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高端液晶电视驱动电路的设计与实现 被引量:5
1
作者 吴佳新 余松煜 《电视技术》 北大核心 2005年第5期16-19,共4页
分析了液晶电视驱动电路的视频解码、去隔行处理和图像缩放等核心关键技术。通过比较相应的视频处理芯片的性能和优缺点提出了一套高端液晶电视机驱动电路设计方案。该方案可将10路输入信号分别进行相应处理,转换成液晶显示屏的数据格式... 分析了液晶电视驱动电路的视频解码、去隔行处理和图像缩放等核心关键技术。通过比较相应的视频处理芯片的性能和优缺点提出了一套高端液晶电视机驱动电路设计方案。该方案可将10路输入信号分别进行相应处理,转换成液晶显示屏的数据格式,并以多种显示布局进行显示,包括单画面、画中画(PIP)和画外画(POP)等多种方式。 展开更多
关键词 驱动电路 设计与实现 高端 视频处理芯片 液晶电视机 液晶显示屏 视频解码 关键技术 图像缩放 设计方案 数据格式 输入信号 行处理 优缺点 画外画 画中画
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开关电源中RC缓冲电路的设计 被引量:10
2
作者 梁伟恩 付翔 杨军 《电子元器件应用》 2010年第6期40-42,共3页
开关电源中缓冲电路性能的好坏直接影响到系统的品质。文中给出了一种结构简单、安装方便的RC缓冲电路的设计方法,该方法不仅能降低开关管的关断损耗,而且还能降低变压器的漏感和尖峰电压。
关键词 RC缓冲电路 尖峰电压 开关电源
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优化N型片基区工艺设计
3
作者 庄泽亮 李建辉 《电子世界》 2012年第14期65-66,共2页
N型片单结软击穿这一技术难题长期困扰着我们的正常生产。通过优化N型片基区工艺设计,消除了单结软击穿的问题,并成功地用国产材料代替了进口材料,同时实现品质提升和成本降低的效果。
关键词 基区 BVCEO 工艺优化
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隔离门极两极晶体管工艺的最新进展
4
作者 Yilma.,H 俞平 《国外电力电子技术》 1989年第2期8-11,共4页
关键词 隔离门极 两极晶体管 工艺
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电力电子的发展形势迅猛
5
《变频技术应用》 2013年第4期39-39,共1页
在电气行业中,电子的发展技术水平在不断地上升,所以带动着电力电子产品也在不断的朝着科学化,进步化的方向努力,所以对于现在的发展形势来看,电力电子的发展呈着平稳的趋势发展,从而更加的有利推动经济的发展,让电气行业中的电... 在电气行业中,电子的发展技术水平在不断地上升,所以带动着电力电子产品也在不断的朝着科学化,进步化的方向努力,所以对于现在的发展形势来看,电力电子的发展呈着平稳的趋势发展,从而更加的有利推动经济的发展,让电气行业中的电力电子科技技术发挥出更好的优势。 展开更多
关键词 电力电子 电气行业 科技技术 电子产品 科学化
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槽栅IGBT硅化物自对准技术研究 被引量:2
6
作者 袁寿财 朱长纯 刘君华 《电子器件》 CAS 2002年第4期420-423,共4页
本文设计了一种全自对准的槽栅 IGBT(绝缘栅双极晶体管 )结构 ,其工艺简单 ,全套工艺只有两张光刻版 ,是现有 IGBT工艺中最少的 ,而且两次光刻之间没有套刻关系 ,避免了套刻误差 ,提高了工艺成品率。同时 ,降低了制版费用和制造成本。... 本文设计了一种全自对准的槽栅 IGBT(绝缘栅双极晶体管 )结构 ,其工艺简单 ,全套工艺只有两张光刻版 ,是现有 IGBT工艺中最少的 ,而且两次光刻之间没有套刻关系 ,避免了套刻误差 ,提高了工艺成品率。同时 ,降低了制版费用和制造成本。设计了一种独特的 IGBT多重沟道短路结构 ,有效的防止闩锁。用氧化层硬掩膜和先进的硅化物工艺实现金属接触全自对准 ,可使元包尺寸减小到 2μm甚至更小 ,增加了 IGBT芯片单位面积的元包密度和沟道宽度 ,提高了电流 ,使器件导通电阻低于 0 .2 3mΩ / cm2 。用砷 (As)掺杂代替磷 (P) ,可有效提高源区表面浓度 ,实现浅结工艺。 展开更多
关键词 IGBT 槽栅 全自对准 硅化物 多重沟道短路 绝缘栅双极晶体管
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高线性度单压E—pHEMT FET
7
作者 江兴 《半导体信息》 2004年第1期24-24,共1页
ATF—501P8为高线性度单电压E—phemt(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)场效应管,专为发射功放器和接收低噪声放大器应用而设计,广泛应用于蜂窝/PCS/WCDMA基站、近地轨道卫星系统、陆地多信道多端口分布系统(MMDS)、无线局域网(WLAN)... ATF—501P8为高线性度单电压E—phemt(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)场效应管,专为发射功放器和接收低噪声放大器应用而设计,广泛应用于蜂窝/PCS/WCDMA基站、近地轨道卫星系统、陆地多信道多端口分布系统(MMDS)、无线局域网(WLAN)、无线本地环路(WLL)、固定无线接入及工作频率在50MHz~6GHz之间的其他服务中。在2GHz的单电压操作时,ATF—501P8能实现更高效的多信道放大功能。 展开更多
关键词 高线性度 PHEMT FET 无线本地环路 多信道 低噪声放大器 单电 场效应管 固定无线接入 近地轨道 分布系统
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使用独立GaN衬底提高HEMT迁移率
8
作者 陈裕权 《半导体信息》 2005年第1期15-15,共1页
美国Cree公司与美海军研究院合作,研制出一种用MBE生长的AlGaN/GaN HEMT 结构,其室温霍尔迁移率达到了最高水平,为1920 cm2/Vs。上述器件研究小组认为GaN基HEMT的性能碍于穿线位错,因为它限制了迁移率。研究人员把他们所取得的进展归功... 美国Cree公司与美海军研究院合作,研制出一种用MBE生长的AlGaN/GaN HEMT 结构,其室温霍尔迁移率达到了最高水平,为1920 cm2/Vs。上述器件研究小组认为GaN基HEMT的性能碍于穿线位错,因为它限制了迁移率。研究人员把他们所取得的进展归功于采用了独立的GaN衬底。 展开更多
关键词 GAN HEMT 霍尔迁移率 器件研究 外延片 势垒层 线位 缓冲层 隔离层
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IGBT特性的辐照效应
9
作者 袁寿财 刘树林 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1997年第4期14-16,共3页
本文简述了中子辐照对IGBT特性的影响,给出了器件在中子辐射注量高达10(13)n/cm2时的实验结果。实现发现,随着中子注量的增加,开关时间缩短,阀值电压漂移。对于所研究的注量范围,所观察的效应是由于IGBT少子寿命减少造成的,而... 本文简述了中子辐照对IGBT特性的影响,给出了器件在中子辐射注量高达10(13)n/cm2时的实验结果。实现发现,随着中子注量的增加,开关时间缩短,阀值电压漂移。对于所研究的注量范围,所观察的效应是由于IGBT少子寿命减少造成的,而不是由于有效掺杂浓度变化所致。 展开更多
关键词 IGBT 辐照 阈值 双极晶体管
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1.2 kV氧化槽交替隔离型RC-IGBT的结构设计及特性研究
10
作者 马丽 康源 +2 位作者 李旖晨 王云飞 王馨梅 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第3期163-168,共6页
提出了一种1.2kV氧化槽交替隔离型RC-IGBT结构。通过采用和正面栅极工艺相同的沟槽刻蚀技术,在器件背面形成交替出现的氧化槽,氧化槽结构增大了RC-IGBT背部N^+ Collector和P^+ Collector之间的短路电阻,从而从根本上消除了传统结构的电... 提出了一种1.2kV氧化槽交替隔离型RC-IGBT结构。通过采用和正面栅极工艺相同的沟槽刻蚀技术,在器件背面形成交替出现的氧化槽,氧化槽结构增大了RC-IGBT背部N^+ Collector和P^+ Collector之间的短路电阻,从而从根本上消除了传统结构的电压折回(Snapback)现象。为了不增加工艺难度,氧化槽的宽度和栅极的宽度完全一致。研究了氧化槽的深宽比对Snapback现象的影响规律,以及氧化槽之间N^+ Collector与P^+ Collector掺杂长度对器件特性的影响。结果表明,新结构的设计能完全消除Snapback现象,且相较传统结构,元胞尺寸减小了一半,并且器件恢复损耗降低了30%。 展开更多
关键词 RC-IGBT 电压折回 氧化槽 恢复损耗
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大功率STATCOM装置IGBT吸收电路参数的多目标优化设计 被引量:1
11
作者 马国喜 李正国 +1 位作者 罗安 杨勇 《长沙电力学院学报(自然科学版)》 2003年第3期23-25,54,共4页
提出了采用一种并行自校正多目标遗传算法,对大功率STATCOM装置的IGBT吸收电路参数选型进行优化.通过设计实例表明,这种选优方法设计的吸收电路可靠性高,工程应用价值大.
关键词 STATCOM装置 IGBT 吸收电路 参数选型 并行自校正多目标遗传算法 多目标优化设计
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九十年代国内外电力电子技术发展对比
12
作者 淦华安 《电工技术》 1993年第11期1-6,共6页
本文简述了近年来国内外电力电子技术的发展情况,并介绍了国内外的一些电力电子器件和数据。
关键词 电力电子器件 发展 数据
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Research and Making of a High-Power Switching Supply Using Pulse Width Modulation
13
作者 焦斌 《Journal of Donghua University(English Edition)》 EI CAS 2005年第2期87-89,共3页
Compared with the traditional SCR phase-shift regulated power supply, a new type of power semiconductor , noncrystalline state magnetic material and pulse width modulation technology, high-power switching supply has m... Compared with the traditional SCR phase-shift regulated power supply, a new type of power semiconductor , noncrystalline state magnetic material and pulse width modulation technology, high-power switching supply has many advantages: small volume, high converting efficiency, good dynamic performance, small harmonic componont and small pollution to AC supply. 展开更多
关键词 IGBT pulse width modulation SWITCHING supply
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吉林重点发展六大电子信息产业
14
《中国计算机用户》 2008年第32期69-69,共1页
吉林省副省长王祖继在“第四届中国吉林·东北亚投资贸易博览会”上表示,吉林省将着重发展光电子、汽车电子、软件、动漫、电力电子、现代信息服务业六大重点产业。
关键词 电子信息产业 吉林省 贸易博览会 信息服务业 汽车电子 电力电子 东北亚 副省长
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Al_(0.3)Ga_(0.22)In_(0.48)P/GaAsHBT高温特性的研究
15
作者 吴杰 夏冠群 +3 位作者 束伟民 顾伟东 张兴宏 P.A.Houston 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期31-33,36,共4页
本文研制了Al03Ga022In048P/GaAs高温HBT器件,详细地研究了器件在300K~623K范围内HBT的直流电学特性.结果表明Al03Ga022In048P/GaAsHBT器件具有良好的高温特性,在300K~623K温度范围内,动态电流增益变化小于10%.Al03Ga022In048P/GaAsHB... 本文研制了Al03Ga022In048P/GaAs高温HBT器件,详细地研究了器件在300K~623K范围内HBT的直流电学特性.结果表明Al03Ga022In048P/GaAsHBT器件具有良好的高温特性,在300K~623K温度范围内,动态电流增益变化小于10%.Al03Ga022In048P/GaAsHBT可工作至623K,工作温度超过623K后,器件就不能正常工作,经分析发现导致HBT失效的直接原因是BC结短路.BC结短路的机制有待今后进一步探讨. 展开更多
关键词 异质结 双极晶体管 高温 直流电学特性 HBT
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打造成国际一流,国内领先的IGBT供应商——访中科君芯总经理肖庆云先生
16
《电焊机》 北大核心 2014年第8期J0018-J0019,共2页
在近日召开的第十七届北京·埃森焊接切割展览会上,江苏中科君芯科技有限公司作为一家国内自主研发IGBT的企业。展示了60nv、1200V和1700V三个电压段不同电流等级的IGBT产品,产品覆盖了电磁感应加热、逆变焊机、变频器、UPS、新... 在近日召开的第十七届北京·埃森焊接切割展览会上,江苏中科君芯科技有限公司作为一家国内自主研发IGBT的企业。展示了60nv、1200V和1700V三个电压段不同电流等级的IGBT产品,产品覆盖了电磁感应加热、逆变焊机、变频器、UPS、新能源等多个应用领域。 展开更多
关键词 IGBT 国内 总经理 供应商 国际 电磁感应加热 自主研发 电流等级
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适用于变流装置电路仿真的IGBT分段瞬态模型 被引量:1
17
作者 朱庆祥 罗毅飞 +1 位作者 刘宾礼 肖飞 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期2806-2814,共9页
绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)瞬态模型对电力电子系统的分析与设计具有重要意义。目前,考虑精度与仿真效率,物理模型与现有行为模型均难以满足复杂电路的仿真要求。针对这一问题,基于IGBT开通、关断瞬... 绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)瞬态模型对电力电子系统的分析与设计具有重要意义。目前,考虑精度与仿真效率,物理模型与现有行为模型均难以满足复杂电路的仿真要求。针对这一问题,基于IGBT开通、关断瞬态的物理机理,对其开关过程进行分段表征,提出了一种可适用于复杂电路仿真,且能反映不同电压、电流、温度下IGBT开关瞬态特性的分段模型,并在Simulink软件实现了对复杂电路的仿真。最后,通过与物理模型以及实验数据的对比,对所建立模型的有效性进行了验证。结果表明,所提出的模型可以在不同电压、电流、温度等工况下实现IGBT开关瞬态特性的准确表征,且能用于如逆变拓扑等复杂电路的仿真,模型的仿真效率和仿真精度较好。该模型能够为器件的多时间尺度建模和仿真提供重要支撑。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 开关瞬态 行为模型 电路仿真 分段模型 变流装置
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IGBT模块短路测试方法研究 被引量:7
18
作者 王雷 李锦 +1 位作者 李艳伟 杨璐 《铁道机车与动车》 2015年第8期27-29 7-8,共5页
短路能力是衡量IGBT(绝缘双极型晶体管)模块性能的重要指标,短路保护功能在很大程度上决定了变流器的可靠性和失效率。主要介绍了IGBT模块短路保护电路的必要性和3种短路测试方法。
关键词 IGBT 短路保护 短路测试
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InP/InGaAs HBT湿法化学选择腐蚀技术 被引量:1
19
作者 李献杰 曾庆明 +3 位作者 徐晓春 敖金平 刘伟吉 梁春广 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期178-181,共4页
用H3PO4:H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀,并将其应用于InP/InGaAsHBT制作,发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70,截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为11GHz和12GHz.
关键词 INP INGAAS 选择腐蚀 HBT 湿法刻蚀
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MOCVD AlGaAs/GaAs HBT材料生长中基区、发射区结偏位的分析与控制 被引量:1
20
作者 王向武 李肖 +2 位作者 张岚 黄子乾 潘彬 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期546-548,共3页
分析了MOCVDAlGaAs/GaAsHBT外延材料生长中基区、发射区异质结界面与P N结界面产生偏离的原因 ,计算了外延生长参数对结偏离的影响 ,得到了对于C、Mg及Zn作为P型掺杂剂时 ,使得结偏位为 0时所需生长的GaAsspace层厚度 ,它们分别为 1~ 1... 分析了MOCVDAlGaAs/GaAsHBT外延材料生长中基区、发射区异质结界面与P N结界面产生偏离的原因 ,计算了外延生长参数对结偏离的影响 ,得到了对于C、Mg及Zn作为P型掺杂剂时 ,使得结偏位为 0时所需生长的GaAsspace层厚度 ,它们分别为 1~ 1.5nm、3~ 4nm及 12~ 15nm。计算与器件研制结果基本相符。 展开更多
关键词 异质结双极晶体管 金属有机化合物气相淀积 结偏位
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