期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
CMOS应用电路设计要点(三)
1
作者 铃木八十二 佐佐木逸夫 +1 位作者 滝本一三 张乃昌 《世界核地质科学》 CAS 1985年第2期62-66,共5页
CMOS-RAM的特性和应用制做存贮器板需注意的问题前面讲了存贮器板的制造,然而这时还要注意: 同TTL逻辑电平的兼容 CMOS-RAM全部与TTL兼容输入,即由于设定高电平输入电压VIH低于2.2V,所以TTL逻辑能直接驱动CMOS-RAM。
关键词 CMOS 应用电路设计 逻辑 扇出 扁平电缆 存贮器 存储器 芯片选择 ROM TTL
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部