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题名衬底温度对共溅射制备AZO薄膜光电性能影响
被引量:5
- 1
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作者
何双赐
钟志成
汪竞阳
魏彦锋
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机构
湖北文理学院物理与电子工程学院
武汉科技大学材料与冶金学院
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出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期784-788,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(51302075
61302004)
湖北省自然科学基金重点资助项目(ZRZ2015000203)
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文摘
以Al金属和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射的方法在玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(AZO)透明导电薄膜,采用X线光电子能谱仪、X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和霍耳效应测试仪对薄膜的微观形貌结构及光电性能进行了表征和分析,探究了不同衬底温度对薄膜光电性能的影响。结果表明,所制备的AZO薄膜均具有c轴取向生长的六角纤锌矿结构,在衬底温度为300℃时AZO薄膜结晶质量最好,电阻率最低(为1.43×10-3Ω·cm)。所有样品薄膜在380~780nm区间平均透过率大于90%,随着衬底温度的升高,AZO薄膜的吸收边出现了蓝移。
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关键词
Al掺杂ZnO(AZO)薄膜
共溅射
衬底温度
光电性能
蓝移
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Keywords
AZO thin films
co-sputtering
substrate temperature
photoelectric properties
blue shift
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分类号
TN304.2
[电子电信—物理电子学]
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题名共溅射法制备AZO薄膜及其光电性能的研究
被引量:2
- 2
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作者
何双赐
钟志成
魏彦锋
汪竞阳
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机构
武汉科技大学材料与冶金学院
湖北文理学院物理与电子工程学院
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出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期233-238,共6页
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基金
国家自然科学基金(51302075
61302004)
湖北省自然科学基金(ZRZ2015000203)~~
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文摘
目的研究Al靶直流溅射功率对Al掺杂ZnO(AZO)薄膜光电性能的影响。方法以金属Al和ZnO陶瓷作为靶材,采用直流与射频双靶磁控共溅射的方法,在玻璃基片上制备AZO薄膜。通过改变Al靶直流溅射功率,获得不同的薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、光电子能谱仪(XPS)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、四探针测试仪,对薄膜的微观形貌结构及光电性能进行表征和分析。结果所制备的AZO薄膜均具有C轴取向生长的六角纤锌矿结构,在可见光区域平均透过率超过90%,AZO薄膜的吸收边相比于ZnO薄膜出现了蓝移。当Al靶溅射功率为18 W时,AZO薄膜的最低电阻率为2.49×10^(-3)?·cm,品质因子为370.2 S/cm。结论 Al直流溅射功率对AZO薄膜光电性能的影响较大,溅射功率为18 W时,制备的AZO薄膜性能最优。
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关键词
AZO薄膜
共溅射
溅射功率
光电性能
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Keywords
AZO thin films
co-sputtered
sputtering power
photoelectric properties
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分类号
TG174.442
[金属学及工艺—金属表面处理]
O484
[金属学及工艺—金属学]
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题名衬底温度对共溅射法制备TZO薄膜光电性能的影响
被引量:1
- 3
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作者
何双赐
钟志成
魏彦锋
汪竞阳
张旭明
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机构
湖北文理学院物理与电子工程学院
武汉科技大学材料与冶金学院
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出处
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期108-111,共4页
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基金
国家自然科学基金(51302075
61302004)
湖北省自然科学基金重点项目(ZRZ2015000203)
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文摘
以金属Ti和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备Ti掺杂ZnO(TZO)透明导电薄膜,探究了衬底温度对薄膜光电性能的影响。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪对薄膜微观形貌、结构及光电性能进行了表征和分析。结果表明:制备的TZO薄膜均具有C轴取向生长的六角纤锌矿结构,衬底温度为350℃时TZO薄膜结晶质量最好,电阻率最小,为2.78×10^(-3)Ω·cm,品质因子最高,达到334.1S/cm。所有薄膜样品在波长380~780nm区间平均透过率大于91%,随着衬底温度的升高,TZO薄膜的吸收边出现了蓝移。
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关键词
TZO薄膜
共溅射
衬底温度
光电性能
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Keywords
TZO thin film
co-sputtering
substrate temperature
photoelectric property
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分类号
O484
[理学—固体物理]
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