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InGaAs/AlGaAs PM-HEMT的实验研制
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作者 陈效建 刘军 +2 位作者 郑雪帆 王树珠 孙晓鹏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期78-78,共1页
高电子迁移率晶体管(HEMT)在近十年的发展中,已成为微波、毫米波及高速数字领域中最重要的新型半导体器件之一,并正进入实用化与商品化.HEMI的许多优异性能与器件内部异质结界面附近的二维电子气(2DEG)的性质(如高漂移速度、高电子浓度... 高电子迁移率晶体管(HEMT)在近十年的发展中,已成为微波、毫米波及高速数字领域中最重要的新型半导体器件之一,并正进入实用化与商品化.HEMI的许多优异性能与器件内部异质结界面附近的二维电子气(2DEG)的性质(如高漂移速度、高电子浓度)有关,因而随着对新的异质结构材料中2DEG特性研究的深入,采用新的材料研制HEMT,已成为器件发展中的一个最重要的方向. 展开更多
关键词 晶体管 PM-HEMT 半导体器件
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