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针对DSP的系统级封装设计和应用 被引量:3
1
作者 邢正伟 许聪 +1 位作者 丁震 陈康喜 《电子与封装》 2022年第8期26-31,共6页
随着雷达装备一体化需求的发展,对分系统或模块的质量和大小提出更严苛的要求,轻质化、小型化、系统化是整机的发展趋势。通过对多片数字信号处理器(DSP)芯片进行系统级封装设计,系统尺寸缩小到封装前的24%,仿真结果显示该系统的电源平... 随着雷达装备一体化需求的发展,对分系统或模块的质量和大小提出更严苛的要求,轻质化、小型化、系统化是整机的发展趋势。通过对多片数字信号处理器(DSP)芯片进行系统级封装设计,系统尺寸缩小到封装前的24%,仿真结果显示该系统的电源平面在30 MHz内无明显谐振,高速信号的插入损耗大于等于-3 d B@5 GHz,回波损耗小于等于-14 d B@5 GHz,仿真眼图的眼高314 m V,眼宽0.68 UI,满足信号完整性要求。热分析发现,经过散热处理模块最高结温约为55.8℃,满足实际需求。通过工程应用测试,该方案相比于传统方案,具有体积小、使用简单的特点。 展开更多
关键词 数字信号处理器 系统级封装 插入损耗
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螺旋电感的分析和设计
2
作者 张静和 《国外科技新书评介》 2014年第12期18-18,共1页
近来,随着无线电力设备的市场需求扩大,对于小尺寸、低成本、高水平的电路需求也越来越大,在系统级芯片(SOC,system on chip)实现的过程当中最大的困难就是如何整合无源器件,特别是运放系统。许多困难例如低品质、设计和制造的... 近来,随着无线电力设备的市场需求扩大,对于小尺寸、低成本、高水平的电路需求也越来越大,在系统级芯片(SOC,system on chip)实现的过程当中最大的困难就是如何整合无源器件,特别是运放系统。许多困难例如低品质、设计和制造的复杂性、加工成本高等,会在本书中举例详细地说明。 展开更多
关键词 螺旋电感 设计 系统级芯片 市场需求 电力设备 无源器件 加工成本 小尺寸
原文传递
微波单片集成电路放大器的全局电磁仿真
3
作者 张旭东 戴居丰 吴咏诗 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期393-399,共7页
发表了利用矩量法对含有有源器件的单片微波集成电路放大器进行全局电磁仿真的方法。对于共面波导运用对偶原理和矩量法进行仿真后,对单面单片微波集成电路放大器也可进行全局电磁仿真。
关键词 矩量法 MMIC 微波集成电路 放大器 电磁仿真
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微波、毫米波单片集成电路(MIMIC)技术 被引量:1
4
作者 盛柏桢 《集成电路通讯》 2004年第1期31-33,共3页
本文主要叙述微波、毫米波单片集成电路的性能及其应用。
关键词 微波单片集成电路 毫米波单片集成电路 高电子迁移率晶体管 异质结双极晶体管
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微波裸芯片的测试技术 被引量:4
5
作者 吴少芳 孔学东 黄云 《电子产品可靠性与环境试验》 2008年第4期55-58,共4页
鉴于目前对微波裸芯片的旺盛需求,介绍了几种测试技术,主要包括探针台测试技术、夹具测试技术和非侵入式测试技术,并对不同的测试技术进行了对比,分析了各种测试方法的优缺点及存在的问题。
关键词 裸芯片 微波单片集成电路 夹具 探针
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AAT1130:500mA单片降压转换器
6
《世界电子元器件》 2008年第11期47-47,共1页
研诺逻辑推出高性能500mA单片降压转换器AAT1130。通过采用创新的伪固定频率架构,这种新型转换器可提供至少比传统的500mA、2MHz、脉宽调制模式降压转换器快2倍的瞬态响应,同时支持使用极小的、1μ芯片级电感器。
关键词 降压转换器 单片 固定频率 瞬态响应 调制模式 电感器 芯片级 脉宽
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微波电路组装工艺研究 被引量:16
7
作者 王听岳 《电子工艺技术》 1999年第5期190-193,共4页
微波电路与低频电路的不同主要在于接地,互连与微带线的制造。微波制造技术是微波电路设计的一个重要组成部分。对接地的一些关键技术—焊接裂纹、应力、变形、钎连学等作了研究。同时研究了芯片与微带线间距的互连、微带线制作、材料... 微波电路与低频电路的不同主要在于接地,互连与微带线的制造。微波制造技术是微波电路设计的一个重要组成部分。对接地的一些关键技术—焊接裂纹、应力、变形、钎连学等作了研究。同时研究了芯片与微带线间距的互连、微带线制作、材料的可焊性及焊接过程等制造技术。 展开更多
关键词 微波电路 接地 微组装 微波IC
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GaAs MMIC抗静电能力研究 被引量:4
8
作者 叶禹康 孙伟东 +1 位作者 俞土法 金毓铨 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期433-437,共5页
用人体静电放电模拟器对以GaAs MESFET为主要有源器件的MMIC的静电敏感度进行研究,叙述了在MMIC设计、工艺制作等环节防静电和提高MMIC抗静电能力的措施,采用这些措施后,低噪声MMIC静电损伤阈值达到50... 用人体静电放电模拟器对以GaAs MESFET为主要有源器件的MMIC的静电敏感度进行研究,叙述了在MMIC设计、工艺制作等环节防静电和提高MMIC抗静电能力的措施,采用这些措施后,低噪声MMIC静电损伤阈值达到500~800 V。 展开更多
关键词 砷化镓 MMIC 抗静电 微波集成电路
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X波段GaAs单片五位数字移相器 被引量:4
9
作者 申华军 杨瑞霞 +3 位作者 王同祥 吴阿惠 谢媛媛 邱旭 《电子器件》 CAS 2003年第2期229-232,共4页
设计并制作了X波段五位GaAs MMIC(微波单片集成电路)数字移相器,采用MESFET作为开关元件,五个移相位线性级联布置。在9~10GHz的频率范围内,用HP-8510网络分析仪测试得到的微波性能表明:移相器的插入损耗为(7.2±1)dB,RMS(均方根)... 设计并制作了X波段五位GaAs MMIC(微波单片集成电路)数字移相器,采用MESFET作为开关元件,五个移相位线性级联布置。在9~10GHz的频率范围内,用HP-8510网络分析仪测试得到的微波性能表明:移相器的插入损耗为(7.2±1)dB,RMS(均方根)相位误差小于5°,回波损耗优于-13dB。 展开更多
关键词 X波段 MMIC 移相器
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应用于无线通信的高效宽带GaN HEMT功率放大器 被引量:1
10
作者 程知群 赵子明 +1 位作者 刘国华 轩雪飞 《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》 2017年第3期1-5,共5页
基于GaN器件设计了一款带宽达到1.2GHz^2.6GHz功率放大器,覆盖了移动、电信、联通三家运营商频段.漏级效率达到60%~88%,相对带宽达到73%,平均输出功率10 W以上,大信号增益为10~12dB.采用基波阶跃式匹配与谐波控制网络进行设计,解决了同... 基于GaN器件设计了一款带宽达到1.2GHz^2.6GHz功率放大器,覆盖了移动、电信、联通三家运营商频段.漏级效率达到60%~88%,相对带宽达到73%,平均输出功率10 W以上,大信号增益为10~12dB.采用基波阶跃式匹配与谐波控制网络进行设计,解决了同时兼有高效率和宽频带的GaN功率放大器中一系列关键性问题,为4G基站高效率宽带下的功率放大器研制提供一种新的实现途径和方法. 展开更多
关键词 高效率 宽频带 功率放大器 阶跃式匹配 谐波控制网络 无线通信系统
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3cm-T/R组件的研制
11
作者 李俊生 《电子与封装》 2011年第1期9-12,共4页
介绍了一种3cm-T/R组件的设计与制作,该组件基于LTCC技术,运用两只功率放大器裸芯片和一个Wilkinson功分合成器设计出了一个平衡放大器,并且作为3cm-T/R组件发射通道的末级功放。文章分析了收发组件的原理方案,详细讨论了电磁兼容问题... 介绍了一种3cm-T/R组件的设计与制作,该组件基于LTCC技术,运用两只功率放大器裸芯片和一个Wilkinson功分合成器设计出了一个平衡放大器,并且作为3cm-T/R组件发射通道的末级功放。文章分析了收发组件的原理方案,详细讨论了电磁兼容问题和装配工艺,充分利用了混合集成电路(HMIC)和多芯片组装(MCM)相结合的技术,并且给出了测试结果。3cm-T/R组件的各项指标基本达到了设计的要求,该组件能实现14W的高功率输出。 展开更多
关键词 3cm T/R组件 末级功放 输出功率
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一种异面馈电模式的CBCPW与SIW的转换结构
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作者 卢瑛 沈亮 +2 位作者 沈亚 蒋鹏 卢燕 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2015年第9期86-91,共6页
介绍了一种共面波导(CBCPW)与基片集成波导(SIW)的转换结构。区别于广泛采用的馈电点在共面的转换结构,该结构采用异面的馈电形式。一种变异的电流探针实现了两种传输线间的能量耦合,在CBCPW中的准TEM模通过它转换成SIW中的TE模。计算... 介绍了一种共面波导(CBCPW)与基片集成波导(SIW)的转换结构。区别于广泛采用的馈电点在共面的转换结构,该结构采用异面的馈电形式。一种变异的电流探针实现了两种传输线间的能量耦合,在CBCPW中的准TEM模通过它转换成SIW中的TE模。计算机辅助设计优化了该结构。实际制作并测试了一组背靠背的转换结构。测试结果显示在整个有效带宽达36%的频带内转换结构插损小于0.35dB。在同类结构中插损较小。 展开更多
关键词 基片集成波导 共面波导 转换 电流探针 多层微波印刷电路板 三维微波电路
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微波集成电路的老炼试验技术 被引量:8
13
作者 任俊华 赵鑫燚 王弘英 《电子产品可靠性与环境试验》 2016年第3期61-64,共4页
微波集成电路(MIC)是雷达和微波通信系统中的关键部分,其可靠性试验对于保证交付产品的质量具有重要的作用。老炼试验是可靠性筛选的关键一环,因而也是产品质量保证的重要手段。对MIC老炼试验技术进行了研究,并针对老炼夹具的设计、ESD... 微波集成电路(MIC)是雷达和微波通信系统中的关键部分,其可靠性试验对于保证交付产品的质量具有重要的作用。老炼试验是可靠性筛选的关键一环,因而也是产品质量保证的重要手段。对MIC老炼试验技术进行了研究,并针对老炼夹具的设计、ESD与EMP防护和自激振荡的预防与消除提出了具体的解决措施。 展开更多
关键词 微波集成电路 老炼试验 夹具 自激振荡 可靠性
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ULSI中Cu互连线的显微结构及可靠性 被引量:1
14
作者 王晓冬 吉元 +4 位作者 李志国 卢振军 夏洋 刘丹敏 肖卫强 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1302-1304,共3页
观察了ULSI中大马士革结构的Cu互连线的晶粒生长和晶体学取向 .分析了线宽及退火对Cu互连线显微结构及电徙动的影响 .Cu互连线的晶粒尺寸随着线宽的变窄而减小 .与平坦Cu膜相比 ,Cu互连线形成微小的晶粒和较弱的 (111)织构 .30 0℃、30... 观察了ULSI中大马士革结构的Cu互连线的晶粒生长和晶体学取向 .分析了线宽及退火对Cu互连线显微结构及电徙动的影响 .Cu互连线的晶粒尺寸随着线宽的变窄而减小 .与平坦Cu膜相比 ,Cu互连线形成微小的晶粒和较弱的 (111)织构 .30 0℃、30min退火促使Cu互连线的晶粒长大、(111)织构发展 ,从而提高了Cu互连线抗电徙动的能力 .结果表明 ,Cu的扩散涉及晶界扩散与界面扩散 ,而对于较窄线宽的Cu互连线 ,界面扩散成为Cu互连线电徙动失效的主要扩散途径 . 展开更多
关键词 Cu互连线 晶体学取向 晶粒尺寸 电徙动
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一种天线罩结构的设计分析 被引量:1
15
作者 张广 曹祥玉 +1 位作者 文曦 刘涛 《系统工程与电子技术》 EI CSCD 北大核心 2008年第5期977-980,共4页
针对天线罩对天线电性能的影响问题,提出采用天线的驻波参数来评价天线罩性能的新途径。在采用微波网络理论对天线罩进行分析的基础上来选定具体形式的天线罩。利用矩量法对选定的U形天线罩进行了研究,得出了天线罩的宽度、高度及厚度... 针对天线罩对天线电性能的影响问题,提出采用天线的驻波参数来评价天线罩性能的新途径。在采用微波网络理论对天线罩进行分析的基础上来选定具体形式的天线罩。利用矩量法对选定的U形天线罩进行了研究,得出了天线罩的宽度、高度及厚度在不同频率下与天线驻波的关系。通过设计出符合要求的天线罩证明了算法的有效性。 展开更多
关键词 天线罩 体积分方程 矩量法 微波网络理论
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Renesas推出WLAN用SiGe双波段MMIC
16
作者 陈裕权 《半导体信息》 2007年第1期31-32,共2页
关键词 SIGE Renesas MMIC 双波段 多输入多输出 无线局域网 表面贴装 高频特性 电路板面积 功率增益
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微波单片集成电路测试技术研究 被引量:1
17
作者 黄方祥 《电子质量》 2022年第4期30-32,共3页
单片机集成环境主要应用于无线通信、雷达、电子测量等行业,近年来随着设备的发展,对机器的需求增加,对可靠性的要求也提高了。单片有源微波项目在国内尚处于起步阶段,没有相关的方法[1]。为了防止这种情况,该文通过测量有源损耗、1 d ... 单片机集成环境主要应用于无线通信、雷达、电子测量等行业,近年来随着设备的发展,对机器的需求增加,对可靠性的要求也提高了。单片有源微波项目在国内尚处于起步阶段,没有相关的方法[1]。为了防止这种情况,该文通过测量有源损耗、1 d B压缩点、单组件侧分贝和放大器以及射频开关等关键参数来探索有源单片集成设备和微波测试技术。 展开更多
关键词 MMIC 微波参数测试 元器件可靠性 微波测试夹具
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缺陷地面结构最新研究进展 被引量:8
18
作者 翁丽鸿 郭玉春 史小卫 《微波学报》 CSCD 北大核心 2008年第S1期226-232,共7页
本文综述了缺陷地面结构(DGS)的研究现状,主要介绍了DGS的基本概念和传输特性,给出了用于描述各种DGS单元特性的等效电路模型,归纳总结了DGS在微波技术领域的主要应用,最后给出了DGS的发展趋势。
关键词 缺陷地面结构 慢波因子 哑铃型 等效电路
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瑞萨科技发布高性能硅锗MMIC
19
作者 江兴 《半导体信息》 2007年第1期32-32,共1页
关键词 瑞萨科技 MMIC 待机电流 占位面积 功率增益 转换电路 输出功率 双模
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一种低插入损耗高隔离度射频开关的设计 被引量:1
20
作者 谷江 吴兰 +1 位作者 高博 张晓朋 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第7期505-511,共7页
基于180 nm绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺,设计并制作了一款50Ω吸收式单刀双掷射频开关。开关电路由两个对称的射频传输通道组成,在500 kHz^8 GHz频率内具备优异的隔离度及插入损耗性能。采用两级开关结构用于提高隔离度,并通过将电源管理... 基于180 nm绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺,设计并制作了一款50Ω吸收式单刀双掷射频开关。开关电路由两个对称的射频传输通道组成,在500 kHz^8 GHz频率内具备优异的隔离度及插入损耗性能。采用两级开关结构用于提高隔离度,并通过将电源管理电路的晶体管偏置在亚阈值区域以达到超低的功耗。测试结果表明,在6 GHz频点的插入损耗为0.55 dB,隔离度为53 dB,反射系数为-15 dB,0.1 dB压缩点的输入功率为33 dBm,而功耗不足300μW。该RF开关电路非常适用于4G/5G无线基础设施、卫星通信终端设备以及其他高性能射频应用系统。 展开更多
关键词 射频开关 绝缘体上硅(SOI) 隔离度 插入损耗 低功耗
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