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InAs/GaSb超晶格长波红外探测器 被引量：2
1
作者 汪良衡 李云涛 +5 位作者 雷华伟 杨煜 丁颜颜 张舟 刘斌 周文洪 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第5期473-476,共4页
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器因其特殊的能带结构及其自身的材料和器件优势,在红外成像技术上具备极大的应用价值和前景,同时在大面阵长波红外探测器及甚长波红外探测器领域展现出优异的器件性能,并推动世界各国对这一低维半导体研... InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器因其特殊的能带结构及其自身的材料和器件优势,在红外成像技术上具备极大的应用价值和前景,同时在大面阵长波红外探测器及甚长波红外探测器领域展现出优异的器件性能,并推动世界各国对这一低维半导体研究的持续发展,成为第三代红外探测器技术的最佳选择,并在国防建设、医疗、电力、天文学、抗灾方面有着广泛的应用。本文着重介绍了Ⅱ类超晶格长波红外探测器器件的制备、焦平面的成像测试以及器件的相关性能。长波探测器器件在77 K条件下10%截止波长为14mm,峰值量子效率为35%,峰值响应2.6 A/W,峰值探测率接近1×1010cm Hz1/2W^(-1)。 展开更多
关键词 INAS/GASB Ⅱ类超晶格 长波红外
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InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面探测器 被引量：1
2
作者 李云涛 张舟 +7 位作者 丁颜颜 杨煜 雷华伟 汪良衡 谭必松 张传杰 刘斌 周文洪 《红外技术》 CSCD 北大核心 2019年第8期731-734,共4页
武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于InAs/GaSbⅡ类超晶格的长波红外探测器。在本文中,报道了像元规模为640×512,像元间距为15μm的长波红外焦平面探测器。在77 K时,器件的50%截止波长为10.5μm,峰值量子效率为38.6%,当F数为... 武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于InAs/GaSbⅡ类超晶格的长波红外探测器。在本文中,报道了像元规模为640×512,像元间距为15μm的长波红外焦平面探测器。在77 K时,器件的50%截止波长为10.5μm,峰值量子效率为38.6%,当F数为2、积分时间为0.4 ms时,测得器件的噪声等效温差为26.2 mK,且有效像元率达99.71%。本文通过分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)技术与成熟的Ⅲ-Ⅴ族芯片技术,成功地验证了在大于10μm的长波波段,用超晶格代替HgCdTe实现国产化并大规模量产的可行性。 展开更多
关键词 INAS/GASB Ⅱ类超晶格 640×512 长波红外 焦平面探测器
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InAs/GaSb二类超晶格中长波双色红外焦平面器件研究
3
作者 张舟 汪良衡 +5 位作者 杨煜 李云涛 丁颜颜 雷华伟 刘斌 周文洪 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第9期863-867,共5页
采用分子束外延工艺方法生长的InAs/GaSb二类超晶格材料因其独特的能带断带结构,极大地降低了俄歇复合暗电流,且其较大的电子有效质量使得隧穿电流进一步降低,因此超晶格材料成为国内外红外领域研究关注的重点。本文介绍的超晶格中长波... 采用分子束外延工艺方法生长的InAs/GaSb二类超晶格材料因其独特的能带断带结构,极大地降低了俄歇复合暗电流,且其较大的电子有效质量使得隧穿电流进一步降低,因此超晶格材料成为国内外红外领域研究关注的重点。本文介绍的超晶格中长波双色探测器采用npn背靠背结构,阵列规模为320×256,像元中心距为30mm。其中测得80K温度下,-0.1V偏压工作时中波50%截止波长为4.5mm,0.17V偏压工作时长波50%截止波长为10.5mm,对应的峰值量子效率为45%、33%,相应的暗电流密度为5.94×10^(-7)A/cm^2@-0.1V、1.72×10^(-4)A/cm^2@0.17V,NETD为16.6mK、15.6mK。 展开更多
关键词 INAS/GASB 二类超晶格 中长波双色 焦平面阵列
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