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氮化硅薄膜表面平整度特性分析
1
作者
陈俊芳
王卫乡
+3 位作者
刘颂豪
丁振峰
陶孟仙
任
兆
杏
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1996年第S1期44-47,共4页
本文分析了ＥＣＲＰＥＣＶＤ制备的Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面平整度特性，随着基片沉积温度的提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面平整度变好，该膜具有良好的透光性；
关键词
Si
3
N
4
薄膜
表面平整度
沉积温度
下载PDF
职称材料
题名
氮化硅薄膜表面平整度特性分析
1
作者
陈俊芳
王卫乡
刘颂豪
丁振峰
陶孟仙
任
兆
杏
机构
华南师范大学量子电子研究所
出处
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1996年第S1期44-47,共4页
文摘
本文分析了ＥＣＲＰＥＣＶＤ制备的Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面平整度特性，随着基片沉积温度的提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面平整度变好，该膜具有良好的透光性；
关键词
Si
3
N
4
薄膜
表面平整度
沉积温度
Keywords
Si 3N 4 thin film
surface planeness
deposition temperature
分类号
O434.14 [机械工程—光学工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮化硅薄膜表面平整度特性分析
陈俊芳
王卫乡
刘颂豪
丁振峰
陶孟仙
任
兆
杏
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1996
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职称材料
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