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真空中固体绝缘沿面闪络现象的研究进展 被引量：57
1
作者 张冠军 赵文彬 +3 位作者 郑楠 于开坤 马新沛 严璋 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期30-35,共6页
针对长期以来高电场下复合绝缘系统的耐电性能受绝缘材料的沿面闪络现象所限制,严重制约了很多电气电子系统的整体性能的现状,迫切需要深入研究真空中绝缘子沿面闪络现象,为此,综述了国内外相关研究现状和进展,认为此现象是一种发生在... 针对长期以来高电场下复合绝缘系统的耐电性能受绝缘材料的沿面闪络现象所限制,严重制约了很多电气电子系统的整体性能的现状,迫切需要深入研究真空中绝缘子沿面闪络现象,为此,综述了国内外相关研究现状和进展,认为此现象是一种发生在高电场下的复杂界面(电极与材料的交界面)和表面(材料的表面)的物理现象。闪络过程在本质上反映出高电场下的电荷行为,由体内(材料的表层内)和体外(材料的表面及表面以上)2过程支配。需综合考虑绝缘材料的介电常数、电阻率、二次电子发射特性、表面陷阱分布等影响因素,进而提出表征和改善真空中沿面闪络特性的综合评价体系,最终达到认识新的物理现象并将之有效调控的目的。 展开更多
关键词 真空 固体绝缘材料 沿面闪络 电极接触 电荷注入 电输运
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纳米硅薄膜的低温电输运机制 被引量：9
2
作者 徐刚毅 王天民 +2 位作者 何宇亮 马智训 郑国珍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第9期1798-1803,共6页
在很宽的温度范围 (5 0 0— 2 0K)研究了本征和不同掺磷浓度的纳米硅薄膜的电输运现象 .发现原先的异质结量子点隧穿 (HQD)模型能很好地解释薄膜在高温下 (5 0 0— 2 0 0K)的电导曲线 ,但明显偏离低温下的实验值 .低温电导 (10 0— 2 0K... 在很宽的温度范围 (5 0 0— 2 0K)研究了本征和不同掺磷浓度的纳米硅薄膜的电输运现象 .发现原先的异质结量子点隧穿 (HQD)模型能很好地解释薄膜在高温下 (5 0 0— 2 0 0K)的电导曲线 ,但明显偏离低温下的实验值 .低温电导 (10 0— 2 0K)具有单一的激活能W ,并与kBT值大小相当 (W～ 1— 3kBT) ,呈现出Hopping电导的特征 .对HQD模型做了修正 ,认为纳米硅同时存在两种输运机制 :热激发辅助的电子隧穿和费米能级附近定域态之间的Hopping电导 .高温时 (T >2 0 0K)以电子隧穿为主 ,低温时 (T <10 0K)则以Hopping电导为主 .在此基础上给出了纳米硅完整的电导解析表达式 ,该表达式能很好地解释在 5 0 0— 2 0K的温度范围 ,本征和不同掺磷浓度纳米硅薄膜的电导率 . 展开更多
关键词 纲米硅薄膜 低温电导 电输运
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基于裂结技术的单分子尺度化学反应研究进展 被引量：7
3
作者 余培锴 冯安妮 +4 位作者 赵世强 魏珺颖 杨扬 师佳 洪文晶 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第8期829-839,共11页
分子电子学是研究单分子器件的构筑、性质以及功能调控的一门新兴学科。其中,金属/分子/金属结的构筑和表征是现阶段分子电子学的主要研究内容。裂结技术是当前分子电子学研究的主要实验方法,主要包括机械可控裂结技术和扫描隧道显微镜... 分子电子学是研究单分子器件的构筑、性质以及功能调控的一门新兴学科。其中,金属/分子/金属结的构筑和表征是现阶段分子电子学的主要研究内容。裂结技术是当前分子电子学研究的主要实验方法,主要包括机械可控裂结技术和扫描隧道显微镜裂结技术。本文对裂结技术进行了介绍,并对近年来利用这些技术,在单分子尺度化学反应的检测和动力学研究,以及将这些技术与溶液环境、静电场、电化学门控等方法相结合,调控单分子器件的电输运性质等方面所取得的进展进行了概述。 展开更多
关键词 分子电子学 单分子 电输运 机械可控裂结 扫描隧道显微镜裂结
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低温下二硫化钼电子迁移率研究 被引量：7
4
作者 董海明 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第20期365-370,共6页
二硫化钼(MoS2)是已知的二维半导体材料中光电性能最优秀的材料之一.单原子层厚的MoS2是禁带宽度为1.8 eV的二维直接带隙半导体材料,可以用来发展新型的纳米电子器件和光电功能器件.本论文利用玻尔兹曼平衡方程输运理论研究低温时MoS2... 二硫化钼(MoS2)是已知的二维半导体材料中光电性能最优秀的材料之一.单原子层厚的MoS2是禁带宽度为1.8 eV的二维直接带隙半导体材料,可以用来发展新型的纳米电子器件和光电功能器件.本论文利用玻尔兹曼平衡方程输运理论研究低温时MoS2系统的电输运性质,计算得到了MoS2电子迁移率的解析表达式.研究发现,低温时MoS2的迁移率与衬底材料的介电常数的平方成正比;与系统的电子浓度对带电杂质的浓度的比率ne/ni成线性关系.因此,选用介电常数高的衬底材料,适当提高MoS2系统的载流子浓度,同时降低杂质的浓度,可以有效提高MoS2系统的迁移率.研究结果为探索以MoS2为基础的新型纳米光电器件的研究和实际应用提供了理论依据. 展开更多
关键词 二硫化钼 迁移率 电输运 平衡方程
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不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质 被引量：6
5
作者 宋超 陈谷然 +5 位作者 徐骏 王涛 孙红程 刘宇 李伟 陈坤基 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期7878-7883,共6页
采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试,对薄膜的电学输... 采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试,对薄膜的电学输运性质进行了分析.研究结果表明:退火温度为700℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,样品的晶化比增大,在1000℃时,薄膜的晶化比达到90%以上.在700℃退火时,薄膜中晶化成分较低,载流子的传输特性主要受到与硅悬挂键有关的缺陷态影响,表现为带尾定域态的跳跃电导.随着晶化度的提高,在1000℃时薄膜的电输运过程主要为晶化硅的扩展态电导,同时量子隧穿输运对薄膜的电输运过程也有一定的影响. 展开更多
关键词 氢化非晶硅 退火 纳米硅 电输运
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Al掺杂对YBaCo_4O_7氧吸附和电输运性能的影响 被引量：6
6
作者 和清霖 尚晓星 +1 位作者 宋红章 郝好山 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第16期16148-16152,共5页
用固态反应法制备了YBaCo4-xAlxO7（x=0.0,0.1,0.2）样品,研究了从室温-900 ℃范围内Al掺杂对氧吸附/脱附和样品电输运性能的影响.Al掺杂降低了样品在低温区（200-400 ℃）的氧吸附量,提高了样品在高温区（700-900 ℃）的相稳定性.此外... 用固态反应法制备了YBaCo4-xAlxO7（x=0.0,0.1,0.2）样品,研究了从室温-900 ℃范围内Al掺杂对氧吸附/脱附和样品电输运性能的影响.Al掺杂降低了样品在低温区（200-400 ℃）的氧吸附量,提高了样品在高温区（700-900 ℃）的相稳定性.此外,Al掺杂减小了样品的空穴浓度和迁移率,提高了样品的电阻率、塞贝克系数和电导活化能.氧吸附/脱附行为和YBaCo4-xAlxO7 样品的电输运性能密切相关.氧吸附增加了空穴浓度,使电阻率和塞贝克系数同时减小. 展开更多
关键词 YBaCo4O7 AL掺杂 氧吸附 电输运
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基于金刚石对顶砧的原位高压霍尔效应技术研究 被引量：6
7
作者 胡廷静 崔晓岩 +4 位作者 李雪飞 王婧姝 陈怡 张馨元 杨景海 《吉林师范大学学报（自然科学版）》 2015年第2期27-31,共5页
本文利用金刚石对顶砧和集成技术,建立了原位高压霍尔效应测量方法.通过对Zn Te的高压霍尔效应测量,发现在压力的作用下,电导率随压力增加而增加,但是,不同相的电导率随压力增加的机制却是不一样的,对于闪锌矿相的Zn Te,在常压到6.59 GP... 本文利用金刚石对顶砧和集成技术,建立了原位高压霍尔效应测量方法.通过对Zn Te的高压霍尔效应测量,发现在压力的作用下,电导率随压力增加而增加,但是,不同相的电导率随压力增加的机制却是不一样的,对于闪锌矿相的Zn Te,在常压到6.59 GPa范围内,由于载流子浓度和迁移率同时增加引起了电导率随压力增加而增加,但迁移率的增加对电导率增加的影响大于载流子浓度的增加对电导率增加的影响,而在6.59～9.73 GPa范围内,电导率随压力增加而增加的主要原因是载流子浓度随压力的增加所引起,而且朱砂相和Cmcm相的电导率的增加原因同样是由于载流子浓度的增加所引起. 展开更多
关键词 霍尔效应 高压 电输运
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钙钛矿型氧化物Ln_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3的制备与电输运性能 被引量：6
8
作者 朱志强 丁铁柱 +2 位作者 赵倩 张利文 王强 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期438-441,共4页
采用固相反应法合成钙钛矿氧化物材料Ln0.5Sr0.5CoO3(Ln=La,Pr,Nd,Sm,Eu)的超细粉体,研究了不同稀土元素掺杂时的晶体结构和电输运性能,分析了该钙钛矿体系结构的形成过程。实验表明,当烧结温度达到1200℃时,通过固相反应法可以形成稳... 采用固相反应法合成钙钛矿氧化物材料Ln0.5Sr0.5CoO3(Ln=La,Pr,Nd,Sm,Eu)的超细粉体,研究了不同稀土元素掺杂时的晶体结构和电输运性能,分析了该钙钛矿体系结构的形成过程。实验表明,当烧结温度达到1200℃时,通过固相反应法可以形成稳定的单一的钙钛矿相。样品电导率在700℃附近出现最大值,低温段的导电行为符合小极化子导电机制,La0.5Sr0.5CoO3材料的电导率在中温范围内最大,适合作为中温固体燃料电池的阴极材料。 展开更多
关键词 Ln0.5Sr0.5CoO3 钙钛矿型氧化物 电输运 平均晶粒度 稀土
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Heusler合金Co_2TiSn的磁性与输运性能 被引量：4
9
作者 张炜 千正男 +6 位作者 隋郁 刘玉强 苏文辉 张铭 柳祝红 刘国栋 吴光恒 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期4879-4883,共5页
通过对Heusler合金Co2TiSn磁性和输运性能的实验研究,发现低场中Co2TiSn呈现出亚铁磁性;电阻和霍尔电阻率在温度低于8K时均出现异常.同时分析了电输运的散射机制,并对反常霍尔效应产生的机制进行了探讨.
关键词 HEUSLER合金 磁性 输运性能 亚铁磁性 合金 反常霍尔效应 散射机制 同时分析 电阻率 电输运
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二维层状热电材料研究进展 被引量：4
10
作者 余泽浩 张力发 +1 位作者 吴靖 赵云山 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期319-339,共21页
当今世界能源浪费巨大,其中绝大多数以废热的形式被浪费掉.热电效应可以将热能转换为电能并且没有危险物质的释放,因此热电效应的应用吸引了越来越多人的兴趣.自从石墨烯被发现以来,越来越多的二维层状材料被报道,它们通常比体块材料有... 当今世界能源浪费巨大,其中绝大多数以废热的形式被浪费掉.热电效应可以将热能转换为电能并且没有危险物质的释放,因此热电效应的应用吸引了越来越多人的兴趣.自从石墨烯被发现以来,越来越多的二维层状材料被报道,它们通常比体块材料有着更加优越的电学、光学等物理性质,而新的理论和实验技术的发展,也促进了人们对于它们的研究.在本文中,首先介绍了基于二维材料热电性质的测量方法和测试技术,并对其测试中具有挑战性的问题进行讨论.随后对石墨烯、过渡金属硫化物、黑磷等材料的热电应用进行了介绍.最后,讨论了提升热电性能的各种策略与亟待解决的问题,并对此做出展望. 展开更多
关键词 热电效应 二维材料 电输运 热输运
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c轴择优Ca_3Co_4O_9多晶的热电性质及激光感生横向电压效应 被引量：5
11
作者 宋世金 倪佳 +5 位作者 晏国文 傅佳 秦梦 陈尧 易健宏 虞澜 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期286-291,共6页
采用传统固相反应法制备c轴择优的错层结构Ca3Co4O9多晶材料,用热重-差示扫描量热分析、X射线衍射、扫描电子显微镜和电阻率–温度曲线、热电势–温度曲线对样品进行了表征,探究了材料热电输运性质和激光感生横向电压(laser induced tra... 采用传统固相反应法制备c轴择优的错层结构Ca3Co4O9多晶材料,用热重-差示扫描量热分析、X射线衍射、扫描电子显微镜和电阻率–温度曲线、热电势–温度曲线对样品进行了表征,探究了材料热电输运性质和激光感生横向电压(laser induced transverse voltage,LITV)效应。结果表明:在800和870℃分别保温24 h条件下可获得纯相层片状Ca3Co4O9多晶,其(00l)取向因子达0.74。Ca3Co4O9多晶材料在80~300 K、336~826 K分别为金属和半导体电输运行为。336 K时Seebeck系数约130μV/K。由于声子曳引热电势的贡献,随温度升高,热电势增大。以波长为248 nm、脉宽为28 ns、能量密度为17 m J/cm2的脉冲激光照射多晶构造斜面,获得了42 m V的LITV响应,比倾斜外延Ca3Co4O9薄膜中的LITV信号小约2个数量级。由于存在偏离(00l)取向的晶粒和大量晶界,导致本征热电各向异性相互抵消,大大减小了LITV响应。 展开更多
关键词 钴酸钙多晶 电输运 热电势 激光感生横向电压 各向异性
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CdS薄膜的电输运和光学性质 被引量：4
12
作者 杨一军 阚彩侠 +2 位作者 谢宇 杨保华 张立德 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期39-43,共5页
通过喷雾热解获得CdS薄膜,在氮气中做了退火处理,观测到吸收边随退火温度升高而移动;在室温下的拉曼谱中观察到CdS的2个特征峰;经暗电阻与温度的变化关系的测试,发现激活能存在着极小值,用载流子衰减时间的变化能较好地解释其缘由;探讨... 通过喷雾热解获得CdS薄膜,在氮气中做了退火处理,观测到吸收边随退火温度升高而移动;在室温下的拉曼谱中观察到CdS的2个特征峰;经暗电阻与温度的变化关系的测试,发现激活能存在着极小值,用载流子衰减时间的变化能较好地解释其缘由;探讨了光电导与入射光强以及退火温度的关系. 展开更多
关键词 电输运 光学性质 CDS薄膜 吸收边 激活能 光电导 太阳电池 n型窗口材料
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Mg掺杂增强CuCrO_(2)陶瓷的电传导及各向异性 被引量：1
13
作者 孟佳源 李毅 +4 位作者 赵裕春 武浩荣 汪雪松 骆婉君 虞澜 《人工晶体学报》 北大核心 2024年第1期163-169,共7页
采用固相反应法制备了具有c轴择优的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0、0.005、0.010、0.020、0.030、0.040、0.050)系列多晶,分别从垂直和平行于压力的宏观面内方向和厚度方向研究Mg掺杂对CuCrO_(2)多晶微结构取向和电性能及各向异性的影响,... 采用固相反应法制备了具有c轴择优的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0、0.005、0.010、0.020、0.030、0.040、0.050)系列多晶,分别从垂直和平行于压力的宏观面内方向和厚度方向研究Mg掺杂对CuCrO_(2)多晶微结构取向和电性能及各向异性的影响,探讨了Mg掺杂增强CuCrO_(2)陶瓷电导率各向异性的机制。当x≤0.030时,多晶为菱方R3m单相结构,随着掺杂量的增加,晶粒在面内充分长大,气孔和晶界减少,致密度逐渐提高,多晶呈现热激活半导体电输运行为;当x=0.030时,面内取向因子F((00l))达到最高值0.912,面内c轴择优取向远优于厚度方向,面内和厚度方向的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)多晶室温电阻率分别显著下降至1.80×10^(-3)和3.16×10^(-3)Ω·m,这是由于其结构各向异性的差异,热激活能均减小至0.03 eV,c轴择优取向对热激活能影响并不明显,最大载流子浓度比母相均增加3个量级,晶界缺陷更少,平均自由程增大,输运能力更强,电导率更高。实验表明最优掺杂量为x=0.030,当掺杂量x高于0.030时,出现MgCr_(2)O_(4)尖晶石杂相,样品的微观结构和电输运性能变差。 展开更多
关键词 c轴择优 CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)多晶 各向异性 电阻率 晶界缺陷 电输运
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强磁场下的热、电输运科学研究
14
作者 朱增伟 《大学科普》 2024年第2期51-53,共3页
电输运现象涵盖了电阻和霍尔效应,而热输运则包括热电效应、热导率及其横向效应[1]。它们是凝聚态物理学中历史悠久且持续活跃的研究领域,通过结合强磁场和低温环境,可以开展一系列引人入胜的科学探索,这里就笔者开展的工作为例进行阐述。
关键词 凝聚态物理学 热电效应 输运现象 霍尔效应 电输运 低温环境 横向效应 强磁场
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新型正交相BN单层半导体有毒气体吸附性能及电输运性能的理论研究
15
作者 赵俊 姚璨 曾晖 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第12期338-349,共12页
低维材料表面的有毒气体吸附一直是分子传感器领域的研究热点.最近的新型正交相二维BN单层半导体材料引起了学者的广泛关注.基于第一性原理计算,本文研究了有毒气体分子(CO,H_(2)S,NH_(3),NO,NO_(2)和S02)在二维正交相BN单层表面的吸附... 低维材料表面的有毒气体吸附一直是分子传感器领域的研究热点.最近的新型正交相二维BN单层半导体材料引起了学者的广泛关注.基于第一性原理计算,本文研究了有毒气体分子(CO,H_(2)S,NH_(3),NO,NO_(2)和S02)在二维正交相BN单层表面的吸附特性.吸附能计算表明,正交相BN材料对所有气体的吸附均是能量有利的放热过程.NO_(2)和NH_(3)为化学吸附,其他体系均为物理吸附,且NO吸附后体系具有自旋极化的电子能带结构.态密度计算结果显示,NO_(2)和SO_(2)的吸附对费米能级附近的电子占据有显著影响.NO_(2)吸附后,体系的功函数和电子结构特性均明显改变,表明BN单层半导体材料对NO_(2)分子具有良好的吸附选择性和探测灵敏度.采用第一性原理结合非平衡格林函数方法计算了纳米电子器件的输运性能.在1 V偏压下,NO_(2)分子的吸附可使体系电流增大到6500 nA,显著增强了BN单层半导体器件的电输运性能,因此二维BN单层对NO_(2)气体吸附具有优异的探测敏感度.此外,轴向应力能够有效调控体系的吸附性能.研究表明,正交相BN单层材料对有毒气体具有优异的吸附性能,在新型有毒气体传感探测器件领域有较大的应用潜力. 展开更多
关键词 吸附 正交相BN 第一性原理 电输运 气体传感器
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BiCuXO(X=S、Se、Te)晶体的电输运与热输运性质研究
16
作者 田浩 董松涛 +4 位作者 李伊驰 吕洋洋 周健 陈延彬 姚淑华 《物理学进展》 北大核心 2024年第6期259-277,共19页
BiCuXO(X=S、Se、Te)作为层状氧化物,具有良好的电输运性能以及低的热导率,是一种潜在的性能优异的热电材料。材料物理性能的优化离不开对晶体本征性能的研究。本文首先详细介绍BiCuXO晶体的生长工艺,通过生长方法和元素掺杂调节载流子... BiCuXO(X=S、Se、Te)作为层状氧化物,具有良好的电输运性能以及低的热导率,是一种潜在的性能优异的热电材料。材料物理性能的优化离不开对晶体本征性能的研究。本文首先详细介绍BiCuXO晶体的生长工艺,通过生长方法和元素掺杂调节载流子浓度,改善其电输运性质,并与文献报道的陶瓷样品进行了对比。其次介绍BiCuXO晶体的电输运性能和热输运性能,电输运性能主要包括导电行为、散射机制及磁阻演化;热输运性能主要是通过非弹性中子散射和拉曼实验研究,并结合第一性原理计算研究其极低热导率的物理机制。最后介绍了基于热电效应BiCuSeO晶体在光热电领域的应用。本文总结了BiCuXO晶体的生长方法,研究其电学、热学以及光热电性能,希望为BiCuXO性能的优化提供思路。 展开更多
关键词 BiCuSeO 晶体生长 热电性能 电输运 热导率 光热电效应
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反钙钛矿Mn_3AX化合物的晶格、磁性和电输运性质的研究进展 被引量：3
17
作者 丁磊 王聪 +2 位作者 褚立华 纳元元 闫君 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期882-895,共14页
近年来,研究发现反钙钛矿化合物Mn3AX(A=Cu,Zn,Sn,Ni,Al,Ga等;X=N/C)具有超导,巨磁阻,近零电阻温度系数,负膨胀,磁致伸缩,压磁效应,以及磁卡效应等丰富的物理性能,因此此类化合物受到人们越来越多的关注.反钙钛矿Mn3AX化合物的结构和物... 近年来,研究发现反钙钛矿化合物Mn3AX(A=Cu,Zn,Sn,Ni,Al,Ga等;X=N/C)具有超导,巨磁阻,近零电阻温度系数,负膨胀,磁致伸缩,压磁效应,以及磁卡效应等丰富的物理性能,因此此类化合物受到人们越来越多的关注.反钙钛矿Mn3AX化合物的结构和物性的研究,将对我们深入认识材料的"本-构"关系具有重要的意义.本文重点综述了部分反钙钛矿Mn3AX化合物奇特的物理性质,尤其是晶格、电输运和磁有序之间强关联的研究进展,同时也综述了对晶格、磁阻和磁相变等物性调控的一些成果;在此基础上,结合此类化合物的发展现状提出未来研究的一些展望. 展开更多
关键词 反钙钛矿 磁相变 负热膨胀 电输运
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脉冲强磁场实验装置安全及管理
18
作者 施江涛 胡洁 《大学科普》 2024年第2期45-46,共2页
脉冲强磁场设施建有一系列脉冲磁体、电源及精确时序控制系统,还建有电输运、磁特性、磁光、电子自旋共振等8个科学实验站及配套低温系统和相应的材料制备实验室,涉及高电压、大电流、强磁场、低温、机械加工、高温设备及危化品等多种... 脉冲强磁场设施建有一系列脉冲磁体、电源及精确时序控制系统,还建有电输运、磁特性、磁光、电子自旋共振等8个科学实验站及配套低温系统和相应的材料制备实验室,涉及高电压、大电流、强磁场、低温、机械加工、高温设备及危化品等多种安全风险源。在这种条件下如何预防安全事故的发生,保障脉冲强磁场科学中心(以下简称:强磁场中心)各类人员及财产的安全,避免损失,是我们实验室安全工作中永恒的课题。 展开更多
关键词 脉冲强磁场 电子自旋共振 实验室安全 高温设备 机械加工 低温系统 危化品 电输运
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低维超导的实验进展 被引量：3
19
作者 张玺 刘超飞 王健 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第21期96-120,共25页
超导自发现以来,已成为凝聚态物理领域最重要的方向之一.近年来,低维材料制备技术的进步使得一维或二维的超导特性实验研究成为可能.本文在简要介绍超导现象的基础上,重点回顾了近些年二维超导薄膜和一维超导纳米线的制备和电输运研究,... 超导自发现以来,已成为凝聚态物理领域最重要的方向之一.近年来,低维材料制备技术的进步使得一维或二维的超导特性实验研究成为可能.本文在简要介绍超导现象的基础上,重点回顾了近些年二维超导薄膜和一维超导纳米线的制备和电输运研究,以及在低维超导体中发现的相移、近邻效应、铁磁超导相互作用和高温超导等新奇的现象,并对该领域的进一步发展做出了展望. 展开更多
关键词 低维超导 电输运 薄膜 纳米线
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衬底对石墨烯器件电学性质的影响 被引量：3
20
作者 王天博 葛建雷 《物理实验》 2018年第2期47-51,56,共6页
石墨烯依附的衬底材料对石墨烯的电学性质有重要的影响.传统的无定型二氧化硅/掺杂硅衬底上的石墨烯器件表现出弱无序介观样品常有的特性——弱局域化,且加工过程中引入的掺杂易造成费米面远离狄拉克点.衬底本身携带一些随机分布的库伦... 石墨烯依附的衬底材料对石墨烯的电学性质有重要的影响.传统的无定型二氧化硅/掺杂硅衬底上的石墨烯器件表现出弱无序介观样品常有的特性——弱局域化,且加工过程中引入的掺杂易造成费米面远离狄拉克点.衬底本身携带一些随机分布的库伦势,会造成覆盖在其上的石墨烯中的电子运动过程发生散射,从而降低电子的迁移率.而氮化硼衬底上的石墨烯器件更容易达到狄拉克点,且更容易观察到电子的朗道量子化,即量子霍尔效应. 展开更多
关键词 胶带法 石墨烯 电输运 衬底
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