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硅基微环调制器耦合状态对高速PAM4通信系统的性能影响分析
1
作者 秦军 谭峻雄 +5 位作者 孙瑜 吕俊德 朱可佳 李月琴 孙剑 缪旻 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第20期129-142,共14页
基于VPI Transmission Maker和Matlab搭建硅基微环调制器(Si-MRM)系统级模型,全面定量分析了Si-MRM在不同耦合状态以及耦合量下产生高速四电平脉冲幅度调制(PAM4)信号时的性能差异。仿真结果表明,当器件带宽足够支撑调制速率时,相较于... 基于VPI Transmission Maker和Matlab搭建硅基微环调制器(Si-MRM)系统级模型,全面定量分析了Si-MRM在不同耦合状态以及耦合量下产生高速四电平脉冲幅度调制(PAM4)信号时的性能差异。仿真结果表明,当器件带宽足够支撑调制速率时,相较于其他耦合状态,临界耦合状态可以获得更优的系统性能,此时在光场在腔内环绕一周的透过率a与自耦合系数t取值为0.71~0.83时可以获得最佳系统性能,并且当a(t)值从0.59逐渐变化到0.91时产生的信号的最大功率代价为4.2 dB。对于过耦合状态以及弱耦合状态,t值变化或者a值变化时均会导致系统性能劣化至接近临界耦合状态,只有t值相较于临界耦合取值有微小的变化(0.71~0.79)或者a值相较于临界耦合取值有微小的变化(0.71~0.79)时,才可以取得与临界耦合[a(t)值均为0.75]接近的系统性能;当器件带宽不足以支撑调制速率时,对于临界耦合状态,a(t)值增加到0.91时,器件带宽有效增大,系统性能得到显著提升。此时,对于过耦合状态,只有增大a值到0.83~0.91才可获得软判决门限阈值以下的误码率性能,并且此时系统性能优于临界耦合。但对于弱耦合状态,均不存在性能优于临界耦合的情况。本文工作对于定量评估Si-MRM因为加工、测试、网络部署等导致的耦合状态抖动进而产生的高速调制信号性能变化,以及基于MRM实现下一代800 Gbit/s和1.6 Tbit/s片级高速光互联具有指导意义。 展开更多
关键词 硅基光电子 硅基微环调制器 耦合状态 脉冲幅度调制
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由OLED和PDUBAT构成的光学双稳态 被引量：3
2
作者 郭维廉 张世林 +5 位作者 郑云光 李树荣 候晶莹 高强 李丰 刘式墉 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期18-20,47,共4页
对以Al/Alq3/TPD/ITO/玻璃有机 /聚合物发光二极管 (OLED)为负载器件 ,以光电双基区晶体管 (PDUBAT)型硅光电负阻器件为驱动器件而构成的光学双稳态反相器进行了实验研究。测量了输出光强 -输入光强光学双稳态特性曲线 ,并对实验结果进... 对以Al/Alq3/TPD/ITO/玻璃有机 /聚合物发光二极管 (OLED)为负载器件 ,以光电双基区晶体管 (PDUBAT)型硅光电负阻器件为驱动器件而构成的光学双稳态反相器进行了实验研究。测量了输出光强 -输入光强光学双稳态特性曲线 ,并对实验结果进行了分析讨论。 展开更多
关键词 有机/聚合物发光器件 硅光电负阻器件 光学双稳态 OLED PDUBAT
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超表面硅光偏振分束器制备及测试 被引量：1
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作者 朱仕杰 王路 +7 位作者 石昊 赵俊 吴衍青 张磊 李镇江 龙家丽 杨树敏 邰仁忠 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第19期289-295,共7页
根据梯度指数物理模型设计的超表面硅光偏振分束器方案,在绝缘体上硅(SOI)平台上利用电子束光刻(EBL)和电感耦合等离子体刻蚀(ICP)等微纳加工手段完成了器件的制备。该方案针对该超表面器件的制造要求优化了制备工艺,所制备的器件超表... 根据梯度指数物理模型设计的超表面硅光偏振分束器方案,在绝缘体上硅(SOI)平台上利用电子束光刻(EBL)和电感耦合等离子体刻蚀(ICP)等微纳加工手段完成了器件的制备。该方案针对该超表面器件的制造要求优化了制备工艺,所制备的器件超表面结构特征尺寸误差小于5 nm,刻蚀深度误差小于10 nm;最后利用搭建的硅光探针台进行实际测试,结果表明在覆盖C波段的1510~1590 nm波段范围内,TE模式的插入损耗小于3.9 dB,TM模式的插入损耗小于3.8 dB,消光比大于20 dB。 展开更多
关键词 硅基光电子 超表面 偏振分束器 电子束光刻 电感耦合等离子体刻蚀 在片测试
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硅基IV族光电器件研究进展(二)——光电探测器 被引量：3
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作者 李冲 张东亮 +3 位作者 薛春来 李传波 成步文 王启明 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2014年第11期10-17,共8页
基于Ge、GeSn等IV族材料的硅基探测器与Si CMOS工艺兼容性好,成本低廉,并且易于与硅基波导器件集成,因而具有非常重要的应用价值。介绍了中国科学院半导体研究所在相关硅基IV族合金材料外延制备及相关器件方面的研究,重点介绍在硅基Ge... 基于Ge、GeSn等IV族材料的硅基探测器与Si CMOS工艺兼容性好,成本低廉,并且易于与硅基波导器件集成,因而具有非常重要的应用价值。介绍了中国科学院半导体研究所在相关硅基IV族合金材料外延制备及相关器件方面的研究,重点介绍在硅基Ge面入射探测器、波导型探测器、吸收电荷倍增分离型(SACM)结构雪崩光电探测器以及GeSn光电探测器方面的一些研究进展。 展开更多
关键词 探测器 硅基光电子 光电探测器 近红外探测 硅基光互连 光学器件
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硅基光电子芯片集成的胶体量子点有源器件(特邀)
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作者 瞿俊伶 刘鹏 +1 位作者 甘雪涛 赵建林 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第15期158-180,共23页
胶体量子点(CQD)半导体材料具有吸收/发射谱段连续可调、荧光光谱窄(<30 nm)、量子产率高(约100%)、载流子输运灵活可控等优异的光电特性,以及大面积、低成本、无衬底限制等液相加工集成工艺优势,有望为硅基光电子芯片上有源器件的... 胶体量子点(CQD)半导体材料具有吸收/发射谱段连续可调、荧光光谱窄(<30 nm)、量子产率高(约100%)、载流子输运灵活可控等优异的光电特性,以及大面积、低成本、无衬底限制等液相加工集成工艺优势,有望为硅基光电子芯片上有源器件的集成提供新的解决方案。从CQD的合成、光电特性、硅基片上集成工艺等角度展开讨论,并总结评述片上集成CQD有源器件的研究进展。最后,从硅基片上探测器、片上光源等角度,对基于CQD发展硅基光电子芯片上有源器件给出分析和展望。 展开更多
关键词 胶体量子点 硅基光电子芯片 有源器件 探测器 光源
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