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水中脉冲放电的电特性与声辐射特性研究 被引量：21
1
作者 卢新培 潘垣 张寒虹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期1549-1553,共5页
对水中脉冲放电等离子体通道电阻与放电参数之间的关系作了研究 ,得到了等离子体通道电阻与电容量、初始电压、电极间距离的关系 ,以及通道电阻随时间的变化规律 .还对冲击波的峰值压力与放电参数间的关系作了研究 ,并对冲击波压力的功... 对水中脉冲放电等离子体通道电阻与放电参数之间的关系作了研究 ,得到了等离子体通道电阻与电容量、初始电压、电极间距离的关系 ,以及通道电阻随时间的变化规律 .还对冲击波的峰值压力与放电参数间的关系作了研究 ,并对冲击波压力的功率谱作了分析 ,结果表明水中脉冲放电所产生的冲击波的声辐射频率在几十赫兹到几万赫兹之间 ,覆盖了所有水声设备的工作频率 ,且在低频段具有很强的声功率 ,是一种理想的水下声源 . 展开更多
关键词 电特性 声辐射 水中脉冲放电 等离子体 通道电阻 放电参数
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多通道沿面放电电学特性研究 被引量：3
2
作者 易爱平 刘晶儒 +3 位作者 于力 张亚洲 马莲英 张永生 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期10-13,共4页
介绍了一种多通道沿面放电光泵浦源,以聚四氟乙烯做绝缘基板,面积约10cm×10cm,其上均匀布置10对放电电极及对应的放电通道。在理论分析了泵浦源的触发特性后利用幅值25～40kV、上升时间约10ns的触发信号获得了多通道放电抖动<1... 介绍了一种多通道沿面放电光泵浦源,以聚四氟乙烯做绝缘基板,面积约10cm×10cm,其上均匀布置10对放电电极及对应的放电通道。在理论分析了泵浦源的触发特性后利用幅值25～40kV、上升时间约10ns的触发信号获得了多通道放电抖动<10ns的10通道均匀放电,实验研究了该泵浦源在多通道沿面放电下放电通道的电阻、电感及能量沉积效率等参数随储能、气体介质压强及放电通道数等实验条件的变化规律。当氮氩混合气体总气压0.1MPa(氮氩比例为3:7)、泵浦源储能电容0.5μF、充电电压20kV时,通道能量沉积效率约94%。实验结果表明:装置储能越小、介质气压越高、放电通道数越多,放电通道的电阻就越大、能量沉积效率越高。 展开更多
关键词 光泵浦源 多通道沿面放电 XEF(C-A)激光 触发 通道电阻 能量沉积效率
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空气间隙击穿后电弧通道的特性分析 被引量：2
3
作者 刘晓鹏 赵贤根 +2 位作者 马御棠 杜亚平 何俊佳 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第13期5302-5310,共9页
空气间隙击穿是输电线路故障的一种常见原因,间隙击穿后电弧通道的发展决定着间隙的绝缘恢复过程。该文搭建包含电学、光学、热学测量的放电试验综合观测平台,对30~50cm空气间隙击穿后电弧通道的演化过程进行研究。光学图像表明,放电通... 空气间隙击穿是输电线路故障的一种常见原因,间隙击穿后电弧通道的发展决定着间隙的绝缘恢复过程。该文搭建包含电学、光学、热学测量的放电试验综合观测平台,对30~50cm空气间隙击穿后电弧通道的演化过程进行研究。光学图像表明,放电通道的发展路径呈现弯弯曲曲的形态,通道的二维长度与间隙距离的比值范围为1.1~1.6,平均值为1.3;基于电压电流波形,计算得到空气间隙击穿后电弧通道的单位长度电阻在Ω/cm量级。根据纹影图像定义了通道的恢复程度,发现通道的恢复时间与放电通道单位长度注入能量正相关。综合该文试验结果,推测空气电弧通道结构为“核–鞘”结构,指出制约弧后恢复的主要是热学恢复过程。相关试验结果可以为间隙击穿后放电通道的恢复过程研究提供一定的借鉴。 展开更多
关键词 电弧通道 放电路径 通道电阻 恢复时间 纹影技术 空气间隙
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宇高HIC产品关键电参数一致性分析
4
作者 李建和 熊锦康 +1 位作者 夏俊生 朱震星 《集成电路通讯》 2016年第4期37-41,共5页
宇高产品是宇航级系统高可靠性的保障。关键电参数的一致性又是研究宇高厚膜混合集成电路（HIC）的核心内容。针对一种典型产品，分析了宇高HIC关键电参数一致性指标的影响因素，通过采取元器件选型、评价和筛选、加强工艺控制等措施后... 宇高产品是宇航级系统高可靠性的保障。关键电参数的一致性又是研究宇高厚膜混合集成电路（HIC）的核心内容。针对一种典型产品，分析了宇高HIC关键电参数一致性指标的影响因素，通过采取元器件选型、评价和筛选、加强工艺控制等措施后，各项一致性指标均达到了标准的要求。 展开更多
关键词 宇高 参数一致性 分流通道压降 通道电阻 有效措施
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高电压脉冲放电破岩系统建模分析 被引量：2
5
作者 徐尤来 刘毅 +2 位作者 黄仕杰 李化 林福昌 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期298-304,共7页
等离子体通道是高电压脉冲放电破岩的“工具”,通道形成及膨胀使岩石破碎过程伴随着通道阻抗的急剧变化。为更好地分析高电压脉冲放电破岩系统的能量利用效率,结合破岩空腔的脱模分析获得了通道的穿透深度及实际长度,基于能量平衡方程... 等离子体通道是高电压脉冲放电破岩的“工具”,通道形成及膨胀使岩石破碎过程伴随着通道阻抗的急剧变化。为更好地分析高电压脉冲放电破岩系统的能量利用效率,结合破岩空腔的脱模分析获得了通道的穿透深度及实际长度,基于能量平衡方程建立了等离子体通道阻抗模型,建立了高电压脉冲放电破岩系统的电路分析模型,仿真计算与试验结果对比表明该模型能够准确分析高电压脉冲放电破岩系统的输出特性,为系统优化提供理论指导。 展开更多
关键词 高电压脉冲放电破岩 通道电阻模型 空腔脱模 分布参数 电路仿真
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GaN HEMT源漏通道区电阻的自热和准饱和效应模型
6
作者 姚若河 姚永康 耿魁伟 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1-8,共8页
GaN HEMT在栅极与源极和漏极之间存在一段通道区域,在等效电路模型中通常等效为一电阻,称为源漏通道区电阻R_(D,S)。准确构建GaN HEMT R_(D,S)模型,对于分析GaN HEMT直流和射频特性,构建GaN HEMT大信号模型具有十分重要的意义。本研究... GaN HEMT在栅极与源极和漏极之间存在一段通道区域,在等效电路模型中通常等效为一电阻,称为源漏通道区电阻R_(D,S)。准确构建GaN HEMT R_(D,S)模型,对于分析GaN HEMT直流和射频特性,构建GaN HEMT大信号模型具有十分重要的意义。本研究给出考虑自热和准饱和效应的R_(D,S)模型。首先由源漏通道区温度T_(CH)与耗散功率P_(diss)的关系,推导出非线性自热效应模型。进一步基于准饱和效应和Trofimenkoff模型,给出源漏通道区电子漂移速度与电场强度的关系表达式,构建非线性R_(D,S)模型。在环境温度Tamb=300~500 K时,源漏通道区二维电子气2DEG面密度n_(S,acc)(T_(CH))和迁移率μ_(acc)(T_(CH))随T_(CH)的升高而下降,这导致低偏置条件下的源漏通道区电阻R_(D0,S0)随T_(CH)呈非线性增长。将本研究和文献报道的R_(D,S)模型与TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真数据进行对比,结果显示:本研究与文献报道的漏通道区电阻RD模型的平均相对误差分别为0.32%和1.78%,均方根误差(RMSE)分别为0.039和0.20Ω;RS模型的平均相对误差分别为0.76%和1.73%,RMSE分别为0.023和0.047Ω。与文献报道的实验数据进行对比,结果显示:本研究与文献RD模型的平均相对误差分别为0.91%和1.59%,RMSE分别为0.012和0.015Ω;RS平均相对误差分别为1.22%和2.77%,RMSE分别为0.0015和0.0034Ω。本研究提出的R_(D,S)模型具有更低的平均相对误差和均方根误差,能够更加准确地表征GaN HEMT线性工作区R_(D,S)随漏源电流I_(DS)的变化。可将本模型用于器件的设计优化,也可作为Spice模型用于电路仿真。 展开更多
关键词 源漏通道区电阻 GaN HEMTs 自热效应 准饱和效应
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多通道氧化锌电阻片老化试验系统 被引量：2
7
作者 姚学玲 陈景亮 +1 位作者 韩辉 宋爱民 《电工技术杂志》 2004年第1期73-76,共4页
采用数字I/O接口、采集卡和计算机组成多通道氧化锌电阻片(metal oxygenvaristor,MOV)老化试验测试系统。该系统具有方便操作的人机界面,可设定电阻片的编号、数据采样的间隔,通过可视化的VB编程软件,实现全电流、阻性电流、容性电流和... 采用数字I/O接口、采集卡和计算机组成多通道氧化锌电阻片(metal oxygenvaristor,MOV)老化试验测试系统。该系统具有方便操作的人机界面,可设定电阻片的编号、数据采样的间隔,通过可视化的VB编程软件,实现全电流、阻性电流、容性电流和功耗的计算,并在线显示测试数据、全电流和阻性电流波形及功耗的动态曲线。 展开更多
关键词 多通道氧化锌电阻片 老化 试验系统 人机界面 氧化锌避雷器
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提高架空送电线路耐雷水平的实践 被引量：1
8
作者 郑建平 吴毅江 《广东电力》 1999年第4期56-57,61,共3页
首先分析了钳式接地电阻表的测量原理， 并通过介绍１ 条新建１１０ ｋＶ 线路和３ 条２２０ ｋＶ 线路的实践情况， 说明了降低杆塔接地通道接触电阻是提高架空送电线路的一种有效措施。
关键词 耐雷水平 通道接触电阻 架空送电线路 避雷线
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多通道热敏电阻温度-电压变换器
9
作者 王密 《科技开发动态》 1994年第3期57-57,共1页
关键词 多通道热敏电阻 温度变换器 电压变换器 设计 基准源
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