期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
衬底温度对共溅射制备AZO薄膜光电性能影响 被引量:5
1
作者 钟志成 +1 位作者 汪竞阳 魏彦锋 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期784-788,共5页
以Al金属和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射的方法在玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(AZO)透明导电薄膜,采用X线光电子能谱仪、X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和霍耳效应测试仪对薄膜... 以Al金属和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射的方法在玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(AZO)透明导电薄膜,采用X线光电子能谱仪、X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和霍耳效应测试仪对薄膜的微观形貌结构及光电性能进行了表征和分析,探究了不同衬底温度对薄膜光电性能的影响。结果表明,所制备的AZO薄膜均具有c轴取向生长的六角纤锌矿结构,在衬底温度为300℃时AZO薄膜结晶质量最好,电阻率最低(为1.43×10-3Ω·cm)。所有样品薄膜在380~780nm区间平均透过率大于90%,随着衬底温度的升高,AZO薄膜的吸收边出现了蓝移。 展开更多
关键词 Al掺杂ZnO(AZO)薄膜 共溅射 衬底温度 光电性能 蓝移
下载PDF
共溅射法制备AZO薄膜及其光电性能的研究 被引量:2
2
作者 钟志成 +1 位作者 魏彦锋 汪竞阳 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期233-238,共6页
目的研究Al靶直流溅射功率对Al掺杂ZnO(AZO)薄膜光电性能的影响。方法以金属Al和ZnO陶瓷作为靶材,采用直流与射频双靶磁控共溅射的方法,在玻璃基片上制备AZO薄膜。通过改变Al靶直流溅射功率,获得不同的薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、光... 目的研究Al靶直流溅射功率对Al掺杂ZnO(AZO)薄膜光电性能的影响。方法以金属Al和ZnO陶瓷作为靶材,采用直流与射频双靶磁控共溅射的方法,在玻璃基片上制备AZO薄膜。通过改变Al靶直流溅射功率,获得不同的薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、光电子能谱仪(XPS)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、四探针测试仪,对薄膜的微观形貌结构及光电性能进行表征和分析。结果所制备的AZO薄膜均具有C轴取向生长的六角纤锌矿结构,在可见光区域平均透过率超过90%,AZO薄膜的吸收边相比于ZnO薄膜出现了蓝移。当Al靶溅射功率为18 W时,AZO薄膜的最低电阻率为2.49×10^(-3)?·cm,品质因子为370.2 S/cm。结论 Al直流溅射功率对AZO薄膜光电性能的影响较大,溅射功率为18 W时,制备的AZO薄膜性能最优。 展开更多
关键词 AZO薄膜 共溅射 溅射功率 光电性能
下载PDF
衬底温度对共溅射法制备TZO薄膜光电性能的影响 被引量:1
3
作者 钟志成 +2 位作者 魏彦锋 汪竞阳 张旭明 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期108-111,共4页
以金属Ti和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备Ti掺杂ZnO(TZO)透明导电薄膜,探究了衬底温度对薄膜光电性能的影响。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计和四探针... 以金属Ti和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备Ti掺杂ZnO(TZO)透明导电薄膜,探究了衬底温度对薄膜光电性能的影响。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪对薄膜微观形貌、结构及光电性能进行了表征和分析。结果表明:制备的TZO薄膜均具有C轴取向生长的六角纤锌矿结构,衬底温度为350℃时TZO薄膜结晶质量最好,电阻率最小,为2.78×10^(-3)Ω·cm,品质因子最高,达到334.1S/cm。所有薄膜样品在波长380~780nm区间平均透过率大于91%,随着衬底温度的升高,TZO薄膜的吸收边出现了蓝移。 展开更多
关键词 TZO薄膜 共溅射 衬底温度 光电性能
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部