溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡薄膜,经XRD测试薄膜的相结构,证明薄膜具有一定的择优取向性。性能测试表明,随Mn掺杂量的增加,薄膜的介电系数稳定地增加,而介电损耗在Mn含量为7.5%时最小。
关键词 溶胶-凝胶法 钛酸锶钡薄膜 掺杂 介电性能
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