期刊文献+
共找到71篇文章
< 1 2 4 >
每页显示 20 50 100
机械球磨对石墨结构的影响 被引量:10
1
作者 杨杭生 吴国涛 +7 位作者 张孝彬 陈小华 卢筱楠 王淼 王春生 徐铸德 李文铸 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期522-526,共5页
对石墨进行了150h机械球磨,发现石墨原有的晶体结构被破坏,引入各种晶格缺陷的同时,生成了巴基洋葱、三脚架形碳纳米结构和纳米弓形等具有高度弯曲石墨面的碳纳米结构材料.还研究了其结构特征。
关键词 机械球磨 石墨结构 碳纳米结构材料
原文传递
单层纳米碳管振动模的拉曼光谱研究 被引量:9
2
作者 李宏年 徐亚伯 +2 位作者 李海洋 鲍世宁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期273-278,共6页
测量了单层纳米碳管的一级、二级拉曼光谱.在40—3300cm-1范围内观测到18条一级拉曼谱线和7条二级拉曼谱线,理论所预言的谱线几乎全被观测到,谱峰位置和理论值符合得很好.通过和理论值的对照,对这些谱线作了初步标定.
关键词 拉曼光谱 单层 碳管 纳米碳管 振动模
原文传递
单根纳米导线场发射增强因子的计算 被引量:14
3
作者 王新庆 王淼 +4 位作者 李振华 杨兵 王凤飞 徐亚伯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期1347-1351,共5页
利用镜像电荷模型 ,对静电场中单根纳米导线尖端的电势和电场进行计算 ,得到纳米导线发射体尖端场增强因子表达式为 β0 =h ρ+3 5 .若考虑极板间距对场增强因子的影响 ,则场增强因子的表达式调整为 β =hρ +3 5+A hd3,其中h ,ρ分别... 利用镜像电荷模型 ,对静电场中单根纳米导线尖端的电势和电场进行计算 ,得到纳米导线发射体尖端场增强因子表达式为 β0 =h ρ+3 5 .若考虑极板间距对场增强因子的影响 ,则场增强因子的表达式调整为 β =hρ +3 5+A hd3,其中h ,ρ分别为纳米导线的长度和半径 ,d为极板间距 ,A为常数 .结果表明纳米导线的长径比对场增强因子的影响最显著 ,而极板间距对纳米导线的场增强因子只有微弱影响 ,随极板距离的增加而减小 . 展开更多
关键词 场增强因子 镜像电荷 表达式 场发射 电势 静电场 发射体 纳米导线 距离 调整
原文传递
C_2H_4在清洁和有Cs覆盖的Ru(0001)表面吸附的TDS研究 被引量:7
4
作者 庄友谊 吴悦 +5 位作者 张建华 张寒洁 李波 李海洋 鲍世宁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1185-1188,共4页
用热脱附谱 (TDS)方法研究了乙烯 (C2 H4)在Ru(0 0 0 1)表面上的吸附 .在低温下 (2 0 0K以下 )乙烯可以在清洁及有Cs的Ru(0 0 0 1)表面上以分子状态稳定吸附 ,在衬底温度升高至 2 0 0K以上时 ,乙烯发生了脱氢分解反应 ,乙烯分解后的主... 用热脱附谱 (TDS)方法研究了乙烯 (C2 H4)在Ru(0 0 0 1)表面上的吸附 .在低温下 (2 0 0K以下 )乙烯可以在清洁及有Cs的Ru(0 0 0 1)表面上以分子状态稳定吸附 ,在衬底温度升高至 2 0 0K以上时 ,乙烯发生了脱氢分解反应 ,乙烯分解后的主要产物为乙炔 (C2 H2 ) .在清洁的Ru(0 0 0 1)表面 ,乙烯有两种吸附状态 ,脱附温度分别为 2 75K和 36 0K .而乙炔的脱附温度为 35 0K .在Ru(0 0 0 1)表面有Cs的存在时 ,乙烯分解为乙炔的概率增大 ,乙烯和乙炔的脱附温度均随着Cs覆盖度的增加而提高用热脱附谱 (TDS)方法研究了乙烯 (C2 H4)在Ru(0 0 0 1)表面上的吸附 .在低温下 (2 0 0K以下 )乙烯可以在清洁及有Cs的Ru(0 0 0 1)表面上以分子状态稳定吸附 ,在衬底温度升高至 2 0 0K以上时 ,乙烯发生了脱氢分解反应 ,乙烯分解后的主要产物为乙炔 (C2 H2 ) .在清洁的Ru(0 0 0 1)表面 ,乙烯有两种吸附状态 ,脱附温度分别为 2 75K和 36 0K .而乙炔的脱附温度为 35 0K .在Ru(0 0 0 1)表面有Cs的存在时 ,乙烯分解为乙炔的概率增大 ,乙烯和乙炔的脱附温度均随着Cs覆盖度的增加而提高 . 展开更多
关键词 乙烯 钌(0001)表面 铯/钌(0001)表面 热脱附谱 化学吸附 脱附温度
原文传递
纳米碳管-(Ni-P)复合材料制备及性能 被引量:2
5
作者 王新庆 王淼 +5 位作者 李振华 朱海滨 王风飞 少龙 韩宝善 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期142-146,共5页
 采用化学复合镀的方法,在45#钢衬底上制备纳米碳管(CNTs)-(Ni-P)复合材料。探讨了该复合材料的制备技术及工艺条件,通过对实验结果的观察和分析,确定了制备CNTs-(Ni-P)复合材料的最佳工艺条件。利用透射电镜(TEM)观察纳米碳管的结构;...  采用化学复合镀的方法,在45#钢衬底上制备纳米碳管(CNTs)-(Ni-P)复合材料。探讨了该复合材料的制备技术及工艺条件,通过对实验结果的观察和分析,确定了制备CNTs-(Ni-P)复合材料的最佳工艺条件。利用透射电镜(TEM)观察纳米碳管的结构;用扫描电镜(SEM)观察纳米碳管形貌及其在复合材料中的分布;利用原子力显微镜(AFM)观察复合材料表面的粗糙度。同时还对纳米碳管复合材料的耐磨性进行了初步的测试。实验结果表明,该复合材料的耐磨性明显好于未镀及单纯镀镍材料。 展开更多
关键词 纳米碳管(CNTs) 化学复合镀 复合材料
下载PDF
氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化 被引量:5
6
作者 祝洪良 杨德仁 +4 位作者 汪雷 裴艳丽 阙端麟 张寒洁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1049-1052,共4页
研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化 ,利用了XPS(X射线光电子谱 )、SEM(扫描电子显微镜 )、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪 )等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热处理后的样品表面 ,结果发现只有用高纯氮保... 研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化 ,利用了XPS(X射线光电子谱 )、SEM(扫描电子显微镜 )、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪 )等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热处理后的样品表面 ,结果发现只有用高纯氮保护和温度高于 110 0℃的条件下 ,氮气才能与硅表面发生反应 ,生成氮化硅 (Si3 N4 )薄膜 ,否则氮保护中微量的氧气会和硅表面发生反应 ,生成二氧化硅 (SiO2 )薄膜 . 展开更多
关键词 氮化硅 X射线光电子谱 氮化
下载PDF
单壁纳米碳管的纯化研究(英文) 被引量:1
7
作者 王新庆 王淼 +4 位作者 李振华 朱海滨 王凤飞 卢焕明 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第6期594-598,共5页
A purification method to remove the metal catalysts and impurity carbon materials from arc discharge grown single walled carbon nanotubes (SWCNTs) has been developed. Microporous membrane and the oxidation in the air ... A purification method to remove the metal catalysts and impurity carbon materials from arc discharge grown single walled carbon nanotubes (SWCNTs) has been developed. Microporous membrane and the oxidation in the air for the crude SWCNTs were used to eliminate the coexisting metal catalysts nanoparticles,carbon nanoparticles and amorphous carbon. Then we used the high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) to characterize the crude SWCNTs prepared by arc discharge method and the purified SWCNTs. The Raman spectra and the thermogravimetric analysis (TGA) were also utilized to analyze the approach of our purification for SWCNTs. With this method the SWCNTs with the purity more than 95%could be obtained. 展开更多
关键词 单壁纳米碳管 纯化 拉曼光谱 热重分析
下载PDF
C_2H_4在Ru(100)表面吸附与分解的研究 被引量:5
8
作者 庄友谊 吴悦 +5 位作者 张建华 张寒洁 汪健 李海洋 鲍世宁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期2101-2105,共5页
用X射线电子能谱 (XPS)、热脱附谱 (TDS)和紫外光电子能谱 (UPS)方法研究了乙烯 (C2 H4 )在Ru(10 10 )表面的吸附 ,在低温下 (2 0 0K以下 )乙稀 (C2 H4 )可以在Ru(10 10 )表面上以分子状态稳定吸附 ,在 2 0 0K以上乙烯(C2 H4 )则发生了... 用X射线电子能谱 (XPS)、热脱附谱 (TDS)和紫外光电子能谱 (UPS)方法研究了乙烯 (C2 H4 )在Ru(10 10 )表面的吸附 ,在低温下 (2 0 0K以下 )乙稀 (C2 H4 )可以在Ru(10 10 )表面上以分子状态稳定吸附 ,在 2 0 0K以上乙烯(C2 H4 )则发生了脱氢分解反应 .TDS结果表明乙烯 (C2 H4 )分解后的主要产物为乙炔 (C2 H2 ) .乙烯 (C2 H4 )分解后C的 1s能级向低结合能方向移动了 0 3eV ,而价态σCC和σCH轨道能级向高结合能方向分别移动了 0 5和 1 1eV . 展开更多
关键词 乙炔 表面 吸附 分解
原文传递
NO在清洁和Cs覆盖的Ru(100)表面上吸附的热脱附谱 被引量:4
9
作者 张寒洁 颜朝军 +5 位作者 李海洋 鲍世宁 汪健 徐纯一 徐亚伯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期577-580,共4页
用热脱附谱等方法研究了NO分别在清洁和Cs覆盖的Ru(1010)表面上的吸附.结果表明:存在两种NO分子吸附态(a1,a2),脱附温度分别处于325℃和550℃附近.Cs的存在增加了Ru(1010)表面上a2态的吸附位置,提高了该态的脱附温度.Cs在Ru(1010)表面... 用热脱附谱等方法研究了NO分别在清洁和Cs覆盖的Ru(1010)表面上的吸附.结果表明:存在两种NO分子吸附态(a1,a2),脱附温度分别处于325℃和550℃附近.Cs的存在增加了Ru(1010)表面上a2态的吸附位置,提高了该态的脱附温度.Cs在Ru(1010)表面上的存在同时促进了吸附NO分子的分解.NO在Ru(1010)表面上分解后形成吸附O原子和N原子.N原子复合以N2在约500℃附近脱附,同时Cs的存在也促进了N2O的形成.在Cs覆盖的Ru(1010)表面上,N2O的脱附温度约在425℃. 展开更多
关键词 一氧化氮 表面 吸附 热脱附谱
原文传递
半金属铋薄膜导电特性和粗糙度的研究 被引量:4
10
作者 徐建峰 张建华 +2 位作者 李海洋 鲍世宁 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期26-29,共4页
本论文利用真空镀膜方法在云母片上生长半金属Bi薄膜 ,测量了薄膜生长厚度与电阻之间的关系 ,并用原子力显微镜 (AFM)研究了云母表面半金属薄膜电阻变化与薄膜粗糙度间的关系。生长初始阶段 ,薄膜先形成孤立的三维小岛 (典型高度 1nm ,... 本论文利用真空镀膜方法在云母片上生长半金属Bi薄膜 ,测量了薄膜生长厚度与电阻之间的关系 ,并用原子力显微镜 (AFM)研究了云母表面半金属薄膜电阻变化与薄膜粗糙度间的关系。生长初始阶段 ,薄膜先形成孤立的三维小岛 (典型高度 1nm ,直径 10nm ,间距 10nm) ,随后互相聚结形成网状结构 ,薄膜不导通 (R≥ 2 0MΩ) ,粗糙度随膜厚增加而减小。当等效厚度d =1.74nm时 ,薄膜导通 (R≤ 13MΩ) ,薄膜的形貌变为有小孔洞的连续状结构 ,粗糙度在此厚度附近达到最小值然后又增大。随着薄膜继续生长 ,连续状结构的厚度增加 ,薄膜电阻随之迅速减小 ,当d≥ 2 .4nm时薄膜电阻趋近于稳定值 2kΩ。 展开更多
关键词 薄膜生长 连续 薄膜电阻 最小值 导电特性 粗糙度 定值 导通 原子力显微镜(AFM) 真空镀膜
下载PDF
MgZnO和ZnO晶体薄膜紫外发光特性比较 被引量:4
11
作者 陈奶波 邱东江 +3 位作者 吴惠桢 张寒洁 鲍世宁 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期349-352,共4页
用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C -轴取向的ZnO薄膜 .X 射线光电子能谱 (XPS)结果表明 ,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高 .紫外光致荧光谱 (UVPL)测试显示 ,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从 393nm蓝... 用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C -轴取向的ZnO薄膜 .X 射线光电子能谱 (XPS)结果表明 ,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高 .紫外光致荧光谱 (UVPL)测试显示 ,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从 393nm蓝移至 373nm ,这可能与MgZnO的带隙变宽有关 .对ZnO薄膜的研究还发现 ,生长过程中充O2 与否对ZnO发光特性的影响显著 ,不充O2 时样品的紫外荧光峰较之充O2 展开更多
关键词 紫外光致荧光谱 X射线光电子能谱 晶体薄膜 氧化锌 电子束蒸发反应沉积法 光谱蓝移 光谱红移 带隙
下载PDF
C_(60)单晶生长及特性的研究 被引量:4
12
作者 徐亚伯 +2 位作者 李海洋 齐仲甫 蔡莲珍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期248-252,共5页
用气相生长法生长了最大线度约为1.5mm的C_(60)单晶。单晶X射线衍射分析结果表明,该C_(60)单晶为fcc结构,晶格常数为1.413nm,在251K附近与相变有关的电导率的尖锐跳变表明,C_(60)单晶具有很... 用气相生长法生长了最大线度约为1.5mm的C_(60)单晶。单晶X射线衍射分析结果表明,该C_(60)单晶为fcc结构,晶格常数为1.413nm,在251K附近与相变有关的电导率的尖锐跳变表明,C_(60)单晶具有很高的纯度和良好的均匀性。观察到在274K附近激活能的变化,这可能是另一个相变的反映。 展开更多
关键词 碳团簇分子 单晶 晶体生长
原文传递
CSM系列半导体测试系统的研究 被引量:3
13
作者 陈光遂 +1 位作者 高捷 陈敏麒 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第1期13-20,共8页
CSM系列自动化半导体测试系统是由微型计算机、接口电路单元以及各种模拟测量仪器组合构成的专用测试系统.测量仪器是1MHz电容仪、微电流仪、线性斜坡电压发生器等等.本文重点介绍CSMⅢ型系统.该系统已配备七套应用软件,既可用于集成电... CSM系列自动化半导体测试系统是由微型计算机、接口电路单元以及各种模拟测量仪器组合构成的专用测试系统.测量仪器是1MHz电容仪、微电流仪、线性斜坡电压发生器等等.本文重点介绍CSMⅢ型系统.该系统已配备七套应用软件,既可用于集成电路芯片生产过程中关键工序的在线工艺检测,也可用于半导体器件的研究工作.本系统可以替代进口的类似检测设备. 展开更多
关键词 半导体器件 测试系统 CSM系列
下载PDF
Mn/PbTe(111)界面行为的光电子能谱研究 被引量:3
14
作者 吴海飞 张寒洁 +6 位作者 廖清 陆赟豪 斯剑霄 李海洋 鲍世宁 吴惠祯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期1310-1315,共6页
利用X光电子能谱(XPS)对Mn在PbTe(111)表面上沉积生长的界面性质进行了研究.研究表明Mn的沉积使衬底发生了原子尺度上的突变及金属/半导体界面的形成.从X光电子能谱的芯态能级峰来看,随着Mn膜的沉积Pb4f峰的低结合能端出现了金属Pb的特... 利用X光电子能谱(XPS)对Mn在PbTe(111)表面上沉积生长的界面性质进行了研究.研究表明Mn的沉积使衬底发生了原子尺度上的突变及金属/半导体界面的形成.从X光电子能谱的芯态能级峰来看,随着Mn膜的沉积Pb4f峰的低结合能端出现了金属Pb的特征新峰,而Te3d峰的高结合能端却出现了MnTe特征新峰.且随着Mn膜厚度的增加这些新峰变得越来越明显,当Mn膜厚度超过7ML(monolayer)(即超过Pb,Te的探测深度)时,衬底信号峰完全消失,只剩下金属Pb和MnTe的芯态能级峰.Mn膜厚度继续增加时,金属Pb芯态能级峰的峰强在误差范围内基本保持不变,而具有MnTe特性的Te的芯态能级峰峰强呈明显下降趋势,当膜厚为102ML时,几乎已经探测不到Te的芯态峰,而金属Pb的芯态峰却仍然较强.由此可以推测随着金属Mn膜的沉积,衬底原子Pb和Te均向金属层发生了不同程度的偏析.偏析的Te以MnTe化合物的形式被束缚在Mn金属生长层中,而偏析的Pb则以金属Pb的形式漂浮在Mn生长层的最表面. 展开更多
关键词 PbTe半导体 界面形成 光电子能谱 偏析
原文传递
窄带隙IV-VI族半导体PbTe(111)的表面氧化及氧的热脱附机理 被引量:3
15
作者 吴海飞 吴珂 +2 位作者 张寒洁 廖清 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1252-1256,共5页
利用X射线光电子能谱(XPS)、扫描隧道显微镜(STM)以及低能电子衍射(LEED),对PbTe(111)薄膜的表面氧化及氧的热脱附机理进行了研究.结果表明:PbTe(111)薄膜经500VAr+轰击加上250℃高温退火循环处理,可得到呈(1×1)周期性排列的清洁表... 利用X射线光电子能谱(XPS)、扫描隧道显微镜(STM)以及低能电子衍射(LEED),对PbTe(111)薄膜的表面氧化及氧的热脱附机理进行了研究.结果表明:PbTe(111)薄膜经500VAr+轰击加上250℃高温退火循环处理,可得到呈(1×1)周期性排列的清洁表面.将此清洁表面暴露于大气两天后,表面被氧化形成了PbO2、PbO和TeO2,氧化层的厚度大于2个单原子层(ML),与清洁PbTe(111)表面相比,被氧化的PbTe(111)表面的Te3d5/2与Pb4f7/2芯态谱峰的面积比明显减小,表明被氧化的PbTe(111)表面是富Pb的.在热脱附处理过程中,PbO2和TeO2的芯态峰消失,且O1s芯态峰的强度迅速减弱,表明加热处理不仅使PbO2和TeO2发生了分解,同时也使氧发生了脱附,但PbO即使在350℃退火仍吸附于PbTe(111)表面. 展开更多
关键词 表面氧化 脱附 PbTe(111) X射线光电子能谱 扫描隧道显微镜
下载PDF
OPCOT在Ru(0001)表面上的紫外光电子能谱研究 被引量:2
16
作者 吕斌 吕萍 +5 位作者 施申蕾 张建华 唐建新 楼辉 鲍世宁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期2644-2648,共5页
采用紫外光电子能谱 ,研究了新型有机发光材料八芳基环辛四烯 (OPCOT)在金属Ru(0 0 0 1 )表面上的电子结构 ,以及它们之间的相互作用 .位于费米能级以下 4 3,6 9,9 3和 1 1 4eV处的 4个谱峰分别来自于OPCOT材料中苯环的πCC,σCC,σ... 采用紫外光电子能谱 ,研究了新型有机发光材料八芳基环辛四烯 (OPCOT)在金属Ru(0 0 0 1 )表面上的电子结构 ,以及它们之间的相互作用 .位于费米能级以下 4 3,6 9,9 3和 1 1 4eV处的 4个谱峰分别来自于OPCOT材料中苯环的πCC,σCC,σCH 和σHH 轨道 ,位于 3 0eV处的谱峰反映了 8个苯环聚合后具有π轨道特性的C—C键 .OPCOT材料的价带顶位于费米能级以下 2 5eV处 ,OPCOT材料在Ru(0 0 0 1 )表面上的功函数为 3 95eV .1 5 0℃以下 ,OPCOT材料可以在Ru(0 0 0 1 )表面稳定存在 .随温度的升高 。 展开更多
关键词 OPCOT Ru 紫外光电子能谱 八芳基环辛四烯 价电子结构 脱附 有机发光器件 发光特性 电子传输材料
原文传递
乙烯在Ru(1010)表面价带电子特性研究 被引量:3
17
作者 张建华 吴悦 +8 位作者 庄友谊 张寒洁 汪健 李海洋 鲍世宁 刘凤琴 奎热西·易卜拉欣 钱海杰 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第1期107-112,共6页
在 2 0 0K以下乙烯 (C2 H4 )可以在Ru( 10 10 )表面上以分子状态稳定吸附 ,2 0 0K以上乙烯发生了脱氢分解反应生成乙炔 (C2 H2 )。乙烯分解生成乙炔后 ,σCC和σCH分子轨道能级向高结合能方向分别移动了 0 .5和 1.1eV。偏振角分辨紫外... 在 2 0 0K以下乙烯 (C2 H4 )可以在Ru( 10 10 )表面上以分子状态稳定吸附 ,2 0 0K以上乙烯发生了脱氢分解反应生成乙炔 (C2 H2 )。乙烯分解生成乙炔后 ,σCC和σCH分子轨道能级向高结合能方向分别移动了 0 .5和 1.1eV。偏振角分辨紫外光电子谱 (ARUPS)结果表明 :在Ru( 10 10 )表面上 ,乙烯和脱氢反应后生成的乙炔分子的C -C键轴都不平行于表面 ,而是沿表面〈0 0 0 1〉晶向倾斜。 展开更多
关键词 乙烯 脱氢分解 价电子结构
下载PDF
高频MOS-CV特性的界面态形变及其测量 被引量:4
18
作者 邵志标 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期7-14,共8页
讨论了工艺过程中产生的界面态陷阱电荷Q(it)对高频MOS-CV特性线的形变规律,提出了一种沿电压方向形变的数据处理方法,以此算出Q(it)密度在禁带中的分布,并对常规高频CV法的测量误差作了讨论和修正,由于数据的采... 讨论了工艺过程中产生的界面态陷阱电荷Q(it)对高频MOS-CV特性线的形变规律,提出了一种沿电压方向形变的数据处理方法,以此算出Q(it)密度在禁带中的分布,并对常规高频CV法的测量误差作了讨论和修正,由于数据的采集和处理可以由微机完成,使这种方法变得简便、准确并易于在工艺线上推广使用。 展开更多
关键词 高频 界面态 形变 测量 MOS-CV法
下载PDF
Fluorescein有机薄膜在Ag(110)面上的生长研究 被引量:2
19
作者 胡云玩 钱惠琴 +6 位作者 陈桥 毛宏颖 宋飞 黄寒 李海洋 鲍世宁 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第4期470-474,共5页
利用紫外光电子能谱(UPS)对在Ag(110)表面上荧光素(fluorescein)的生长进行研究.研究表明,与fluorescein分子轨道有关的4个特征峰分别位于费米能级以下2.70,3.80,7.40和9.80eV处.角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)测量结果表明,fluorescein... 利用紫外光电子能谱(UPS)对在Ag(110)表面上荧光素(fluorescein)的生长进行研究.研究表明,与fluorescein分子轨道有关的4个特征峰分别位于费米能级以下2.70,3.80,7.40和9.80eV处.角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)测量结果表明,fluorescein分子的三苯环平面平行衬底平面,分子的C!O轨道轴向接近于[110]晶向. 展开更多
关键词 有机半导体材料 紫外光电子能谱 结构和电子结构
下载PDF
Ru(0001)表面上O-Ru伸缩振动的覆盖度依赖特性 被引量:2
20
作者 Jacobi,K 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期284-288,共5页
在Ru(0001)表面上,通过氧气以及二氧化氮气体的分解吸附,制备了具有不同氧覆盖度的氧覆盖层.高分辨电子能量损失谱的测量表明,ORu伸缩振动具有强烈的覆盖度依赖特性。
关键词 氧覆盖层 化学吸附 吸附 RU(0001) 伸缩振动
原文传递
上一页 1 2 4 下一页 到第
使用帮助 返回顶部