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低温共烧陶瓷(LTCC)技术新进展 被引量：56
1
作者 杨邦朝 付贤民 胡永达 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1-5,共5页
介绍了低温共烧陶瓷(LTCC)技术的特点,并详细介绍了LTCC技术在零收缩基板及内埋置材料方面的最新技术,综述了LTCC技术在高密度封装以及微波无源元件领域中的应用。最后介绍了国内外LTCC器件的发展现状,并展望了LTCC技术的未来发展趋势。
关键词 电子技术 LTCC 综述 封装 微波无源元件
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宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望 被引量：66
2
作者 张波 邓小川 +1 位作者 张有润 李肇基 《中国电子科学研究院学报》 2009年第2期111-118,共8页
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功... 碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景。同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 碳化硅 功率器件
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地铁杂散电流分布的数学模型 被引量：39
3
作者 刘燕 王京梅 +1 位作者 赵丽 苑秋红 《工程数学学报》 CSCD 北大核心 2009年第4期571-576,共6页
地铁在给人们带来便利的同时,也带来了严重的杂散电流腐蚀危险。为了给当前的防腐工作提供有效的指导,本文对杂散电流分布的数学模型进行了深入研究。从杂散电流的产生机理着手,采用微元法建立了杂散电流分布的数学模型,分析了轨地过渡... 地铁在给人们带来便利的同时,也带来了严重的杂散电流腐蚀危险。为了给当前的防腐工作提供有效的指导,本文对杂散电流分布的数学模型进行了深入研究。从杂散电流的产生机理着手,采用微元法建立了杂散电流分布的数学模型,分析了轨地过渡电阻率及土壤电阻率对杂散电流分布的影响,得出走行轨电阻的增加、轨地过渡电阻率及土壤电阻率的减小是产生杂散电流的主要原因。 展开更多
关键词 杂散电流 分布 数学模型
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LTCC技术的现状和发展 被引量：37
4
作者 杨邦朝 胡永达 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期5-9,13,共6页
LTCC是实现电子设备小型化、集成化的主流技术,介绍了近年LTCC技术在元件、功能器件、封装基板和集成模块方面的应用,特别是在微波、毫米波和MEMS的应用实例。指出了我国在该领域的优势和弱点,并提出了未来的努力方向。
关键词 LTCC 元件 封装 综述 微波模块 展望
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聚苯胺钡铁氧体纳米复合材料的制备、表征及性能 被引量：29
5
作者 李元勋 刘颖力 +3 位作者 张怀武 凌味未 谢云松 XIAO John-Qiang 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期640-644,共5页
采用原位掺杂聚合法,将聚苯胺(PANI)对粒径在60～80nm的M型钡铁氧体颗粒(BaFe12O19)进行了包覆,得到了具有棒状结构的复合材料.通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等测试手段对... 采用原位掺杂聚合法,将聚苯胺(PANI)对粒径在60～80nm的M型钡铁氧体颗粒(BaFe12O19)进行了包覆,得到了具有棒状结构的复合材料.通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等测试手段对材料的形貌和结构进行了表征.结果表明,PANI链段与BaFe12O19颗粒之间存在作用力.使用振动磁强计和四探针法测定了复合材料的磁性能与电性能后发现,饱和磁化强度与矫顽力均随聚苯胺含量的增加呈规律性下降趋势,而电导率呈上升趋势.复合材料的吸收特性测试结果表明,该材料反射率小于-20dB时,带宽可以达到15.07GHz.同时详细地讨论了纳米复合材料的聚合机理及相互作用. 展开更多
关键词 聚苯胺 钡铁氧体 磁性材料
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功率半导体器件与功率集成技术的发展现状及展望 被引量：28
6
作者 孙伟锋 张波 +2 位作者 肖胜安 苏巍 成建兵 《中国科学：信息科学》 CSCD 2012年第12期1616-1630,共15页
功率半导体技术是半导体领域的重要研究内容之一,主要应用于现代电子系统的功率处理单元,是当今消费类电子、工业控制和国防装备等领域中的关键技术之一.本文概要介绍了功率半导体器件与集成技术的特点和应用范围,阐述了功率半导体器件... 功率半导体技术是半导体领域的重要研究内容之一,主要应用于现代电子系统的功率处理单元,是当今消费类电子、工业控制和国防装备等领域中的关键技术之一.本文概要介绍了功率半导体器件与集成技术的特点和应用范围,阐述了功率半导体器件与集成技术的发展现状和趋势,给出了未来技术发展路线图,最后梳理了未来技术发展的若干问题. 展开更多
关键词 功率半导体器件 功率集成技术 技术路线图
原文传递
Cu掺杂TiO2及其纳米管的制备、表征与光催化性能 被引量：26
7
作者 王泽高 郑树楠 +1 位作者 贾春阳 延卫 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第5期875-878,共4页
通过溶胶-凝胶法和水热法制备了Cu掺杂TiO2纳米粉末及其纳米管,并通过XRD、TEM、FE-SEM、EDS、UV-Vis/DRS等手段分析了样品的结构。发现以Cu掺杂TiO2纳米粉末为水热反应原料制备的纳米管中不含Cu,对其原因进行了分析讨论并通过Zn掺杂TiO... 通过溶胶-凝胶法和水热法制备了Cu掺杂TiO2纳米粉末及其纳米管,并通过XRD、TEM、FE-SEM、EDS、UV-Vis/DRS等手段分析了样品的结构。发现以Cu掺杂TiO2纳米粉末为水热反应原料制备的纳米管中不含Cu,对其原因进行了分析讨论并通过Zn掺杂TiO2纳米粉末证实:以金属掺杂TiO2纳米粉末为原料,通过水热法制备TiO2纳米管中不含有相应金属离子,这是由于金属离子在强碱水热条件下形成金属配离子,使金属离子溶解于水中而不能形成金属掺杂TiO2纳米管。对所得样品进行了光催化性能测试,发现:Cu掺杂TiO2粉末的光催化产氢效率为0.75μmol·(g·h)-1,高于由其本身及P25通过水热法制备的TiO2纳米管(分别为:0.42μmol·(g·h)-1,0.25μmol·(g·h)-1)的光催化产氢效率。 展开更多
关键词 二氧化钛 掺杂 纳米管 光催化
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一种FPGA的可编程逻辑单元的全覆盖测试方法 被引量：28
8
作者 廖永波 李平 阮爱武 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期857-861,共5页
提出并验证了一种新颖的FPGA中CLB的全覆盖定位测试方法,该方法通过建立基于SOC软硬件协同技术的FPGA自动测试系统,实现了CLB测试所需要的多次下载不同的配置图形,针对每个配置图形进行测试的需求;该方法通过建立规则布局CLB串行移位阵... 提出并验证了一种新颖的FPGA中CLB的全覆盖定位测试方法,该方法通过建立基于SOC软硬件协同技术的FPGA自动测试系统,实现了CLB测试所需要的多次下载不同的配置图形,针对每个配置图形进行测试的需求;该方法通过建立规则布局CLB串行移位阵列为基础形成的FPGA定位配置图形、以及FPGA自动定位算法,实现了对FPGA中所有CLB的全覆盖测试以及错误定位。利用本文提出的方法对Xilinx公司XC4010型号FPGA中所有CLB进行了测试,实验结果表明该方法可以实现FPGA中CLB的全覆盖测试以及错误定位。 展开更多
关键词 软硬件协同验证 FPGA CLB 定位 测试
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超级电容器电极材料的研究进展 被引量：17
9
作者 肖超 唐斌 +1 位作者 吴孟强 张树人 《绝缘材料》 CAS 2007年第1期44-47,共4页
简述了用不同电极材料的超级电容器的工作原理,并在此基础上,着重介绍了国内外在超级电容器电极材料上的研究进展。
关键词 超级电容器 电极材料 研究进展
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LLC谐振变换器的参数设计 被引量：26
10
作者 赵敏杰 戴瑶 张怀武 《磁性材料及器件》 CSCD 北大核心 2011年第2期53-57,72,共6页
对于LLC谐振变换器,谐振网络参数的设计对提高变换器的工作性能有着重要的影响。采用基波分析结合频率仿真的方法,在对LLC变换器的直流电压增益特性、零电压开通条件及谐振网络传输效率进行详细分析的基础上,总结推导出一种简单、高效的... 对于LLC谐振变换器,谐振网络参数的设计对提高变换器的工作性能有着重要的影响。采用基波分析结合频率仿真的方法,在对LLC变换器的直流电压增益特性、零电压开通条件及谐振网络传输效率进行详细分析的基础上,总结推导出一种简单、高效的LLC谐振变换器的参数设计方法,并给出其具体设计过程。最后,基于所提出的方法设计了具有90%变换效率的300kHz、60W的LLC谐振变换器,实验结果证实了所提出设计方法的可行性。 展开更多
关键词 LLC谐振变换器 参数设计 软开关
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金属薄膜电阻率与表面粗糙度、残余应力的关系 被引量：24
11
作者 唐武 邓龙江 +1 位作者 徐可为 Jian LU 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期617-620,共4页
针对磁控溅射Au金属薄膜,从实验角度研究了该薄膜电阻率与表面粗糙度、残余应力的关系,并对结果进行了分析。结果表明:薄膜电阻率随着表面粗糙度及残余应力的增加而增大。分析认为,晶体取向可能在金属薄膜力学性能和功能性之间有某种联... 针对磁控溅射Au金属薄膜,从实验角度研究了该薄膜电阻率与表面粗糙度、残余应力的关系,并对结果进行了分析。结果表明:薄膜电阻率随着表面粗糙度及残余应力的增加而增大。分析认为,晶体取向可能在金属薄膜力学性能和功能性之间有某种联系,并从应变能角度给予了解释。该结果为进一步探讨薄膜力学性能和功能特性的内在关系提供了研究基础。 展开更多
关键词 金属薄膜 电阻率 表面粗糙度 残余应力
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宽禁带功率半导体器件技术 被引量：22
12
作者 张波 邓小川 +1 位作者 陈万军 李肇基 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期618-623,共6页
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。... 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 氮化镓 功率器件 碳化硅 宽禁带半导体
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Al／Cr2O3复合粉体的制备及红外反射特性研究 被引量：21
13
作者 袁乐 翁小龙 +1 位作者 卢虎 邓龙江 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期545-550,共6页
采用液相沉淀法,制备了在片状铝粉表面包覆Cr2O3的复合粉体颜料,利用XRD、SEM、UV/VIS/NIR分光光度计、FTIR红外光谱仪等方法对颜料相结构、形貌、光谱及红外反射特性等进行了测试表征。结果表明,Cr2O3包覆层对光谱反射特性的影响随波... 采用液相沉淀法,制备了在片状铝粉表面包覆Cr2O3的复合粉体颜料,利用XRD、SEM、UV/VIS/NIR分光光度计、FTIR红外光谱仪等方法对颜料相结构、形貌、光谱及红外反射特性等进行了测试表征。结果表明,Cr2O3包覆层对光谱反射特性的影响随波长变化而异,波长越短,包覆前后反射率的变化越大。当Cr3＋：Al摩尔比为0.2：1.0时,Al/Cr2O3复合颜料在可见光波段的反射率下降接近50%,颜色明度参数L＊降低15,而8~14μm波段红外反射率下降不到10%。分析表明,包覆层对不同波长辐射的吸收系数以及表面粗糙度的差异导致了上述结果。该复合颜料对于低明度和光泽度的低红外发射率涂层设计有重要研究价值。 展开更多
关键词 片状铝粉 CR2O3 发射率 明度 包覆
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MnZn功率铁氧体的研究进展及发展趋势 被引量：15
14
作者 李乐中 兰中文 +2 位作者 余忠 孙科 姬海宁 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期93-96,共4页
介绍了宽温超低损耗、高频低损耗和高温高饱和磁感应强度(Bs)MnZn功率铁氧体材料的研究现状,以及添加剂的种类和制备方法的研究,世界上主要软磁铁氧体公司近几年的最新产品情况,指出了MnZn功率铁氧体的发展趋势。从目前的发展状况来看,... 介绍了宽温超低损耗、高频低损耗和高温高饱和磁感应强度(Bs)MnZn功率铁氧体材料的研究现状,以及添加剂的种类和制备方法的研究,世界上主要软磁铁氧体公司近几年的最新产品情况,指出了MnZn功率铁氧体的发展趋势。从目前的发展状况来看,应用在中低频的功率MnZn铁氧体材料不但要求在较宽的温度范围内具有较低的损耗,同时要求具有高的起始磁导率和饱和磁感应强度。而对于高频功率MnZn铁氧体材料则继续向高频低损耗发展。 展开更多
关键词 MNZN功率铁氧体 添加剂 制备 趋势
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电流模式变换器的完整小信号模型及环路补偿 被引量：17
15
作者 吴国营 张波 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2008年第10期83-87,共5页
基于连续电感电流条件下的峰值电流模式PWM控制降压变换器的功率级和控制级的小信号模型,得到了它在1/2开关频率以内的包括电流内环和电压外环的完整小信号模型。利用此模型从理论上分析了电流模式的优点,从电流内环环路增益的角度解释... 基于连续电感电流条件下的峰值电流模式PWM控制降压变换器的功率级和控制级的小信号模型,得到了它在1/2开关频率以内的包括电流内环和电压外环的完整小信号模型。利用此模型从理论上分析了电流模式的优点,从电流内环环路增益的角度解释了斜坡补偿的必要性。通过推导电压外环环路增益表达式,提出了一种有意义的电压环路补偿方法,并给出它的验证结果。 展开更多
关键词 电流模式控制 小信号模型 斜坡补偿 环路增益 环路补偿
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磁致伸缩位移传感器的研究进展 被引量：17
16
作者 李春楠 卢云 +1 位作者 兰中文 杨邦朝 《实验科学与技术》 2008年第1期10-12,共3页
介绍了磁致伸缩位移传感器的研究现状、磁致伸缩位移传感器与其他传感器相比的自身优势、磁致伸缩位移传感器的应用及其MTS公司的最新产品TemposonicsⅢ和L系列,阐述了磁致伸缩位移传感器的基本原理,指出了磁致伸缩位移传感器在材料和... 介绍了磁致伸缩位移传感器的研究现状、磁致伸缩位移传感器与其他传感器相比的自身优势、磁致伸缩位移传感器的应用及其MTS公司的最新产品TemposonicsⅢ和L系列,阐述了磁致伸缩位移传感器的基本原理,指出了磁致伸缩位移传感器在材料和电路两方面的发展方向。分析了传统的磁致伸缩位移传感器存在的问题及改进方法,预测了磁致伸缩位移传感器将采用一系列的新技术使该类传感器成本大幅下降,性能显著提高,应用范围更加广泛。 展开更多
关键词 磁致伸缩 位移传感器 波导丝 脉冲 发展方向
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反熔丝的研究与应用 被引量：20
17
作者 王刚 李平 +3 位作者 李威 张国俊 谢小东 姜晶 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期30-33,共4页
综述了ONO(氧化物-氮化物-氧化物)反熔丝、非晶硅(a-Si)反熔丝和栅氧化层反熔丝的制作工艺、性能参数及其优缺点,介绍了反熔丝器件包括反熔丝可编程只读存储器(PROM)和反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在器件应用、存储容量、可用门数、工... 综述了ONO(氧化物-氮化物-氧化物)反熔丝、非晶硅(a-Si)反熔丝和栅氧化层反熔丝的制作工艺、性能参数及其优缺点,介绍了反熔丝器件包括反熔丝可编程只读存储器(PROM)和反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在器件应用、存储容量、可用门数、工作电压和抗辐射性能等方面的研究进展,指出了反熔丝以及反熔丝器件的4个主要发展趋势,即工艺兼容、高密度、有机/柔性和新材料。 展开更多
关键词 反熔丝 氧化物-氮化物-氧化物 非晶硅 栅氧化层 反熔丝PROM 反熔丝FPGA
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掺杂氧化铬颜料的红外反射特性研究 被引量：18
18
作者 张捷 魏子栋 +2 位作者 王春辉 卞鹏 翁小龙 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1303-1306,共4页
采用固相合成工艺,制备了铁掺杂、钛掺杂及铝/钛二元掺杂三类Cr_2O_3颜料,利用XRD、紫外/可见/近红外分光光度计、Color CIE色度分析软件等方法对颜料物相结构、可见/近红外反射率、颜色参数等进行了测试和表征,初步探讨了Cr_2O_3颜料... 采用固相合成工艺,制备了铁掺杂、钛掺杂及铝/钛二元掺杂三类Cr_2O_3颜料,利用XRD、紫外/可见/近红外分光光度计、Color CIE色度分析软件等方法对颜料物相结构、可见/近红外反射率、颜色参数等进行了测试和表征,初步探讨了Cr_2O_3颜料结构与近红外反射率、颜色之间的相互关联.结果表明,所有样品均呈单相刚玉结构,但结晶强度和晶粒大小随掺杂元素有所差异;相比未掺杂Cr_2O_3颜料,掺铁样品的近红外反射率出现下降,而掺钛Cr_2O_3颜料的反射率则明显提高,其中铝/钛二元掺杂样品在Al(OH)_3含量3.4wt%、TiO_2含量1.07wt%时,实现700～2500nm波段平均反射率87%,2500nm处最大反射率99%.掺钛Cr_2O_3材料近红外波段反射率的显著增加,主要归因于掺钛Cr_2O_3晶粒尺寸的增大以及Cr^(3+)局域电子环境的改变. 展开更多
关键词 CR2O3 颜料 掺杂 近红外反射率
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YBCO超导带材研究进展 被引量：18
19
作者 陶伯万 熊杰 +1 位作者 刘兴钊 李言荣 《中国材料进展》 CAS CSCD 2009年第4期16-22,共7页
简要回顾了高温超导带材的发展历史,然后系统地总结了YBCO超导带材的构成、基带、过渡层和超导层的制备方法,并介绍了当前国内外的研究水平和新近取得的进展,尤其是国内最近的重要进展。在此基础之上,对YBCO超导带材的应用和市场前景进... 简要回顾了高温超导带材的发展历史,然后系统地总结了YBCO超导带材的构成、基带、过渡层和超导层的制备方法,并介绍了当前国内外的研究水平和新近取得的进展,尤其是国内最近的重要进展。在此基础之上,对YBCO超导带材的应用和市场前景进行了展望。 展开更多
关键词 高温超导 涂层导体 YBCO 薄膜生长
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非金属元素掺杂TiO_2的可见光催化活性研究进展 被引量：15
20
作者 顾德恩 杨邦朝 胡永达 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期1-5,共5页
TiO2(锐钛矿)的禁带宽度限制了其光诱导特性的广泛应用,非金属元素掺杂为TiO2在可见光辐射环境下的应用提供了新的机会。详细介绍了非金属元素(N、C、S、F)掺杂TiO2的制备方法和可见光催化活性研究的最新进展,讨论了制备工艺与掺杂TiO2... TiO2(锐钛矿)的禁带宽度限制了其光诱导特性的广泛应用,非金属元素掺杂为TiO2在可见光辐射环境下的应用提供了新的机会。详细介绍了非金属元素(N、C、S、F)掺杂TiO2的制备方法和可见光催化活性研究的最新进展,讨论了制备工艺与掺杂TiO2可见光催化活性的关系,深入分析了非金属元素对TiO2可见光催化活性的诱导机理。制备工艺显著影响了掺杂元素的化学态和含量,从而决定了掺杂TiO2带隙中局域态的特征。带隙中局域态特征正是影响掺杂TiO2可见光催化活性的关键因素。文章也对未来的研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 二氧化钛 非金属元素 掺杂 可见光 光催化活性
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