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自由和随机介电弛豫 被引量:31
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作者 李景德 李家宝 +1 位作者 沈文彬 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期155-161,共7页
本文介绍一种傅里叶变换介电谱仪方法,它可简化解谱过程,并节省数据内存量,使用这台仪器证明了同一电介质样品在不同条件下自由或随机弛豫可出现于10~6至10^(-4)8的时间范围,这和唯象理论的预言一致,弛豫时间与连接样品两个电极的测量... 本文介绍一种傅里叶变换介电谱仪方法,它可简化解谱过程,并节省数据内存量,使用这台仪器证明了同一电介质样品在不同条件下自由或随机弛豫可出现于10~6至10^(-4)8的时间范围,这和唯象理论的预言一致,弛豫时间与连接样品两个电极的测量电路的电阻R有关,大的R值给出开路弛豫时间,小的R值导致短路极限,开路弛豫时间比短路值可以大10~6倍,给出了从开路到短路情况复介电常数频域谱的变化。 展开更多
关键词 电介质 驰豫 介电常数 电路 频域谱
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Ca_2SnO_4:Eu^(3+)的固相反应形成机理及发光性质研究 被引量:12
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作者 尹涛 柴飞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期647-651,共5页
利用高温固相反应法合成了Ca_(2-x)Eu_xSnO_4发光粉末样品,采用X射线衍射技术和荧光光谱等测试手段对样品的固相反应形成机理及光谱特性进行了研究.对于CaCO_3和SnO_2(2:1)混合粉料,在1250℃进行固相反应时将优先反应生成不稳定的中间相... 利用高温固相反应法合成了Ca_(2-x)Eu_xSnO_4发光粉末样品,采用X射线衍射技术和荧光光谱等测试手段对样品的固相反应形成机理及光谱特性进行了研究.对于CaCO_3和SnO_2(2:1)混合粉料,在1250℃进行固相反应时将优先反应生成不稳定的中间相CaSnO_3,该相再与CaO继续反应生成最后稳定的目标相Ca_2SnO_4.Ca_(2-x)Eu_xSnO_4样品在240~360nm范围内存在着Eu^(3+)-O^(2-)电荷迁移吸收带,随着Eu^(3+)掺杂浓度(x=0.01~0.15)的增加,吸收带峰位从274nm红移至292nm附近.Ca_2SnO_4:Eu^(3+)发光体的发射以电偶极跃迁~2D_o-~7F_2为主导地位,在紫外光激发下产生强的红光发射.在Ca_2SnO_4基质中,Eu^(3+)离子的多声子弛豫过程几率小,当Eu^(3+)掺杂浓度较低时,可以观察到来自于Eu^(3+)较高激发态能级~5D_2和~5D_1上的辐射跃迁.Eu^(3+)离子在同构的Ca_2SnO_4和Sr_2CeO_4基质中的发射光谱形状类似,但Ca_2SnO_4:Eu^(3+)的红光发射强度远大于Sr_2CeO_4:Eu^(3+). 展开更多
关键词 Ca2SnO4:Eu^3+ 反应机理 光致发光 掺杂浓度
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机械球磨与反应烧结合成Sr_2CeO_4发光体的研究 被引量:11
3
作者 戴军 周甫方 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第6期698-702,共5页
Sr2CeO4 phosphor was synthesized by mechanical milling and reactive sintering in this work. The solid state reaction of SrCO3 and CeO2 (2∶1) started at about 850 ℃ and completed at 1 000 ℃ for about 4 h. Two types ... Sr2CeO4 phosphor was synthesized by mechanical milling and reactive sintering in this work. The solid state reaction of SrCO3 and CeO2 (2∶1) started at about 850 ℃ and completed at 1 000 ℃ for about 4 h. Two types of formation mechanism of Sr2CeO4 were proposed. When the starting powder mixture was fired above 1 000 ℃, the unstable intermediate phase SrCeO3 was developed, which then reacted with SrCO3 to form the final product Sr2CeO4, however, SrCO3 and CeO2 converted directly to Sr2CeO4 at a lower temperature. The XRD results showed the crystal structure of Sr2CeO4 was orthorhombic. The emission spectra displayed a broad band with maximum at about 465 nm. The mechanical milling of starting power mixture and the sintering temperature had no effect on this emission spectra. 展开更多
关键词 机械球磨 SR2CEO4 发光体 发光材料 光谱 烧结温度
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Eu^(3+)掺杂的Sr_2CeO_4发光材料的光致发光研究 被引量:10
4
作者 尹涛 +1 位作者 丁球科 赵韦人 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期4940-4945,共6页
利用高温固相反应法制备了Eu3+掺杂的Sr2CeO4样品,并对其吸附水前后的光谱特性进行了研究.结果发现,对于刚制备的Sr2-xEuxCeO4+x/2样品,在Ce4+—O2-的电荷迁移激发中,只有强激发带(~35700cm-1)与Eu3+离子间存在能量传递,而弱激发带(~294... 利用高温固相反应法制备了Eu3+掺杂的Sr2CeO4样品,并对其吸附水前后的光谱特性进行了研究.结果发现,对于刚制备的Sr2-xEuxCeO4+x/2样品,在Ce4+—O2-的电荷迁移激发中,只有强激发带(~35700cm-1)与Eu3+离子间存在能量传递,而弱激发带(~29400cm-1)只是引起Ce4+—O2-的电荷迁移发射;在Sr2-xEuxCeO4+x/2样品吸附水后,Eu3+的线状吸收跃迁强度显著增加,Ce4+—O2-两个激发带均向Eu3+离子传递能量.Ce4+—O2-强激发带通过交换作用向Eu3+离子传递能量,而弱激发带与Eu3+离子间的能量传递机理是非辐射多极子近场力的相互作用. 展开更多
关键词 Sr2-xEuxCeO4+x/2 发光性质 能量传递 吸附水
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SnO_2:Sb电热膜的性能及应用 被引量:8
5
作者 林揆训 +2 位作者 刘育洲 陈斯任 林璇英 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 1995年第5期434-437,共4页
用化学纯原料制备了大功率密度的SnO2:Sb电热度.并分析其结构研究了掺杂量、溶液浓度和退火处理对电阻及电阻温度特性的影响.用喷涂法制备的大面积、性能稳定的SnO2:Sb电热流功率角度高达40W.
关键词 电热膜 二氧化锡
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Ce^(4+)离子在Ca_2SnO_4一维结构基质中的电荷迁移光谱研究 被引量:8
6
作者 柴飞 +1 位作者 陈洁 张汉焱 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期3254-3259,共6页
利用高温固相反应法制备了Ca2Sn1-xCexO4和Ca2-ySrySn1-xCexO4一维结构发光体.XPS结果显示Ca2SnO4拥有两种结合能分别为527.7eV和529.3eV的晶格O2-离子,前者对应于SnO6八面体终端上的O2-离子,而后者属于八面体平面上的O2-离子.Ca2Sn1-xC... 利用高温固相反应法制备了Ca2Sn1-xCexO4和Ca2-ySrySn1-xCexO4一维结构发光体.XPS结果显示Ca2SnO4拥有两种结合能分别为527.7eV和529.3eV的晶格O2-离子,前者对应于SnO6八面体终端上的O2-离子,而后者属于八面体平面上的O2-离子.Ca2Sn1-xCexO4和Sr2CeO4一维结构发光体的发光来源于Ce4+-O2-的电荷迁移跃迁,通常认为O2-与Ce4+离子之间的电荷迁移激发在紫外波段存在着两个激发峰.Sr2+离子掺杂的Ca2Sn1-xCexO4样品的光谱测量结果显示Ca2Sn1-xCexO4在紫外波段实际上存在着三个激发峰.Ca2Sn1-xCexO4样品的三个激发峰分别位于31000cm-1,34500cm-1和37400cm-1附近.在Ca2Sn1-xCexO4的Ca2+格位上掺杂Sr2+离子,三个激发峰明显显露,且分别蓝移至31200cm-1,34700cm-1和38400cm-1左右;然而,样品发射光谱的形状保持不变.Sr2CeO4激发光谱也可以用三个高斯峰拟合,其峰值分别位于29300cm-1,33400cm-1和37000cm-1附近. 展开更多
关键词 Ca2Sn1-xCexO4 Ca2-ySrySn1-xCexO4 一维结构 电荷迁移光谱
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Ce^(4+)和Eu^(3+)共掺杂的Ca_2SnO_4发光材料的合成与光谱特性 被引量:8
7
作者 柴飞 +1 位作者 周涛 张汉焱 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第1期76-80,共5页
利用高温固相反应法合成了Ce4+和Eu3+共掺杂的Ca2-xEuxSn1-yCeyO4样品,并对其结构和发光特性进行了研究。X射线衍射结果显示,在Ca2SnO4中同时掺入Ce4+和Eu3+离子没有改变其晶体结构。Ca2-xEuxSn1-yCeyO4样品的发射光谱随Eu3+掺杂浓度产... 利用高温固相反应法合成了Ce4+和Eu3+共掺杂的Ca2-xEuxSn1-yCeyO4样品,并对其结构和发光特性进行了研究。X射线衍射结果显示,在Ca2SnO4中同时掺入Ce4+和Eu3+离子没有改变其晶体结构。Ca2-xEuxSn1-yCeyO4样品的发射光谱随Eu3+掺杂浓度产生很大变化,当Eu3+掺杂浓度低时,样品中同时存在着Ce4+-O2-的蓝光发射和Eu3+的红光发射;当Eu3+掺杂浓度较高时,样品呈现出Eu3+离子的红光发射。Ce4+-O2-蓝色发光的寿命约为81μs,其能量来源于O2-和Ce4+离子间的电荷迁移吸收;而Eu3+红色发光的寿命约为830μs,其能量来源于O2-和Eu3+离子间的电荷迁移吸收。Eu3+-O2-键比Ce4+-O2-键更容易吸收紫外光,两者之间没有能量传递现象。 展开更多
关键词 Ca2-xEuxSn1-yCeyO4 发光特性 荧光衰减 电荷迁移
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时域方法在铁电相变研究中的应用 被引量:10
8
作者 李景德 李家宝 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期674-680,共7页
提出了时域参数的概念。在(49±1)℃的小温度范围内研究了TGS单晶的铁电相变过程中时域和频域介电谱随温度的变化。分出了晶格极化、畴运动和屏蔽电荷激发三种机构提供的信息。后两种机构在此温度范围内使静态介电常数与音频介电常... 提出了时域参数的概念。在(49±1)℃的小温度范围内研究了TGS单晶的铁电相变过程中时域和频域介电谱随温度的变化。分出了晶格极化、畴运动和屏蔽电荷激发三种机构提供的信息。后两种机构在此温度范围内使静态介电常数与音频介电常数之比值由接近于1突增至2.5以上。损耗峰主要是屏蔽电荷的贡献,相应自由弛豫时间在48.615℃附近出现奇异性质。 展开更多
关键词 铁电体 相变 时域分析 铁电相变
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Sr_2CeO_4电荷迁移发光的光谱结构规律研究 被引量:5
9
作者 戴军 +1 位作者 丁球科 赵韦人 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期2369-2373,共5页
利用高温固相反应法分别合成了不同物相形成机理的Sr2 CeO4 ,Sr2 CeO4 ∶Ca2 + 和Sr2 CeO4 ∶Ba2 + 样品 ,并对其光谱特性进行了研究 .结果发现 ,对于由SrO和CeO2 直接反应生成的Sr2 CeO4 (Ⅰ ) ,激发主峰位于 2 5 6nm左右 ;而对于SrCeO... 利用高温固相反应法分别合成了不同物相形成机理的Sr2 CeO4 ,Sr2 CeO4 ∶Ca2 + 和Sr2 CeO4 ∶Ba2 + 样品 ,并对其光谱特性进行了研究 .结果发现 ,对于由SrO和CeO2 直接反应生成的Sr2 CeO4 (Ⅰ ) ,激发主峰位于 2 5 6nm左右 ;而对于SrCeO3和SrO反应生成的Sr2 CeO4 (Ⅱ ) ,激发主峰位于 2 79nm左右 .在Sr2 CeO4 (Ⅰ )中掺入Ca2 + ,其激发光谱随着Ca2 + 离子浓度的增加逐渐接近于Sr2 CeO4 (Ⅱ )的激发光谱 .激发主峰带应属于CeO6 八面体终端Ce4 + —O2 - 键的电荷迁移带 .对于激发光谱中 340nm左右的弱激发峰 ,其峰值波长不受形成机理及Ca2 + 掺杂的影响 ,只是其强度随着激发主峰的红移而增加 ,它可能属于CeO6 八面体平面上Ce4 + —O2 - 键的电荷迁移带 .形成机理及Ca2 + 掺杂对发射光谱没有影响 .Ca2 + 在Sr2 CeO4 (Ⅱ )与Ba2 + 在Sr2 CeO4 (Ⅰ )和 (Ⅱ )中均难于替代Sr2 + 的位置 . 展开更多
关键词 光谱规律 电荷迁移发光 高温固相反应法 SR2CEO4 激发主峰
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SnO_2∶Sb电热膜的自限温特性 被引量:3
10
作者 刘育洲 +1 位作者 林揆训 林璇英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期310-311,共2页
本文研究了掺锑量对SnO2∶Sb电热膜电阻温度特性的影响。发现高掺锑量的电热膜具有自限流和自限温特性,并分析了该特性对电热膜寿命的影响。
关键词 电热膜 电阻温度特性 自限温 寿命
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SrO-CeO_2体系化合物的固相反应机理研究 被引量:3
11
作者 戴军 丁球科 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期357-362,共6页
以SrCO3和CeO2为原料,采用XRD和TG/DTA分析技术研究了SrO-CeO2体系化合物的物相形成过程.结果发现,当灼烧温度低于950℃时,原始粉料只反应生成Sr2CeO4; 而当灼烧温度高于950℃时,在反应的初始阶段,原始粉料中同时出现SrCeO3和Sr2CeO4... 以SrCO3和CeO2为原料,采用XRD和TG/DTA分析技术研究了SrO-CeO2体系化合物的物相形成过程.结果发现,当灼烧温度低于950℃时,原始粉料只反应生成Sr2CeO4; 而当灼烧温度高于950℃时,在反应的初始阶段,原始粉料中同时出现SrCeO3和Sr2CeO4 物相,在950℃附近,主要产物为Sr2CeO4,在1000℃以上,主要产物为SrCeO3.SrCeO3 和Sr2CeO4物相分别存在着两种形成机制,当温度高于1000℃时,SrCeO3由SrO和CeO2 直接反应生成,而Sr2CeO4则由SrCeO3和SrO反应生成;当温度低于950℃时,Sr2CeO4 由SrO和CeO2直接反应生成,而在950℃附近SrCeO3则由Sr2CeO4和CeO2反应生成.依据这些实验结果,给出了SrO-CeO2体系固相反应规律,并对SrCeO3衍射数据JCPDS36-980 的错误结果进行了分析.荧光光谱测试结果表明,Sr2CeO4物相的形成机制对其激发光谱产生明显的影响. 展开更多
关键词 形成机制 SrCeO3 SR2CEO4 SrO—CeO2体系
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用动态变化的电子束蒸发工艺制备优质ITO透明导电膜 被引量:5
12
作者 林揆训 林璇英 +1 位作者 陈家宜 《功能材料》 EI CAS CSCD 1993年第5期407-411,共5页
在分析用电子束蒸发制备铟锡氧化物(ITO)透明导电膜的静态工艺流程的基础上,提出了多种参数同步变化的动态工艺流程。用这种新颖的工艺流程制备了优质的ITO透明导电膜,方块电阻为5Ω时,透光率大于90%,并对静态、动态和退火工艺的实验... 在分析用电子束蒸发制备铟锡氧化物(ITO)透明导电膜的静态工艺流程的基础上,提出了多种参数同步变化的动态工艺流程。用这种新颖的工艺流程制备了优质的ITO透明导电膜,方块电阻为5Ω时,透光率大于90%,并对静态、动态和退火工艺的实验结果进行了综合分析。实验结果和理论分析表明,动态变化的电子束蒸发工艺是制备优质ITO透明导电膜的有效方法。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 透明导电膜 电子束
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复合氧化物SrEu_2O_4的合成与光谱特性 被引量:4
13
作者 戴军 +1 位作者 尹涛 赵韦人 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1113-1116,共4页
以SrCO3和Eu2O3为原料,采用高温固相反应法在空气气氛中合成了一种Eu和Sr的复合氧化物。利用XRD,TG/DTA和荧光光谱等测试手段对该种新物相的组成、结构和发光性质进行了研究。XRD结果显示,该物相的分子式组成为SrEu2O4,与BaEu2O4同构。... 以SrCO3和Eu2O3为原料,采用高温固相反应法在空气气氛中合成了一种Eu和Sr的复合氧化物。利用XRD,TG/DTA和荧光光谱等测试手段对该种新物相的组成、结构和发光性质进行了研究。XRD结果显示,该物相的分子式组成为SrEu2O4,与BaEu2O4同构。荧光光谱表明,SrEu2O4存在一个双峰结构的Eu3+—O2-电荷迁移带,峰值分别位于257和280 nm;在紫外光激发下,SrEu2O4以5D0→7F2电偶极发射跃迁(618 nm)最强,发出强的红光。 展开更多
关键词 SrEu2O4 XRD 激发光谱 发射光谱
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铁电-驻极体复合膜的性质和测量方法 被引量:6
14
作者 李景德 李家宝 +2 位作者 邹慰亲 黄学雄 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第12期898-900,共3页
近年来兴起了研究复合材料在热释电材料中以硫酸三甘氨酸(TGS)单晶粉末和聚偏氟乙烯(PVDF)复合薄膜最为引人注意。因复合材料具有新的物理和化学性质,在测量物性参数时若只简单地采用传统的方法,很可能引起错误。下面介绍TGS-PVDF复合... 近年来兴起了研究复合材料在热释电材料中以硫酸三甘氨酸(TGS)单晶粉末和聚偏氟乙烯(PVDF)复合薄膜最为引人注意。因复合材料具有新的物理和化学性质,在测量物性参数时若只简单地采用传统的方法,很可能引起错误。下面介绍TGS-PVDF复合热释电薄膜的热释电系数、热激电流(TSC)和介电谱的测量方法和结果。 展开更多
关键词 复合膜 热释电 铁电-驻极体 介电谱
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MCeO_3∶Eu^(3+)(M=Sr,Ba)的合成及发光性质研究 被引量:4
15
作者 尹涛 +1 位作者 丁球科 赵韦人 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期854-857,共4页
利用高温固相反应法合成了Eu3+掺杂的MCeO3(M=Sr,Ba)发光粉末样品,采用X射线衍射技术和荧光光谱等测试手段分别对其物相组成和发光性质进行了研究。X射线衍射结果显示,Eu3+离子容易替代MCeO3晶格中M2+离子的位置。荧光光谱测试结果表明,... 利用高温固相反应法合成了Eu3+掺杂的MCeO3(M=Sr,Ba)发光粉末样品,采用X射线衍射技术和荧光光谱等测试手段分别对其物相组成和发光性质进行了研究。X射线衍射结果显示,Eu3+离子容易替代MCeO3晶格中M2+离子的位置。荧光光谱测试结果表明,Eu3+掺杂的SrCeO3和BaCeO3样品在紫外波段存在着非常宽的吸收带,峰值分别位于311和320nm左右,它们属于Ce4+-O2-的电荷迁移带,SrCeO3和BaCeO3基质与Eu3+离子之间存在着能量转移。在MCeO3∶Eu3+样品中,Eu3+的发射主要来自于5D0激发态能级,其中以磁偶极跃迁5D0—7F1发射强度为最大;此外样品中还存在着较高的5D1激发态能级的辐射跃迁。SrCeO3∶Eu3+样品的发射强度远大于BaCeO3∶Eu3+样品。 展开更多
关键词 SrCeO3 BACEO3 EC^3+ 物相组成 光谱特性
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添加剂对锶永磁铁氧体的改性研究 被引量:3
16
作者 丁球科 赵韦人 《汕头大学学报(自然科学版)》 2007年第1期48-53,共6页
以锶永磁铁氧体YF28的预烧料为原料,采用工业生产工艺,分别制备不同添加剂的锶永磁铁氧体,并对其性能进行研究.结果表明,添加微米级CaCO3和SiO2的永磁铁氧体产品的剩磁和矫顽力分别为388 mT和241 kA/m,而添加纳米级CaCO3和SiO2的产品,... 以锶永磁铁氧体YF28的预烧料为原料,采用工业生产工艺,分别制备不同添加剂的锶永磁铁氧体,并对其性能进行研究.结果表明,添加微米级CaCO3和SiO2的永磁铁氧体产品的剩磁和矫顽力分别为388 mT和241 kA/m,而添加纳米级CaCO3和SiO2的产品,其剩磁和矫顽力分别上升至397 mT和261 kA/m;在添加纳米级CaCO3和SiO2的基础上,再分别加入La2O3和Pr6O11添加剂,最大剩磁分别上升至414 mT和430 mT,但矫顽力分别下降至246 kA/m和241 kA/m. 展开更多
关键词 永磁铁氧体 添加剂 纳米材料
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Sr_2CeO_4物相形成过程的XRD分析 被引量:1
17
作者 戴军 周甫方 《汕头大学学报(自然科学版)》 2004年第2期18-22,共5页
采用X射线衍射技术分析了SrCO3和CeO2 (摩尔比 2∶1 )混合粉料经不同灼烧时间反应后的物相组成 .结果表明在Sr2 CeO4的形成过程中将出现不稳定的中间相SrCeO3,原始粉料CeO2 相会提前消失 ,SrCeO3与SrCO3反应生成最终稳定的目标相Sr2 CeO... 采用X射线衍射技术分析了SrCO3和CeO2 (摩尔比 2∶1 )混合粉料经不同灼烧时间反应后的物相组成 .结果表明在Sr2 CeO4的形成过程中将出现不稳定的中间相SrCeO3,原始粉料CeO2 相会提前消失 ,SrCeO3与SrCO3反应生成最终稳定的目标相Sr2 CeO4.X射线衍射数据显示Sr2 展开更多
关键词 物相形成 XRD X射线衍射 SR2CEO4 正交晶系 发光材料
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Sr_2CeO_4物相的形成机制及其对光谱特性的影响 被引量:1
18
作者 戴军 赵韦人 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期988-991,共4页
采用X射线衍射技术分析了SrCO3和CeO2 (摩尔比2∶1)混合粉料经不同温度与时间反应后的物相组成。发现Sr2 CeO4 物相存在着两种形成机制。当烧结温度高于10 0 0℃时,Sr2 CeO4 由中间相SrCeO3和SrCO3反应生成;而当温度较低时,Sr2 CeO4 直... 采用X射线衍射技术分析了SrCO3和CeO2 (摩尔比2∶1)混合粉料经不同温度与时间反应后的物相组成。发现Sr2 CeO4 物相存在着两种形成机制。当烧结温度高于10 0 0℃时,Sr2 CeO4 由中间相SrCeO3和SrCO3反应生成;而当温度较低时,Sr2 CeO4 直接由两种原始粉料反应生成。形成机制的差别对Sr2 CeO4 激发光谱产生明显的影响,由前者形成的Sr2 CeO4 ,强激发峰位于2 80nm左右;由后者形成的样品,强激发峰位于2 5 4nm左右。形成机制的差别对发射光谱峰位没有影响。 展开更多
关键词 SR2CEO4 XRD 形成机制 光谱特性
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Ni_(52)Mn_(26)Ga_(22)薄膜的马氏体相变和磁电阻
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作者 丁娟 赵韦人 +1 位作者 於元炯 《金属功能材料》 CAS 2006年第3期1-3,共3页
用电子束蒸发方法制备了多晶NiMnGa薄膜。用Ni52Mn26Ga22合金作靶材,衬底为<111>取向的单晶硅抛光面。沉积时衬底温度为773K。电子束蒸发在本底真空3×10-3Pa中进行。X射线衍射图谱表明薄膜在室温下为奥氏体相。电阻随温度的... 用电子束蒸发方法制备了多晶NiMnGa薄膜。用Ni52Mn26Ga22合金作靶材,衬底为<111>取向的单晶硅抛光面。沉积时衬底温度为773K。电子束蒸发在本底真空3×10-3Pa中进行。X射线衍射图谱表明薄膜在室温下为奥氏体相。电阻随温度的变化关系表明薄膜的马氏体相变开始温度约在256K,且相变滞后较小。在室温下的奥氏体具有正的磁电阻效应,在1T磁场下磁电阻为0.06%。马氏体的磁电阻很小,这种差异来源于电子结构的不同。 展开更多
关键词 马氏体相变 薄膜 磁电阻
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铁电复合材料TGS·PVDF的性能研究 被引量:1
20
作者 李景德 《功能材料》 EI CAS CSCD 1993年第4期352-355,共4页
本文介绍了TGS·PVDF铁电复合材料的制备方法和测量方法,分析了不同体积比的复合材料的介电、热激电流和热释电特性,确定了该种材料作为热释电体的工作温度,并发现它能贮存巨量的电荷面密度,预示着该材料的应用前景。
关键词 复合膜 介电常数 热激电流 铁电体
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