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一种高线性SiGe HBT宽带低噪声放大器
被引量：
3
1
作者
亢
树
军
马云霞
+1 位作者
刘伦才
张正璠
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期565-568,共4页
简要介绍了一种用于接收机前端的宽带低噪声放大器(LNA)。该微波单片集成电路(MMIC)蔡用0.35μm SiGe工艺实现,且不需要外部阻抗匹配元件,并利用两级级联拓扑结构实现频带内的低噪声和高线性度。电路版图设计后的仿真结果表明,该放大器...
简要介绍了一种用于接收机前端的宽带低噪声放大器(LNA)。该微波单片集成电路(MMIC)蔡用0.35μm SiGe工艺实现,且不需要外部阻抗匹配元件,并利用两级级联拓扑结构实现频带内的低噪声和高线性度。电路版图设计后的仿真结果表明,该放大器工作带宽3.78 GHz,功率增益达到27.5 dB,噪声系数(NF)≤2.26 dB,在1.5 GHz信号频率下,输出功率1 dB压缩点(P1dB)为10 dBm。
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关键词
异质结双极晶体管
低噪声放大器
射频集成电路
微波单片集成电路
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职称材料
题名
一种高线性SiGe HBT宽带低噪声放大器
被引量：
3
1
作者
亢
树
军
马云霞
刘伦才
张正璠
机构
重庆大学光电工程学院
模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期565-568,共4页
文摘
简要介绍了一种用于接收机前端的宽带低噪声放大器(LNA)。该微波单片集成电路(MMIC)蔡用0.35μm SiGe工艺实现,且不需要外部阻抗匹配元件,并利用两级级联拓扑结构实现频带内的低噪声和高线性度。电路版图设计后的仿真结果表明,该放大器工作带宽3.78 GHz,功率增益达到27.5 dB,噪声系数(NF)≤2.26 dB,在1.5 GHz信号频率下,输出功率1 dB压缩点(P1dB)为10 dBm。
关键词
异质结双极晶体管
低噪声放大器
射频集成电路
微波单片集成电路
Keywords
Heterojunction bipolar transistor （HBT）
Low-noise amplifier （LNA）
RF IC
MMIC
分类号
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
TN431
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种高线性SiGe HBT宽带低噪声放大器
亢
树
军
马云霞
刘伦才
张正璠
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
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职称材料
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参考文献
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